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    • 22. 发明授权
    • 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
    • 薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法
    • KR100695013B1
    • 2007-03-16
    • KR1020050067517
    • 2005-07-25
    • 삼성전자주식회사
    • 김보성홍문표김영민이용욱오준학김수진최태영송근규
    • G02F1/136
    • H01L51/0533H01L51/107
    • 본 발명은 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 절연기판과; 절연기판 상에 형성되어 있는 게이트 전극과; 게이트 전극 상에 형성되어 있으며, 게이트 전극의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 마련되어 있는 제1게이트 절연막과; 개구부에 의해 노출된 게이트 전극을 덮고 있으며, 제1게이트 절연막보다 유전율이 큰 제2게이트 절연막과; 제2게이트 절연막을 중심으로 서로 분리되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 채널영역에 형성되어 있는 유기반도체층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 박막트랜지스터의 특성이 향상된 박막트랜지스터 기판이 제공된다.
    • 薄膜晶体管基板及其制造方法技术领域本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。 根据本发明的薄膜晶体管基板包括:绝缘基板; 栅电极,形成在绝缘基板上; 第一栅绝缘膜,形成在栅电极上并具有暴露栅电极的至少一部分的开口; 第二栅极绝缘膜,覆盖由所述开口暴露的栅极电极,并具有比所述第一栅极绝缘膜的介电常数大的介电常数; 源电极和漏电极在第二栅绝缘膜周围彼此分离以限定沟道区; 并且在沟道区域中形成有机半导体层。 由此,提供了具有改进的薄膜晶体管特性的薄膜晶体管基板。
    • 23. 发明公开
    • 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
    • 薄膜晶体管基板及其制造方法
    • KR1020070013133A
    • 2007-01-30
    • KR1020050067517
    • 2005-07-25
    • 삼성전자주식회사
    • 김보성홍문표김영민이용욱오준학김수진최태영송근규
    • G02F1/136
    • H01L51/0533H01L51/107
    • A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to simplify a manufacturing process by reducing the number of mask processes by forming a second gate insulator film, an organic semiconductor layer, and a first passivation film by an inkjet method, and reduce deterioration of properties of the organic semiconductor layer by omitting a process using a plasma or chemical process after forming the organic semiconductor layer. A thin film transistor substrate includes an insulation substrate. Gate electrodes(143) are formed on the insulation substrate. A first gate insulator film is formed on the gate electrodes, having apertures(152,154) partially exposing the gate electrodes. A second gate insulator film covers the gate electrodes exposed by the apertures, having a dielectric constant larger than that of the first gate insulator film. Source and drain electrodes(161,163) are separated from each other centering on the second gate insulator film for defining a channel area. An organic semiconductor layer(170) is formed at the channel area.
    • 提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法,以通过利用喷墨法形成第二栅极绝缘膜,有机半导体层和第一钝化膜来减少掩模工艺的数量来简化制造工艺,以及 通过在形成有机半导体层之后省略使用等离子体或化学工艺的工艺来降低有机半导体层的性能的劣化。 薄膜晶体管基板包括绝缘基板。 在绝缘基板上形成栅电极(143)。 第一栅绝缘膜形成在栅电极上,具有部分地露出栅电极的孔(152,154)。 第二栅绝缘膜覆盖由孔露出的栅电极,其介电常数大于第一栅极绝缘膜的介电常数。 源极和漏极(161,163)以第二栅极绝缘膜为中心彼此分离,以限定沟道区。 在沟道区形成有机半导体层(170)。
    • 26. 发明授权
    • 어레이 기판, 이를 갖는 표시장치 및 리페어 방법
    • 阵列基板,具有该基板的显示装置以及修复方法
    • KR101058094B1
    • 2011-08-24
    • KR1020040104225
    • 2004-12-10
    • 삼성전자주식회사
    • 오준학송근규양영철
    • G02F1/1345
    • G02F1/1309G02F1/1345
    • 어레이 기판, 이를 갖는 표시장치 및 리페어 방법에서, 기판은 표시영역과 상기 표시영역에 인접한 주변영역으로 구분된다. 다수의 팬아웃 라인은 주변영역에 대응하여 기판 상에 형성된다. 다수의 신호라인은 표시영역에 대응하여 기판 상에 형성되고, 다수의 팬아웃 라인과 전기적으로 연결된다. 리페어부는 주변영역에 대응하여 기판 상에 형성되고, 다수의 팬아웃 라인과 절연되게 교차한다. 리페어부는 다수의 팬아웃 라인 중 어느 하나의 팬아웃 라인이 단선될 때 어느 하나의 팬아웃 라인과 전기적으로 연결되어 어느 하나의 팬아웃 라인을 리페어한다. 따라서, 어레이 기판의 수율을 향상시킬 수 있고, 신호 왜곡을 방지할 수 있다.
