专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明授权

KR101830545B1 노즐 스케일 제거장치 有权
标题翻译：喷嘴除垢装置
公开(公告)号：KR101830545B1
公开(公告)日：2018-02-20
申请号：KR1020160164082
申请日：2016-12-05
申请人： 박분선 , 황철주 , 황일용 , 황일회
发明人： 황철주 , 황일용 , 황일회
IPC分类号： B08B9/045 , B08B1/04 , F16L55/24
CPC分类号： B08B9/045 , B08B1/04
摘要： 본발명은드럼에결합된노즐의스케일제거장치에대한것으로서, 더욱상세하게는노즐내부에축적된스케일을제거하여노즐의유지보수를하기위한노즐스케일제거장치에대한것이다. 본발명에따른노즐스케일제거장치는클램프수단, 베이스수단, 샤프트수단, 지지수단및 바이트를포함한다. 상기클램프수단은제1클램프및 제2클램프를구비한다. 상기제1클램프는드럼에결합된노즐의상기드럼내부에위치한상기노즐의일단에고정된다. 상기제2클램프는상기드럼외부에위치한상기노즐의타단에고정된다. 상기베이스수단은상기제2클램프에결합된다. 상기샤프트수단은상기노즐에관통하여삽입되는샤프트를구비하며, 상기샤프트를회전시키고상기샤프트가상기노즐의축방향으로이동할수 있도록상기베이스수단에결합된다. 상기지지수단은상기샤프트의축이상기노즐의축과일치할수 있도록상기샤프트를지지한다. 상기바이트는상기샤프트의회전시 상기노즐의내부의스케일을제거하도록상기샤프트에결합된다. 또한, 본발명에따른노즐스케일제거장치에있어서, 상기지지수단은제1지지대및 제2지지대를구비하는것이바람직하다. 상기제1지지대는샤프트가삽입되어지지될수 있도록상기제1클램프에결합된다. 상기제2지지대는상기샤프트가삽입되어지지될수 있도록상기베이스수단에결합된다. 또한, 본발명에따른노즐스케일제거장치에있어서, 상기바이트는상기샤프트에반경방향으로돌출되는길이가조절될수 있도록삽입되는것이바람직하다. 또한, 본발명에따른노즐스케일제거장치에있어서, 상기제1클램프는상기노즐의일단의외경에착탈될수 있게결합되고, 상기제2클램프는상기노즐의타단의외경에착탈될수 있게결합되는것이바람직하다. 또한, 본발명에따른노즐스케일제거장치에있어서, 상기제1지지대는상기샤프트가삽입되어지지되는제1관통공이형성되며제1관통공의축이상기노즐의축과일치하도록상기제1클램프에결합되며, 상기제2지지대는상기샤프트가삽입되어지지되는제2관통공이형성되며제2관통공의축이상기노즐의축과일치하도록상기베이스수단에결합되는것이바람직하다. 또한, 본발명에다른노즐스케일제거장치에있어서, 상기베이스수단은베이스프레임, 제1모터및 스크류를구비하는것이바람직하다. 상기베이스프레임은상기제2클램프에결합된다. 상기제1모터는상기베이스프레임에장착된다. 상기스크류는상기제1모터로회전할수 있게상기노즐의축방향으로장착된다. 상기샤프트수단은제2모터부및 가이드부를구비하는것이바람직하다. 상기제2모터부는상기샤프트를회전시킬수 있도록상기샤프트가결합된다. 상기가이드부는상기스크류의회전시 상기스크류의축방향으로이동할수 있도록상기스크류에결합되며상기제2모터부가장착된다. 본발명은샤프트의축을노즐의중심축과일치시켜노즐의내부에샤프트를삽입하여회전시킬수 있으므로샤프트에장착된바이트로노즐에고착된스케일을제거할수 있다. 그래서드럼에서노즐을분리하지않고스케일을제거할수 있으므로작업효율이증대될수 있고, 비용이절감될수 있다.
摘要翻译：喷嘴水垢去除装置技术领域本发明涉及一种结合于滚筒的喷嘴水垢去除装置，尤其涉及一种去除积存在喷嘴内的水垢来进行喷嘴的维护的喷嘴水垢去除装置。根据本发明的喷嘴除垢装置包括夹紧装置，基座装置，轴装置，支撑装置和咬合件。夹紧装置包括第一夹具和第二夹具。第一夹具固定到位于与鼓连接的喷嘴的鼓内的喷嘴的一端。第二个夹具固定在位于滚筒外部的喷嘴的另一端。底座装置连接到第二夹具。轴装置具有穿过喷嘴插入的轴并联接到基座装置以使轴旋转并允许轴在喷嘴的轴向方向上移动。支撑装置支撑轴以便与轴的轴移相器喷嘴的轴线重合。该字节连接到轴上以去除轴内的水垢。另外，在根据本发明的喷嘴水垢去除装置中，优选的是，支撑装置包括第一支撑件和第二支撑件。第一支撑件联接到第一夹具，使得轴能够插入和支撑。第二支撑底座连接到底座装置，以便轴可以插入和支撑。此外，在根据本发明的喷嘴除垢装置中，优选的是，所述咬入部被插入，使得能够调节在所述轴的径向上突出的咬入长度。此外，在根据本发明的喷嘴结垢装置中，第一优选夹钳联接以便联接成是在一个端部的喷嘴的外径可拆卸的，第二夹具是可移动的，以在喷嘴的另一端部的外径我会的。此外，在根据本发明的喷嘴结垢装置中，第一支具，如权利要求1的球，通过该支承轴被插入时，联接到所述第一夹具的形成，以便匹配第一通孔的所述轴的移相器喷嘴的轴线并且，第二支承部形成有供轴插入支承的第二贯通孔，并且与第二贯通孔的轴相喷嘴的轴线一致地与基部机构结合。此外，在本发明的喷嘴水垢去除装置中，优选的是，底座装置包括底座，第一马达和螺杆。基架连接到第二夹具。第一台电机安装在底座上。螺杆沿喷嘴的轴向方向安装以便可由第一电机旋转。优选地，轴装置包括第二马达部分和引导部分。并且轴被联接到第二电动机单元以使轴旋转。引导部分连接到螺钉，使得引导部分能够在螺钉组件的轴向方向上移动，并且第二马达部分被安装。由于轴的轴与喷嘴的中心轴线对齐，使得轴可以插入喷嘴并旋转，所以可以通过安装在轴上的咬合消除附着在喷嘴上的水垢。因此，可以在不从鼓上移除喷嘴的情况下去除水垢，从而可以提高工作效率并降低成本。

