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21. 发明申请

WO2020141804A1 화학-기계적 연마 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2020141804A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：PCT/KR2019/018546
申请日：2019-12-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 문원균 , 김재현 , 신규순 , 박종대 , 이민건 , 진성훈 , 이구화 , 조경숙 , 유재홍
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/04
摘要： 본 발명은 연마 입자의 표면을 개질하여, 높은 연마 속도, 결점이나 스크래치가 작은 양질의 연마 품질을 갖는 화학-기계적 연마 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 조성물을 제공한다.

22. 发明申请

WO2020017894A1 화학적 기계적 연마 조성물, 화학적 기계적 연마 슬러리 및 기판의 연마 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2020017894A1
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：PCT/KR2019/008849
申请日：2019-07-17
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박혜정 , 이민건 , 박종대 , 김재현
IPC分类号： C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/306
摘要： 금속 총 함량을 감소시키더라도 종래의 연마제 대비 동등하거나 그 보다 더 높은 연마속도를 구현하거나 종래와 동일한 금속 총 함량을 사용할 경우에는 종래의 연마제 보다 현저히 높은 연마속도를 구현할 수 있는 화학 기계적 연마 조성물, 화학적 기계적 연마 슬러리 및 기판의 연마 방법을 제공한다. 화학기계적 연마 조성물은 철계 금속 촉매, 및 마그네슘계 금속 촉매를 포함하되, 금속 촉매의 총 함량 중 철계 금속 촉매의 금속 함량이 마그네슘계 금속 촉매의 금속 함량보다 많거나 같다.

23. 发明申请

WO2018199453A1 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2018199453A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：PCT/KR2018/002206
申请日：2018-02-22
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박혜정 , 이민건 , 박창용 , 박민성 , 진성훈 , 이구화 , 박종대 , 김재현
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
摘要： 본 발명은 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 인산염기를 갖는 화합물을 연마 선택비 조절제로 사용하고 선택적으로 3차 아민 화합물을 상기 연마 선택비 조절제와 함께 추가로 사용함으로써, 기존 대비 실리콘 질화막과 같은 절연막 또는 텅스텐과 같은 금속막을 단독 또는 동시에 연마 가능하고, 특히 이들의 연마속도의 조절이 용이하여 반도체 소자의 층간 단차를 최소화할 수 있는 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 연마 방법에 관한 것이다.

24. 发明申请

WO2015060610A1 금속막 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법 审中-公开
标题翻译：金属膜抛光浆料组合物，以及减少使用其抛光金属膜时产生的切割的方法
公开(公告)号：WO2015060610A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/KR2014/009871
申请日：2014-10-21
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박창용 , 박종대 , 신종철 , 김재현 , 이구화 , 박민성
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
摘要： 반도체 집적회로의 제조에 있어서, 금속막의 연마 시 상승하는 온도를, 마찰력을 감소시킴으로써 낮추며, 슬러리의 열적 안정성을 개선하여, 고온에 의한 슬러리의 입도 증가를 억제함으로써 스크래치를 감소시키는 금속막 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법이 개시된다. 상기 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법은, 질소 원자를 포함하는 유기용매 및 글리콜계 유기용매를 포함하는 금속막 연마 슬러리 조성물을 금속막이 형성된 기판과 접촉시키는 단계; 및 연마 패드를 상기 기판과 접촉시키고, 상기 연마 패드를 기판에 대해 이동시켜, 상기 기판으로부터 상기 금속막의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种金属膜抛光浆料组合物，用于通过减少摩擦力来降低制备半导体集成电路中的划痕，降低其温度，这在抛光金属膜时增加，并且提高了浆料的热稳定性，从而抑制了由于高温而使浆料粒径增大; 以及通过使用该方法来减少在研磨金属膜时产生的划痕的方法。用于减少在研磨金属膜时产生的划痕的方法包括以下步骤：使包含含有氮原子的有机溶剂和二醇类有机溶剂的金属膜抛光浆料组合物与具有金属的基材接触电影; 以及通过使抛光垫与基板接触并相对于基板移动抛光垫，从基板去除至少一部分金属膜。

