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21. 发明申请

WO2015122652A1 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드 审中-公开
标题翻译：使用纳米结构转移的发光二极管生产方法和获得的发光二极管
公开(公告)号：WO2015122652A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/KR2015/001222
申请日：2015-02-06
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 유철종 , 이종람
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L2933/0033
摘要： 본 발명은 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구 모양의 나노구조체 전사를 통해 넓은 면적에 균일하게 나노구조체를 코팅하고 이를 통해 광추출 효율이 극대화된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 광추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 형성된 발광다이오드 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체가 코팅된 제1기판에서 제2기판으로 나노구조체를 전사하는 단계와, 상기 제2기판에 전사된 나노구조체를 제2반도체층에 전사하는 단계, 및 상기 제2반도체층에 전사된 나노구조체를 마스크로 이용하여 제2반도체층을 건식 에칭하여 요철부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种发光二极管的制造方法和由此获得的发光二极管，更具体地说，涉及一种通过球形纳米结构转印将纳米结构均匀地涂覆在宽表面积上的方法，制造通过涂层使光提取效率最大化的发光二极管，涉及通过该方法产生的具有优异的光提取效率的发光二极管。本发明涉及一种其中形成第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光二极管的制造方法，其中所述方法包括：将球形纳米结构涂覆在第一基板上的步骤; 将已经被纳米结构涂覆的第一衬底的纳米结构转移到第二衬底上的步骤; 将已经转移到第二衬底上的纳米结构转移到第二半导体层上的步骤; 以及通过使用由已经转移到第二半导体层上的纳米结构构成的掩模来干法蚀刻第二半导体层来形成不均匀部分的步骤。

22. 发明申请

WO2013165127A1 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：发光二极管元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013165127A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003621
申请日：2013-04-26
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 서울옵토디바이스주식회사 , 주식회사 포스코엘이디
发明人： 백정민 , 예병욱 , 유철종 , 김범준 , 이종람
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 도전형 기저층; 상기 제1 도전형 기저층 상에 구비되며, 복 수개 구비되고, 적어도 두 종류의 크기로 구비된 개구부를 포함하는 마스크층; 상기 마스크층 상에 구비되며, 상기 개구부들을 통해 성장된 복수의 제1 도전형 구조체; 상기 제1 도전형 구조체의 표면 상에 구비된 활성층; 및 상기 마스크층과 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
摘要翻译：本发明涉及发光二极管元件及其制造方法。根据本发明，提供了一种发光二极管元件，包括：基板; 设置在所述基板上的第一导电性基底层; 掩模层，其设置在多个第一导电基底层的顶部上，并且包括以至少两种尺寸设置的开口; 多个第一导电结构，设置在掩模层上并从开口生长; 设置在所述第一导电结构的表面上的有源层; 以及覆盖掩模层和有源层的第二导电半导体层。

23. 发明授权

KR102220734B1 이산화탄소 환원용 촉매 전극과 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102220734B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020190036158
申请日：2019-03-28
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 유철종 , 박재용 , 임진욱
IPC分类号： C25B11/02 , C25B11/04 , C25B1/00 , C23F1/02 , C23C14/58 , C23C14/04
摘要： 본발명은종래의촉매전극에비해이산화탄소를일산화탄소를환원시키는환원효율이현저하게향상될수 있는촉매전극에관한것이다. 본발명에따른촉매전극은, 전기화학적으로이산화탄소를일산화탄소로환원시키기위한것으로, 상기촉매전극은, 제1 금속으로이루어진모재와, 상기모재의표면에형성된제2 금속으로이루어진금속층을포함하고, 상기금속층은상기모재가노출되어, 상기금속층과모재간에형성되는경계면의길이가소정이상이되도록, 패턴화된것을특징으로한다.

24. 发明授权

KR102091837B1 투명 전극을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102091837B1
公开(公告)日：2020-03-23
申请号：KR1020130052524
申请日：2013-05-09
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
发明人： 이종람 , 유철종
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/38 , H01L21/02

25. 发明授权

KR102006533B1 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102006533B1
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：KR1020170045869
申请日：2017-04-10
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 박재용 , 이종람
IPC分类号： B82B3/00 , H01L51/00 , H01L51/50 , B82Y40/00