22. 发明授权

KR101710231B1 접지 봉함기 有权
标题翻译：折叠和封口纸机
公开(公告)号：KR101710231B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020140051240
申请日：2014-04-29
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： B41F19/00 , G03G15/00 , B65H9/16
摘要： 본발명은일정폭의봉함용지를 Z자또는 C자형태로접지와봉함을동시에하는접지봉함기에관한것으로서, 보다구체적으로는고속으로공급되는봉함용지의접지을원활하게하는가이드부재와소음을줄이기위한테이퍼가압롤러를구비한것을특징으로하는접지봉함기에관한것이다. 본발명은, 봉함용지를공급하는공급부와, 상기공급부의의해공급된봉함용지를슬라이딩하면서접기위하여봉함용지의제 2패널(15)을가이드하는공급가이드(34)와제 1패널(16) 또는제 3패널(17)을접지하는접지플레이트(37)와한 쌍의제 2급지롤러(38)를구비한접지부와, 상기접지부에의해접지된봉함용지를정렬하는정렬부(60)와, 상기접지불량의봉함용지을제거하는불량배출부(50)와, 상기정렬부를통해접지된봉함용지를가압하여봉함하는한쌍의가압롤러(40)을구비한접지봉함기에있어서, 상기접지플레이트(37) 일측부에체결된가이드부재(a)와, 원통형태가아닌테이퍼각도를구비한원추형태의가압롤러(40)를구비한것으로특징으로한다. 본발명은접지플레이트에가이드부재를구비하여, 봉함용지의접지를원활하게가이드하여, 접지불량을큰 폭으로개선하고, 한쌍의테이퍼가압롤러로종래기술에비해충격음을 5~10dB의소음을저감시키는효과를가진다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于折叠和密封纸张的装置，其中具有恒定宽度的密封纸被折叠成Z或C形，并且更具体地涉及一种用于折叠和密封纸的装置，其中该装置包括：用于促进高速供应的密封纸的折叠的引导构件和用于消除噪音的锥形加压辊。根据本发明的用于折叠和密封纸的装置包括：用于供应密封纸的供应部件; 纸张折叠部分，包括用于引导密封纸的第二面板（15）的供应引导件（34），以在滑动由供应部件供应的密封纸的同时折叠密封纸;折页板（37），用于折叠第一面板（16）或第三面板（17）和一对辅助供纸辊（38）; 对准部件（60），用于对准由折纸部折叠的密封纸; 用于去除具有折叠缺陷的密封纸的缺陷排出部分（50）; 和一对加压辊（40），用于加压和密封由对准部件折叠的密封纸，其中，引导件（a）联接到折纸板（37）和加压辊（40）的一个侧面部分，具有渐缩角而不是圆柱形的锥形。本发明有利于折叠密封纸并且通过将引导构件包括在纸折叠板上而大大减少折叠缺陷，并且与常规技术相比，使用一对锥形加压辊减少5-10db的冲击。

