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21. 发明专利

JP2014027294A Silicon-containing layer deposition with silicon compounds 审中-公开
标题翻译：含硅化合物的硅含量沉积
公开(公告)号：JP2014027294A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2013203938
申请日：2013-09-30
申请人： Applied Materials Inc , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人： SINGH KAUSHAL K , COMITA PAUL B , SCUDDER LANCE A , CARLSON DAVID K
IPC分类号： H01L21/205 , C01B31/36 , C01B33/02 , C01B33/04 , C01B33/06 , C01B33/08 , C01B33/10 , C01B33/107 , C07F7/08 , C07F7/12 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/42
CPC分类号： C07F7/0896 , C01B33/04 , C01B33/107 , C07F7/12 , C23C16/24 , C23C16/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition of silicon compounds and methods for using the silicon compounds to deposit a silicon-containing film.SOLUTION: The methods employ introducing the silicon compounds to a substrate surface, and depositing a portion of the silicon compounds, the silicon motif, as the silicon-containing film. In-situ etchants supports the growth of selective silicon epitaxy. The silicon compounds include SiRX, SiRX, SiRX, where X are each independently hydrogen or halogen, and R is carbon, silicon or germanium. The silicon compounds also include: compounds comprising three silicon atoms, a fourth atom of carbon, silicon or germanium, and atoms of hydrogen or halogen with at least one halogen atom; and compounds comprising four silicon atoms, a fifth atom of carbon, silicon or germanium, and atoms of hydrogen or halogen with at least one halogen atom.
摘要翻译：要解决的问题：提供硅化合物的组合物和使用硅化合物沉积含硅膜的方法。方法：该方法采用将硅化合物引入衬底表面，并沉积一部分硅化合物，硅图案，作为含硅膜。原位蚀刻剂支持选择性硅外延生长。硅化合物包括SiRX，SiRX，SiRX，其中X各自独立地为氢或卤素，R为碳，硅或锗。硅化合物还包括：包含三个硅原子，第四个碳原子，硅或锗的化合物，以及具有至少一个卤素原子的氢或卤原子; 以及包含四个硅原子，碳，硅或锗的第五个原子，以及具有至少一个卤素原子的氢或卤原子的化合物。

22. 发明专利

JP2001060558A INERT BARRIER FOR HIGH-CLEANLINESS EPITAXIAL DEPOSITION SYSTEM 失效
公开(公告)号：JP2001060558A
公开(公告)日：2001-03-06
申请号：JP2000201162
申请日：2000-07-03
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： DE LOMINIE ROMAIN BEAU , CARLSON DAVID K
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/44 , C30B25/08 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prolong the service life of main chamber O-rings and prevent the infiltration of O-ring contaminants into a treating region by arranging vacuum tight seals and nonreactive barriers between upper and lower members forming the treating region. SOLUTION: In an epitaxial silicon chemical vapor deposition cycle or cleaning cycle, a depositing gas or heating cleaning gas is introduced to a treating region 18 from an external source via a supply line 30. Since the region 18 is formed in upper and lower domes 12 and 16 and hermetically sealed with O-rings 52, 54, 56, 58 and 60, barriers 64 and 66, having heat resistances and chemical resistances, prevent the heated depositing reaction product or the heating cleaning gas, which advances into the gap between a liner 118 and the domes 12 and 16 from reaching the O-rings 56 and 58 during the deposition or cleaning cycle. In addition, the barriers 64 and 66 made of the same material prevent the possibility of contaminants or particles produced from the O-rings 50, 52, and 60 reaching the treating region 18 and coating the region 18.