25. 发明申请

WO2014193177A3 오픈 구조의 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산(POSS) 및 이를 포함하는 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2014193177A3
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/KR2014/004810
申请日：2014-05-29
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 주한복 , 송선식 , 권혁용 , 박은주 , 김재현
IPC分类号： C07F7/21 , C08G77/02 , C08L83/04 , H01L33/52
摘要： 본 발명은 오픈 구조의 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산(POSS) 및 이를 포함하는 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가교결합이 가능하여 수지와의 상용성이 증가되고, 부분 오픈-케이지(open-cage) 구조를 가져 투명도가 향상된 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산(POSS) 및 이를 포함하여 우수한 실록산 수지와의 용해성, 내열성, 기계적 특성 및 봉지 공정 특성, 및 향상된 가교밀도, 광투과성 및 가스에 대한 배리어 특성을 가지므로, 다양한 광학소자의 봉지공정, 특히 광투명성 전자소자용 또는 후막의 봉지공정에 적용할 수 있는 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 오픈-케이지 구조를 갖는 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산을 포함하여 뛰어난 유연성과 우수한 경도를 가져서 외부충격에 대한 완충역할 및 내구성 보강에 유용하게 사용할 수 있는 코팅 조성물에 관한 것이기도 하다.

26. 发明申请

WO2014163332A1 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 审中-公开
标题翻译：用于形成微孔的涂料组合物和使用其形成微孔板的方法
公开(公告)号：WO2014163332A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/KR2014/002641
申请日：2014-03-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 이형근 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： C09D7/12 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要： 네가티브 톤 현상액으로 현상된 포토레지스트 패턴의 표면에 코팅막을 형성하여 패턴의 선폭 크기 또는 구경을 축소시킬 수 있는 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법이 개시된다. 상기 미세패턴 형성용 코팅 조성물은, 명세서의 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물; 및 유기용매를 포함한다. 명세서의 화학식 1에서, R 1 은 산소 원자 1 내지 3개를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 가지형 탄화수소기이거나, 산소 원자 1 내지 3개를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 3 내지 20의 고리형 탄화수소기이고, R 2 , R 3 및 R 5 는 각각 수소 원자 또는 메틸기이며, X는 존재하지 않거나, 산소 원자 1 내지 3개를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 3의 탄화수소기이고, R 4 는 고분자 화합물의 말단으로서, 질소 원자 1 내지 5개를 포함하는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기이며, a는 고분자를 구성하는 반복단위의 몰 퍼센트로서, 명세서의 화학식 1에서는 100몰%이다.
摘要翻译：公开了一种用于形成微图案的涂料组合物，其能够通过在由负色调剂显影剂显影的光致抗蚀剂图案的表面上形成涂膜而减小图案的线宽或直径; 以及使用其形成微图案的方法。用于形成微图案的涂料组合物包括：在说明书中由化学式1表示的高分子化合物; 和有机溶剂。在说明书中的化学式1中，R 1是含有或不含有1-3个氧原子的C 1-20直链或支链烃基或含有或不含有1-3个氧原子的C 3-20环烃基，R 2，R 3和 R5各自为氢原子或甲基，X不存在或为含有1-3个氧原子的C1-3烃基，作为高分子化合物的末端的R4为C1-10烃基含有1-5个氮原子，和a，作为构成聚合物的重复单元的摩尔百分比，在说明书中的化学式1中为100摩尔％。

27. 发明申请

WO2014133287A1 광학소자 봉지용 수지 조성물 审中-公开
标题翻译：用于封装光学元件的树脂组合物
公开(公告)号：WO2014133287A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/KR2014/001458
申请日：2014-02-24
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 숭실대학교산학협력단
发明人： 주한복 , 송선식 , 권혁용 , 박은주 , 김재현 , 곽영제 , 은희천 , 임희은
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08G77/04 , H01L23/29
CPC分类号： C08L83/06 , C08G77/045 , C08G77/20 , C08G77/62 , C08G77/80 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L23/296 , H01L33/56
摘要： 본 발명은 광학소자 봉지용 수지 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가교결합이 가능하여 수지와의 상용성이 증가된 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산(POSS) 및 유기 폴리실라잔 화합물을 포함하는 본 발명의 광학소자 봉지용 수지 조성물은 실록산 수지와의 용해성이 우수하고 아웃 가스 현상이 대폭 개선됨으로써 우수한 기계적 특성 및 향상된 기재에 대한 접착력 및 수분 또는 산소에 대한 배리어 특성을 가지므로, 다양한 광학소자의 봉지공정, 특히 후막의 봉지공정에 적용할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于封装光学元件的树脂组合物。更具体地说，本发明的光学元件封装用树脂组合物，其特征在于，具有通过使交联而与树脂的混合性提高的多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）和有机聚硅氮烷化合物，通过与硅氧烷树脂具有优异的溶解性和显着改善的除气现象，具有优异的机械特性，增强的对基材的粘附力和防止水分或氧气的阻挡特性，因此用于包封的树脂组合物光学元件可以应用于封装各种光学元件的步骤，特别是用于封装厚膜的步骤。