23. 发明授权

KR100225916B1 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치 失效
标题翻译：低压化学气相沉积系统应用等离子体
公开(公告)号：KR100225916B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019950001029
申请日：1995-01-21
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 증착로를 SiC재질 또는 이와 유사한 특성을 가지는 재질의 간접전열 겸 전극부재로 둘러싸거나 증착로를 전극 겸 외부관으로 형성함으로써 증착로 가열수단으로부터의 열이 복사(輻射)에 의하여 직접 반응공간(S)내로 전달되지 않고 일차적으로 그 열을 간접전열 겸 전극부재(50)에 흡열한 후 전도 내지 대류에 의하여 반응공간(S)내로 전열되므로 반응공간(S)의 내부가 국부적으로 과열되거나 미가열되는 등 그 온도가 불균일하게 되는 일이 없이 반응공간(S)내부가 전체적으로 균일한 온도로 유지되며, 이에 따라 웨이퍼(W)상에 증착되는 화합물 박막의 막질과 두께가 균일하게 이루어지게 되며, 기판을 회전시키거나 기판위에 화합물 소스가스 분산판을 이격설치함으로써 균일한 막직의 화합물 박막을 얻을 수 있도록 한 것이다.

24. 实用新型

KR200121629Y1 종형 플라즈마 저압 화학 증기 증착장치 失效
标题翻译：贝尔型等离子体低压化学气相沉积方法
公开(公告)号：KR200121629Y1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR2019940002157
申请日：1994-02-04
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 고안은 종형 플라즈마 저압 화학 증기 증착장치에 관한 것이다. 종래의 매엽식 플라즈마 화학 증기 증착기는 열적 효과가 없기 때문에 박막에 핀홀(pin hole)이 발생하기 쉽고, 스텝 커버리지가 좋지 않으며, 생산성이 낮고, 설비가 고가이며, 설비보수 및 유지 비용이 높게 되는 문제점이 있었다. 또한, 횡형 플라즈마 화학 증기증착장치는 횡형으로 설치되어 보트가 증착반응로의 길이방향으로 출입되는 것으로서 보트를 인출하였을 때 증착반응로의 전장과 보트의 전장을 합친 길이만큼의 공간을 차지하게 될 뿐만 이나라 보트에 웨이퍼를 탑재하거나 증착된 웨이퍼를 보트로부터 취출하기 위한 로보트등이 차지하는 공간을 감안할 때 공장내에서 차지하는 공간이 과대하게 되어 공장의 공간을 효과적으로 활용할 수 없게 되는 문제점이 있으며, 자동화에 많은 어려움이 있었고, 파티클의 발생으로 인한 오염을 가중시키게 되는 문제점이 있었으며 웨이퍼의 로딩 및 언로딩시 RF 컨택조정이 어렵게 되고, 아킹(arcing)이 발생하기 쉬게 되는 문제점이 있었으며, 웨이퍼의 상, 하부간에 대한 열적효과가 다르게 되어 힐록이 발생하기 쉽고, 또한 웨이� �가 보트의 흑연판의 양측면에 장착되는 것이므로 임피던스 매칭이 어렵게 되는 문제점이 있었다. 본 고안은 증착반응로와 보트를 수직으로 설치하여 램에 의하여 보트를 승강시키는 것에 의하여 로딩 및 언로딩시키도록 함으로써 RF 콘택트 아킹이 발생되는 일이 없고 이에 따라 신뢰성 높은 증착을 수행할 수 있게 되며, 웨이퍼의 탑재 및 취출과정에서 웨이퍼와 흑연판간의 마찰접촉이 일어나지 않아 파티클 오염이 없으며, 설령 파티클이 발생된다고 하더라도 종형으로 되어 있기 때문에 하방으로 흘러내려 배출관으로 배출되어 파티클에 의한 웨이퍼의 오염이 극소화되고, 또 웨이퍼를 플라즈마 발생기에 접속된 흑연판상에만 올려놓는 것이므로 RF 제너레이터 임피던스매칭이 양호하게 되며, 또한 상기 가열수단이 증착반응로의 주위에 설치되어 있고 웨이퍼가 증착반응로의 중앙에 위치하기 때문에 100%의 열효과를 얻을 수 있어 증착되는 화합물 박막의 밀도가 높고 핀홀(Pin Hole)이 없는 특성이 우수한 박막을 얻을 수 있게 되고, 또 종형이므로 증착반응로를 상층에 설치하고 램이 하강하여 보트를 언로딩하였을 때 보트의 위치는 하층에 있도록 함으로써 웨이퍼를 탑재 및 취출하는 로보트등의 부대설비가 차지하는 면적을 대폭적으로 줄일 수 있어 공장내의 공간활용상 잇점이 있고, 자동화에도 유리하며, 그 밖에도 배치식이므로 생산성이 높고, 설비의 유지, 보수비용이 적게 들며, 장비가격이 저렴하게 된다.