    • 在阵列基板,具有该显示装置的显示装置以及修复方法中,基板被划分为显示区域和与显示区域相邻的周边区域。 多个扇出线形成在与周边区域对应的基板上。 多条信号线形成在与显示区域对应的基板上,并且电连接到多条扇出线。 修复部形成在与周边区域对应的基板上,并且与多个扇出线绝缘。 当扇出线断开时,修复单元电连接到多个扇出线中的任何一个,从而修复任何一条扇出线。 因此,可以提高阵列基板的成品率,并且可以防止信号失真。
    • 27. 发明授权
    • 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
    • 液晶显示器及其驱动方法
    • KR101026802B1
    • 2011-04-04
    • KR1020030081539
    • 2003-11-18
    • 삼성전자주식회사
    • 이백운오준학송근규박철우
    • G09G3/36
    • G09G3/3688G02F1/1362G09G3/2011G09G3/3614G09G3/3648G09G2300/0823G09G2320/0209G09G2320/0219
    • 본 발명은 데이터 구동부로부터의 데이터 신호가 열 반전 방식으로 인가되더라고, 화소의 극성은 n×1 도트 반전을 구현할 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다. 이 액정 표시 장치는 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선, 데이터 전압을 전달하는 복수의 데이터선, 그리고 상기 게이트선과 상기 데이터선에 연결되어 있고, 상기 게이트 신호에 따라 상기 데이터 전압을 선택적으로 전달하는 스위칭 소자를 구비하는 복수의 화소로 이루어진 적어도 하나의 화소행을 포함하는 복수의 화소행군을 포함한다. 이때, 상기 각 화소행군의 스위칭 소자는 같은 쪽 데이터선에 연결되어 있고, 인접한 화소행군의 스위칭 소자는 서로 다른 쪽 데이터선에 연결되어 있다. 그로 인해, 데이터선에 인가되는 데이터 전압의 극성이 열 반전 방식으로 정해지지만, 실제 화소의 극성 상태는 n×1 도트 반전을 구현하므로, 열 반전 방식과 도트 반전 방식의 장점을 모두 취하게 된다.
      액정표시장치, 반전, 도트반전, 열반전, 크로스토크, 플리커
    • 本发明涉及即使当以列反转方式施加来自数据驱动器的数据信号时也能够实现n> 1点反转的液晶显示器。 液晶显示装置包括用于传输选通信号的多条选通线,用于传输数据电压的多条数据线以及与选通线和数据线连接的多条数据线, 并且包括由多个像素组成的至少一个像素行的多个像素行组,每个像素行具有开关元件。 此时,各个像素行组的开关元件连接到相同的数据线,并且相邻像素行组的开关元件连接到其他数据线。 其结果是,仅施加到数据线的数据电压的极性在一列反转方法被设置,实际像素N'倍的极性状态;它实现一个1点反转,变得热反转方法的所有优点和点反转方法接受。
    • 30. 发明授权
    • 평면 표시 장치
    • 平面显示设备
    • KR100940573B1
    • 2010-02-03
    • KR1020030043594
    • 2003-06-30
    • 삼성전자주식회사
    • 신경주오준학김진홍노남석홍문표채종철
    • G02F1/133
    • 절연 기판; 절연 기판 위에 행 방향으로 형성되어 있는 복수개의 게이트선; 절연 기판 위에 열 방향으로 형성되어 있으며 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 복수개의 데이터선; 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 복수개의 스위칭 소자; 스위칭 소자에 연결되어 있는 복수개의 화소 전극을 포함하고 적색 화소 전극, 녹색 화소 전극 및 청색 화소 전극은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 대응하며, 2개의 적색 화소 전극, 2개의 녹색 화소 전극 및 2개의 청색 화소 전극으로 하나의 도트가 이루어지며, 상기 하나의 도트에서 행 방향으로 적색 화소 전극 및 녹색 화소 전극이 교대로 배열되어 있고, 열 방향으로 적색 화소 전극 및 상기 녹색 화소 전극이 교대로 배열되어 있으며, 청색 화소 전극은 두 화소행에 걸쳐서 하나의 마름모 모양을 형성하고 있으며, 서로 이웃하는 두 행에서 마름모 모양을 중심으로 대각선 방향으로 적색 화소 전극 및 녹색 화소 전극이 서로 마주하도록 배치되어 있고, 2개의 청색 화소 전극은 데이터선을 기준으로 분리되어 있으며, 각각의 청색 화소 전극에 스위칭 소자가 연결되어 있는 평면 표시 장치.
      평면표시장치, 펜타일, 마름모, 렌더링, 유지전극배선
    • 绝缘基板; 在绝缘基板上沿行方向形成的多条栅极线; 多条数据线,形成在绝缘基板上的列方向上并与栅极线绝缘并相交; 多个开关元件,连接到栅极线和数据线; 包括多个连接到所述开关装置和对应于红色像素电极,绿色像素电极的像素电极,和蓝色像素电极分别是红色像素,绿色像素和蓝色像素,以及两个红色像素电极,以及两个绿色像素电极,和 两个蓝色变成了像素电极构成的一个点,并且是红色像素电极和在红色像素电极交替地排列在沿着行方向的一个点和布置在列方向上的绿色像素电极和绿色像素电极是交替 红色像素电极和绿色像素电极在相邻的两列中以菱形形状的对角线方向相对配置, 两个蓝色像素电极基于数据线和蓝色像素电极分离 其中连接了一个开关元件。