26. 发明公开

KR1020170056104A 구리 3차원 나노구조체의 제조방법 无效
标题翻译：铜三维纳米结构的制造方法
公开(公告)号：KR1020170056104A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150159214
申请日：2015-11-12
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 임관우 , 유철종 , 남한재
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , C23C14/34 , C23C14/30 , C23C14/14
摘要： 본발명은구리 3차원나노구조체의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른구리 3차원나노구조체의제조방법은구리기판에수산화구리(Ⅱ) 나노구조체를성장시키는단계, 수산화구리(Ⅱ) 나노구조체로부터산화구리나노구조체를제조하는단계, 씨앗층을형성하는단계, 화학침전법또는수열합성법을이용하여산화구리 3차원나노구조체를형성하는단계, 및산화구리 3차원나노구조체를구리 3차원나노구조체로환원시키는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制备铜三维纳米结构的方法。生产根据本发明的一个实施方案中的铜的三维纳米结构的方法包括：在铜基材上生长铜氢氧化物（Ⅱ）纳米结构的步骤，用于从氢氧化铜制造铜氧化物纳米结构的方法（Ⅱ）纳米结构的种子使用化学沉淀法或水热合成法形成氧化铜三维纳米结构;以及将氧化铜三维纳米结构还原成铜三维纳米结构。

27. 发明公开

KR1020170056087A 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속촉매 전극의 제조방법 无效
标题翻译：制备用于电化学CO-CO2还原的金属催化剂电极的方法
公开(公告)号：KR1020170056087A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150159076
申请日：2015-11-12
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 유철종 , 김성주 , 임관우 , 남한재
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01B1/08 , H01B1/02 , B01J19/08
摘要： 본발명은금속촉매전극의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, (a) 유기물을이용하여기판상에유기물패턴을형성하는단계; (b) 상기유기물패턴이형성된기판상에금속층또는산화물층을형성하는단계; (c) 상기유기물패턴을제거하여식각마스크를형성하는단계; (d) 상기식각마스크로기판을식각하여상기기판에패턴을형성하는단계; (e) 상기패턴을포함하는기판에금속층을형성하는단계; 및 (f) 상기기판으로부터금속층을박리하여금속촉매전극을형성하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造金属催化剂电极的方法。根据本发明的实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：（a）使用有机材料在衬底上形成有机材料图案; （b）在其上形成有机材料图案的基板上形成金属层或氧化物层; （c）去除有机材料图案以形成蚀刻掩模; （d）用蚀刻掩模蚀刻衬底以在衬底上形成图案; （e）在包括所述图案的基板上形成金属层; （f）从基板剥离金属层以形成金属催化剂电极。

28. 发明公开

KR1020170000054A 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 그 반도체 발광 소자 有权
标题翻译：制造半导体发光器件的方法和用于其的半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020170000054A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150088654
申请日：2015-06-22
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 김범준 , 박재용
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/22 , H01L33/00
摘要： 본발명은반도체발광소자의제조방법및 그반도체발광소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자의제조방법은질화물계반도체층을형성하는단계; 상기질화물계반도체층또는그 상부에복수의구조물을형성하는단계; 및상기복수의구조물각각의상부에나노선을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及制造半导体发光器件和半导体发光器件的方法。根据本发明实施例的制造半导体发光器件的方法包括：形成氮化物基半导体层; 在氮化物基半导体层之上或之中形成多个结构; 并且为多个结构中的每个结构形成天桥线。

29. 发明公开

KR1020160094458A 투명 전극의 제조방법 有权
标题翻译：生产透明电极的方法
公开(公告)号：KR1020160094458A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150014655
申请日：2015-01-30
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 이일환
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14
CPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14
摘要： 본발명은전기전도도를최대한유지하면서전극상에홀을배치함에따라투명전극의투과도를높일수 있는투명전극의제조방법에관한것이다. 이를위한본 발명의투명전극의제조방법은, 기판을제공하는준비단계; 상기기판의표면상에다수의금속점을형성하는금속점형성단계; 상기금속점이형성된기판의표면상에전극층을형성하는전극층형성단계; 및상기금속점을제거하여상기전극층에홀을형성하는홀 형성단계;를포함하여구성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造透明电极以提高作为空穴的透明电极的透射率的方法，同时保持电导率。为此，制造透明电极的方法包括提供基板的准备工序; 在基板的表面上形成金属点的金属点形成工序; 在具有所述金属点的所述基板的表面上形成电极层的电极层形成工序; 以及通过去除金属点在电极层上形成孔的孔形成步骤。

30. 发明授权

KR101632632B1 투명 전극 및 이를 구비하는 태양전지 有权
标题翻译：包括电极的透明电极和太阳能电池
公开(公告)号：KR101632632B1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020140143568
申请日：2014-10-22
申请人： 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이종람 , 함주영
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 투명전극및 이를채용한태양전지가제공된다. 본발명의일 구현예에따른투명전극은유기물층, 상기유기물층상에형성된금속박막층및 상기금속박막층상에형성된유전체층을포함한다.

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