25. 实用新型

KR200120945Y1 저압 화학 증기 증착장치 失效
标题翻译：低压化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR200120945Y1
公开(公告)日：1998-08-01
申请号：KR2019940001546
申请日：1994-01-27
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 고안은 저압 화학 증기 증착장치에 관한 것이다. 종래의 장치는 화합물 소스 가스가 증착로의 하부에서 상부로 상승공급되도록 되어 있기 때문에 화합물 소스가스의 충분한 혼합과 예열이 이루어지지 않아 균일한 막질과 두께의 박막을 증착하는데 어려움이 있었으며, 또한 N
2 가스를 주입하여 증착로내부를 세정하는 경우 주위의 산소가 함께 혼입되어 불필요한 산화막이 형성되는 등 불량율이 높게 되는 문제점이 있었고, 증착로를 구성하는 내, 외부석영관을 세정 또는 교체하기 위하여 이들을 분리하고 재조립하는 작업이 번거롭게 되며, 생산비가 증가되고 대량생산에 부적합하게 되는 문제점이 있었다. 본 고안은 증착로를 구성하는 내, 외부석영관의 사이에 화합물 소스가스 공급로를 형성하여 화합물 소스가스가 웨이퍼를 탑재한 보트의 상부로부터 하부로 하강공급되도록 함으로써 이들 화합물 소스가스가 충분히 혼합 및 예열되어 균일한 막질 및 두께의 화합물 박막을 얻을 수 있으며, N
2 를 이용한 세정시 주위의 산소가 혼입되는 일이 없어 불필요한 산화막이 형성됨에 따른 불량율을 극소화할 수 있고, 내,외부석영관의 세정 또는 교체시 이들의 분리 및 재조립이 간편하게 되며, 생산비 절감과 대량생산에 유리하게 적용할 수 있도록 한 것이다.

26. 发明授权

KR1019970009829B1 매엽식 저압 화학 증기 증착장치 失效
标题翻译： LPCVD系统单波形式
公开(公告)号：KR1019970009829B1
公开(公告)日：1997-06-18
申请号：KR1019940001053
申请日：1994-01-20
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： H01L21/205
摘要： The single wafer type low pressure chemical vapor deposition device comprises a deposition base(10) provided with a wafer going/incoming hole(11) formed on one side thereof and also provided with a discharging hole(12) for exhausting air and reactible product, the discharging hole(12) formed on another side thereof; a double-deposition path(20) having a structure of an interior quartz tube(21) and an exterior quartz tube(22), the interior quartz tube(21) being installed on the deposition base(10), providing a deposition reacting space(S) and opened in upper and lower parts thereof, an exterior quartz tube(22) having a formation of a compound source gas supplying path(23) between the interior quartz tube(21) and the exterior quartz tube(22); a compound source gas injecter(30) whose part is combined with the deposition base(10), the compound source gas injecter(30) being also connected through the inside of the compound source gas supplying path(23); a wafer(40) elevating in the inside of the deposition reacting space(S) of the deposition path(20); a wafer heating part(50) combined with the wafer(40); and a deposition path heating part(60) installed on the exterior of the exterior quartz tube(22), thereby effectuating in a mass production and in an automation of a factory.
摘要翻译：单晶片型低压化学气相沉积装置包括沉积基底（10），该沉积基底（10）设置有在其一侧上形成的晶片进入孔（11），并且还设置有用于排出空气和可反复产物的排放孔（12）形成在其另一侧的排出孔（12）具有内部石英管（21）和外部石英管（22）的结构的双沉积路径（20），内部石英管（21）安装在沉积基底（10）上，提供沉积反应空间（S）并在其上部和下部开口，在内部石英管（21）和外部石英管（22）之间形成有复合源气体供给路径（23）的外部石英管（22）; 复合源气体注入器（30），其部分与沉积基底（10）结合，复合源气体注入器（30）也通过复合源气体供给路径（23）的内部连接; 在所述沉积路径（20）的沉积反应空间（S）的内部升高的晶片（40）; 与所述晶片（40）组合的晶片加热部件（50）; 以及安装在外部石英管（22）的外部的沉积路径加热部（60），从而实现了大批量生产和工厂的自动化。