23. 发明专利

JPH10275838A PERMANENT MOUNTING PREFERENCE SAMPLE FOR SUBSTRATE MEASURING TOOL 失效
公开(公告)号：JPH10275838A
公开(公告)日：1998-10-13
申请号：JP3297598
申请日：1998-02-16
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： WALDHAUER ANN P , CARLSON DAVID K , COMITA PAUL B
IPC分类号： G01B11/06 , G01N21/27 , H01L21/66 , H01L21/68 , H01L23/544
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enable characteristics of a reference sample to be measured, without moving the reference sample for a stage in a measuring tool by a method, wherein a substrate processing tool is equipped with a processing chamber, a holding chamber connected to the pressing chambers, and a measuring tool connected to the holding chamber. SOLUTION: An unprocessed wafer cassette is arranged in the processing chamber of a processing tool by an operator (200). While the wafers are processed, a holding chamber connected to a measuring tool measures the spectrum of a reference sample (202). The spectrum of the reference sample is stored in a computer system provided to the measuring tool (204). After a film is grown/formed on a wafer, the processed wafers can be automatically transferred from the processing chamber into the holding chamber, piece by piece. Furthermore, a first wafer is arranged on a stage inside the holding chamber, and spectra for the first wafer are acquired by a measuring tool (208).

24. 发明专利

DE112012001861B4 Chemikalienbereitstellungssystem 未知
公开(公告)号：DE112012001861B4
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：DE112012001861
申请日：2012-04-20
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： SANCHEZ ERROL ANTONIO C , JOSEPHSON MARCEL E , CARLSON DAVID K , JUMPER STEVE
IPC分类号： H01L21/02
摘要： Chemikalienbereitstellungssystem (100, 200), aufweisend:eine Umschließung (102, 202);eine erste Kammer (104, 206), die innerhalb der Umschließung angeordnet ist und mehrere erste Rohrleitungen (208) aufweist, um eine erste Gruppe chemischer Stoffe zu befördern, wobei die erste Kammer darüber hinaus eine erste Saugöffnung (228) und eine erste Abführöffnung (226) aufweist, um einen Strom eines Spülgases durch die erste Kammer zu ermöglichen; undeine zweite Kammer (104, 214), die innerhalb der Umschließung angeordnet ist und mehrere zweite Rohrleitungen (216) aufweist, um eine zweite Gruppe chemischer Stoffe zu befördern, wobei die zweite Kammer darüber hinaus eine zweite Saugöffnung (230) und eine zweite Abführöffnung (232) aufweist, um einen Strom des Spülgases durch die zweite Kammer zu ermöglichen, wobei sich die erste Gruppe chemischer Stoffe von der zweiten Gruppe chemischer Stoffe unterscheidet, und wobei eine Sauggeschwindigkeit des Spülgases durch die zweite Kammer höher ist als die Sauggeschwindigkeit des Spülgases durch die erste Kammer; wobei das Chemikalienbereitstellungssystem des Weiteren aufweist:(i) eine dritte Kammer (106, 220), um zumindest einige chemische Stoffe für die erste oder zweite Gruppe von einem Ort außerhalb der Umschließung aufzunehmen, wobei von der dritten Kammer zumindest einige der mehreren ersten und zweiten Rohrleitungen ausgehen, um die mindestens einigen chemischen Stoffe zur ersten bzw. zweiten Kammer zu befördern, und/oder(ii) eine erste Fluidleitung (210), um jede der mehreren ersten Rohrleitungen mit einer Prozesskammer (112, 204) zu verbinden, und eine zweite Fluidleitung (218), um jede der mehreren zweiten Rohrleitungen mit der Prozesskammer zu verbinden.

25. 发明专利

SG10201702767UA COMPACT AMPOULE THERMAL MANAGEMENT SYSTEM 未知
公开(公告)号：SG10201702767UA
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：SG10201702767U
申请日：2013-06-05
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： CARLSON DAVID K , SANCHEZ ERROL ANTONIO C , CHOI KENRIC , JOSEPHSON MARCEL E , DEMARS DENNIS , CUVALCI EMRE , SAMIR MEHMET TUGRUL
摘要： Apparatus for thermal management of a precursor for use in substrate processing are provided herein. In some embodiments, an apparatus for thermal management of a precursor for use in substrate processing may include a body having an opening sized to receive a storage container having a liquid or solid precursor disposed therein, the body fabricated from thermally conductive material; one or more thermoelectric devices coupled to the body proximate the opening; and a heat sink coupled to the one or more thermoelectric devices.

