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21. 发明专利

TW201947214A 用於計算一結構的電磁散射特性的方法和裝置审中-公开
简体标题：用于计算一结构的电磁散射特性的方法和设备
公开(公告)号：TW201947214A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114869
申请日：2019-04-29
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA , 帕薩瑞可馬克辛 , PISARENCO, MAXIM , 昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G01N21/956 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種計算一結構之電磁散射特性的方法，該結構表示為一標稱結構及一結構擾動，該方法具有以下步驟：1008在數值上對包含一標稱線性系統1004之一容積積分方程式進行求解，以判定相對於該結構擾動獨立之一標稱向量場；1010藉由對一容積積分方程式或一伴隨線性系統進行求解，使用一擾動線性系統1006以判定起因於該結構擾動之一向量場擾動的一近似值。一標稱線性系統矩陣迴旋算子之矩陣向量乘法可限於子矩陣；及1012使用該所判定標稱向量場及該向量場擾動之該所判定近似值來計算該結構之電磁散射特性。
简体摘要：本发明提供一种计算一结构之电磁散射特性的方法，该结构表示为一标称结构及一结构扰动，该方法具有以下步骤：1008在数值上对包含一标称线性系统1004之一容积积分方进程进行求解，以判定相对于该结构扰动独立之一标称矢量场；1010借由对一容积积分方进程或一伴随线性系统进行求解，使用一扰动线性系统1006以判定起因于该结构扰动之一矢量场扰动的一近似值。一标称线性系统矩阵回旋算子之矩阵矢量乘法可限于子矩阵；及1012使用该所判定标称矢量场及该矢量场扰动之该所判定近似值来计算该结构之电磁散射特性。

22. 发明专利

TW201920937A 光學偵測器审中-公开
简体标题：光学侦测器
公开(公告)号：TW201920937A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107125815
申请日：2018-07-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：盧波山德巴斯 , ROOBOL, SANDER BAS , 昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G01N21/47 , G01N21/956 , G03F7/20 , G03F9/00
摘要：本發明揭示一種偵測器，其用於偵測已由一規則結構繞射之繞射輻射；該偵測器包含：一感測器，其用於感測該繞射輻射之至少一部分，該感測器具有一第一區及一第二區；一第一塗層，其經組態以允許波長在一第一波長範圍內之輻射透射；及一第二塗層，其經組態以允許波長在一第二波長範圍內之輻射透射；其中該第一塗層塗佈該感測器之該第一區，且該第二塗層塗佈該感測器之該第二區，且其中該第一區及該第二區係不同區。
简体摘要：本发明揭示一种侦测器，其用于侦测已由一守则结构绕射之绕射辐射；该侦测器包含：一传感器，其用于传感该绕射辐射之至少一部分，该传感器具有一第一区及一第二区；一第一涂层，其经组态以允许波长在一第一波长范围内之辐射透射；及一第二涂层，其经组态以允许波长在一第二波长范围内之辐射透射；其中该第一涂层涂布该传感器之该第一区，且该第二涂层涂布该传感器之该第二区，且其中该第一区及该第二区系不同区。

23. 发明专利

TW201732270A 度量衡方法、度量衡裝置及器件製造方法审中-公开
简体标题：度量衡方法、度量衡设备及器件制造方法
公开(公告)号：TW201732270A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142817
申请日：2016-12-22
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/956 , G03F7/20 , H05G2/00
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F7/70625 , G03F7/7065 , H05G2/008
摘要：一種混合度量衡裝置(1000、1100、1200、1300、1400)量測藉由微影製造之一結構(T)。一種EUV度量衡裝置(244，IL1/DET1)運用EUV輻射輻照該結構且自該結構偵測一第一光譜。另一種度量衡裝置(240，IL2/DET2)運用包含EUV輻射或較長波長輻射之第二輻射輻照該結構且偵測一第二光譜。在一起使用該所偵測到之第一光譜及該所偵測到之第二光譜的情況下，一處理器(MPU)判定該結構之一屬性(CD/OV)。該光譜可以各種方式組合。舉例而言，該第一所偵測到之光譜可用於控制用於俘獲該第二光譜之照明及/或偵測之一或多個參數，或該第二所偵測到之光譜可用於控制用於俘獲該第一光譜之照明及/或偵測之一或多個參數。該第一光譜可用於區分該結構中之不同層(T1，T2)之屬性。第一及第二輻射源(SRC1，SRC2)可共用一共同驅動雷射(LAS)。
简体摘要：一种混合度量衡设备(1000、1100、1200、1300、1400)量测借由微影制造之一结构(T)。一种EUV度量衡设备(244，IL1/DET1)运用EUV辐射辐照该结构且自该结构侦测一第一光谱。另一种度量衡设备(240，IL2/DET2)运用包含EUV辐射或较长波长辐射之第二辐射辐照该结构且侦测一第二光谱。在一起使用该所侦测到之第一光谱及该所侦测到之第二光谱的情况下，一处理器(MPU)判定该结构之一属性(CD/OV)。该光谱可以各种方式组合。举例而言，该第一所侦测到之光谱可用于控制用于俘获该第二光谱之照明及/或侦测之一或多个参数，或该第二所侦测到之光谱可用于控制用于俘获该第一光谱之照明及/或侦测之一或多个参数。该第一光谱可用于区分该结构中之不同层(T1，T2)之属性。第一及第二辐射源(SRC1，SRC2)可共享一共同驱动激光(LAS)。

24. 发明专利

TWI685725B 檢測工具、微影設備、微影系統、檢測方法及器件製造方法有权
简体标题：检测工具、微影设备、微影系统、检测方法及器件制造方法
公开(公告)号：TWI685725B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107124091
申请日：2018-07-12
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 史莫克曼厄文保羅 , SMAKMAN, ERWIN PAUL , 阿克布魯特都古 , AKBULUT, DUYGU , 庫馬尼蒂希 , KUMAR, NITISH , 高爾登賽巴斯汀亞努斯安德里亞努斯 , GOORDEN, SEBASTIANUS ADRIANUS , 塞帝札爾王達尼 , SETIJA, IRWAN DANI
IPC分类号： G03F9/00 , G01N23/225 , G01R31/305

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