27. 发明公开

KR1019960026137A 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치 失效
标题翻译：低压化学气相沉积法用于等离子体处理
公开(公告)号：KR1019960026137A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019950001029
申请日：1995-01-21
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 증착로를 SiC재질 또는 이와 유사한 특성을 가지는 재질의 간접전열 및 전극부재로 둘러싸거나 증착로를 전극 겸 외부관으로 형성함으로써 증착로 가열수단으로부터의 열이 복사(輻射)에 의하여 직접 반응공간(S)내로 전달되지 않고 일차적으로 그 열을 간접전열 및 전극부재(50)에 흡열한 후 전도 내지 대류에 의하여 반응공간(S)내로 전열되므로 반응공간(S)의 내부가 국부적으로 과열되거나 미가열되는 등 그 온도가 불균일하게 되는 일이 없이 반응공간(S) 내부가 전체적으로 균일한 온도로 유지되며, 이에 따라 웨이퍼(W)상에 증착되는 화합물 박막의 막질과 두께가 균일하게 이루어지게 되며, 기판을 회전시키거나 기판위에 화합물 소스가스 분산판을 이격설치함으로써 균일한 막직의 화합물 박막을 얻을 수 있도록 할 것이다.

28. 实用新型

KR2019960002692U 저압 화학 증기 증착장치 失效
公开(公告)号：KR2019960002692U
公开(公告)日：1996-01-22
申请号：KR2019940013732
申请日：1994-06-14
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/205

29. 发明授权

KR1019950003231B1 인-시튜(IN-SITU) 비피에스지(BPSG) 필름증착 및 평탄화방법 失效
标题翻译： BPSG的原位沉积方法及其规划方法
公开(公告)号：KR1019950003231B1
公开(公告)日：1995-04-06
申请号：KR1019920007416
申请日：1992-05-01
申请人： 황철주
发明人： 황철주
IPC分类号： H01L21/314
摘要： The method includes the steps of depositing an oxide film on a wafer under the vacuum state of 0.2-1.5 Torr at 660-750 degree C and by TEOS and O2, depositing a BPSG (boro phosphosilicate glass) thereon under the vacuum state of 0.4-1.5 Torr at 550-700 degree C and by TEOS, TMOB, pH3 and O2, and contineously flattening the deposition films under the vacuum state of 0-5 Torr at 800-910 degree C, thereby forming an in-situ BPSG film on the wafer.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：在660-750摄氏度的真空状态下，在0.2-1.5乇的真空状态下，通过TEOS和O 2在氧化膜上沉积氧化膜，在其上以0.4-0.0的真空状态沉积BPSG（硼硅磷酸盐玻璃）在550-700℃下为1.5托，TEOS TMOB，pH3和O2，在800-910摄氏度的真空状态下在0-5乇的真空状态下使沉积膜平坦化，从而形成原位BPSG膜晶圆。

30. 发明授权

KR100082938B1 인-사이투 인 도핑한 폴리실리콘 필름 증착시의 스텝 카버리지 개선방법 失效
公开(公告)号：KR100082938B1
公开(公告)日：1995-03-06
申请号：KR1019910004915
申请日：1991-03-27
申请人： 황철주 , 나사균
发明人： 황철주 , 나사균
IPC分类号： H01L21/3205

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式