26. 发明专利

SG11201701461TA HONEYCOMB MULTI-ZONE GAS DISTRIBUTION PLATE 未知
公开(公告)号：SG11201701461TA
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：SG11201701461T
申请日：2015-08-10
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： BRILLHART PAUL , CHANG ANZHONG , TONG EDRIC , LO KIN PONG , CARLSON DAVID K , SANCHEZ ERROL ANTONIO C , YE ZHIYUAN , KUPPURAO SATHEESH
IPC分类号： H01L21/205
摘要： Embodiments provided herein generally relate to an apparatus for gas delivering in a semiconductor process chamber. The apparatus may be a gas distribution plate that has a plurality of through holes and a plurality of blind holes formed therein. Process gases are provided into a processing volume of the semiconductor process chamber through the through holes of the gas distribution plate. The blind holes are utilized to control the temperature of the gas distribution plate using a phase change material.

27. 发明专利

SG10201601916TA METHOD AND APPARATUS FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF EPITAXIAL GERMANIUM STRESSOR ALLOYS 未知
公开(公告)号：SG10201601916TA
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：SG10201601916T
申请日：2011-07-28
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： SANCHEZ ERROL ANTONIO C , CARLSON DAVID K
摘要： A method and apparatus for forming heterojunction stressor layers is described. A germanium precursor and a metal precursor are provided to a chamber, and an epitaxial layer of germanium-metal alloy formed on the substrate. The metal precursor is typically a metal halide, which may be provided by subliming a solid metal halide or by contacting a pure metal with a halogen gas. The precursors may be provided through a showerhead or through a side entry point, and an exhaust system coupled to the chamber may be separately heated to manage condensation of exhaust components.

28. 发明专利

DE112012001864T5 Halbleitersubstratbearbeitungssystem 未知
公开(公告)号：DE112012001864T5
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：DE112012001864
申请日：2012-04-20
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： SANCHEZ ERROL ANTONIO C , CARLSON DAVID K , KUPPURAO SATHEESH
IPC分类号： H01L21/205
摘要： Es werden Vorrichtungen zum Bearbeiten von Substraten bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen kann ein Bearbeitungssystem eine erste Transferkammer und eine an die Transferkammer angeschlossene erste Prozesskammer aufweisen, wobei die Prozesskammer darüber hinaus eine Substrathalterung aufweist, um eine Bearbeitungsfläche eines Substrats in der Prozesskammer zu halten, einen Injektor, der auf einer ersten Seite der Substrathalterung angeordnet ist und über einen ersten Strömungspfad, um ein erstes Prozessgas bereitzustellen, und einen zweiten Strömungspfad verfügt, um ein zweites, vom ersten Prozessgas unabhängiges Prozessgas bereitzustellen, wobei der Injektor das erste und zweite Prozessgas über die Bearbeitungsfläche des Substrats hinweg bereitstellt, einen über der Substrathalterung angeordneten Sprühkopf, um der Bearbeitungsfläche das erste Prozessgas bereitzustellen, und eine Abgasöffnung, die auf einer zweiten Seite der Substrathalterung dem Injektor entgegengesetzt angeordnet ist, um das erste und zweite Prozessgas aus der Prozesskammer abzuziehen.

29. 发明专利

DE69132982T2 未知
公开(公告)号：DE69132982T2
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：DE69132982
申请日：1991-08-14
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： ANDERSON ROGER N , DEACON THOMAS E , CARLSON DAVID K
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/48 , H01L21/00 , H01L21/22 , H01L21/31
摘要： A reflector array (25) employing a number of linear, tubular heater lamps (27) arranged in a circle concentric with the substrate (5) to be heated. Some of the lamps (27) have focusing reflectors (31) and the remainder have dispersive reflectors.

30. 发明专利

DE69114942T2 未知
公开(公告)号：DE69114942T2
公开(公告)日：1996-05-15
申请号：DE69114942
申请日：1991-08-09
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： CARLSON DAVID K , BOWMAN RUSSELL
IPC分类号： G01B11/06 , G01B15/02 , H01L21/66

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