28. 发明申请

WO2014042443A1 레지스트 패턴의 하부막 형성용 화합물, 조성물 및 이를 이용한 하부막의 형성방법 审中-公开
标题翻译：用于形成电阻图案的下膜的化合物和组合物，以及使用其形成较薄膜的方法
公开(公告)号：WO2014042443A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：PCT/KR2013/008258
申请日：2013-09-12
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 한수영 , 이정열 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0002 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/0271
摘要： 블록공중합체의 유도된 자기조립 공정에 의해, 레지스트 패턴을 형성하는 과정에서 사용되는 하부막 형성용 화합물, 조성물 및 이를 이용한 하부막의 형성방법이 개시된다. 상기 레지스트 패턴의 하부막 형성용 화합물은 청구항 1의 화학식 1의 구조를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于形成下膜的化合物和组合物，其用于通过嵌段共聚物的定向自组装形成抗蚀剂图案的工艺。还公开了使用其形成下膜的方法。根据本发明的用于形成抗蚀剂图案的下膜的化合物具有权利要求1的化学式1的结构。

29. 发明申请

WO2017200297A1 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光浆料组合物
公开(公告)号：WO2017200297A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/KR2017/005118
申请日：2017-05-17
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박혜정 , 김재현 , 박종대 , 이민건 , 신종철 , 진성훈
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321 , H01L21/304 , B01J23/74
摘要： 산성 분위기 하에서 경시에 따른 pH 변화가 작으므로 장기간 보관이 용이한 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물이 개시된다. 상기 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물은 연마제; 알루미늄 0.000006 내지 0.01 중량%; 및 물을 포함한다. 상기 연마제 표면의 실라놀기의 수와 알루미늄 함량이 다음 수학식 1의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. [수학식 1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 여기서, S는 연마제 표면 1 nm 2 에 존재하는 실라놀기 수이며(단위: 개/nm 2 ), C는 슬러리 조성물 중의 알루미늄 함량(중량%)이다.
摘要翻译：公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，由于pH值在酸性气氛中随时间变化较小，所以易于长时间储存。化学机械抛光浆料组合物可以包含研磨剂; 铝0.000006至0.01重量％; 和水。研磨剂表面的硅烷醇基的数量和铝含量优选满足下述式（1）的条件。其中S是存在于摩擦表面上的硅烷醇基团的数量1nm 2（单位：个数/ nm 2 < ），C是浆液组合物中的铝含量（wt％）。

30. 发明申请

WO2014157881A1 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：耐蚀组合物和使用其形成图案的方法
公开(公告)号：WO2014157881A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/KR2014/002427
申请日：2014-03-24
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 임영배 , 김종원 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C09D165/02 , C08G2261/124 , C08G2261/1422 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3424 , C08G2261/45 , G03F7/094 , G03F7/40 , C08L61/06
摘要： 열적 안정성 및 에칭 저항성이 우수할 뿐만 아니라, 갭필(gap fill) 특성이 우수한 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 레지스트 하층막 조성물은, 명세서의 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 방향족 고리 함유 고분자; 명세서의 화학식 4로 표시되는 화합물; 및 유기 용매를 포함한다. 명세서의 화학식 1에서, R 1 은 탄소수 5 내지 20의 단일환형 또는 다환형의 방향족 탄화수소기이고, R 2 및 R 3 는 각각 독립적으로, 탄소수 4 내지 14의 단일환형 또는 다환형의 방향족 탄화수소기이고, a는 1 내지 3의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이다; 명세서의 화학식 4에서, n은 1 내지 250의 정수이다
摘要翻译：公开了具有显着的热稳定性和耐蚀刻性以及优异的间隙填充性能的抗蚀剂下层组合物，以及使用其形成图案的方法。抗蚀剂底层组合物包含：含有说明书中由化学式1表示的重复单元的含芳环的聚合物; 在说明书中由化学式4表示的化合物; 和有机溶剂。在本说明书中的化学式1中，R 1是C 5 -C 20单环或多环芳烃基，R 2和R 3独立地为C 4 -C 14单环或多环芳烃基，a为1-3的整数，b为 0-2的整数。在本说明书的化学式4中，n为1-250的整数。

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