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21. 发明专利

DE112016004904T5 Überprüfungsmethode und Überprüfungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112016004904T5
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：DE112016004904
申请日：2016-10-26
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： INOUE HIROMU , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , G03F1/84
摘要： Ein hochauflösendes optisches Bild wird durch Bestrahlung einer Maske mit Licht einer Lichtquelle über ein hochauflösendes optisches System aufgenommen. Ein optisches Bild mit niedriger Auflösung wird durch Bestrahlung derselben Maske mit dem Licht über ein optisches System mit niedriger Auflösung aufgenommen. Die Konstruktionsdaten des Maskenmusters werden anhand von Formen und Abmessungen korrigiert, die nach mindestens einem Herstellungsverfahren der Maske und einem Herstellungsverfahren eines herzustellenden Halbleiterbauelements durch Übertragung des Maskenmusters auf einen Halbleiterwafer bestimmt werden. Referenzbilddaten werden entsprechend dem hochauflösenden optischen Bild und dem niedrigauflösenden optischen Bild erzeugt. Ob der in dem hochauflösenden optischen Bild erkannte Defekt echt oder falsch ist, wird anhand der Informationen des in dem niedrigauflösenden optischen Bild erkannten Defekts bestimmt.

22. 发明专利

DE102015201437A1 Prüfvorrichtung und Prüfverfahren 未知
公开(公告)号：DE102015201437A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：DE102015201437
申请日：2015-01-28
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G01B11/24 , G01B11/03 , G01M11/00 , G03F9/00
摘要： Eine Prüfvorrichtung enthält eine Optisches-Bild-Akquisitionseinheit zum Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist, eine erste Messeinheit zum Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in der Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung der Oberfläche der Fotomaske begleitet, die durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens erzeugt worden ist, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird, eine zweite Messeinheit zum Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes, und eine Differenzkarte-Erzeugungseinheit zum Erzeugen einer Differenzkarte, in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist durch Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.

23. 发明专利

JP2015090446A 計測装置审中-公开
公开(公告)号：JP2015090446A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：JP2013230593
申请日：2013-11-06
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： ISOMURA IKUNAO , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G03F1/84 , G01B11/00 , G01N21/956
摘要：【課題】パターン検査装置で得られたデータを利用して、被検査対象試料に形成されたパターンの位置ずれを計測可能な計測装置を提供する。【解決手段】計測装置200は、被検査試料に形成されたパターンの欠陥を検査するパターン検査装置とは独立して配置される計測装置であって、検査装置が被検査試料の検査領域を走査した場合に得られる図形パターンの光学画像データを入力する入力部60と、被検査試料に形成されたパターンの設計データを入力する入力部74と、設計データを画像展開して、光学画像データと比較するための参照画像データを作成する参照画像作成部78と、パターン検査装置から得られた光学画像データと参照画像データとを用いて、被検査試料のパターンの位置ずれ量を計測して、位置ずれ量分布を作成する位置ずれ量分布作成部64と、算出された被検査試料のパターンの位置ずれ分布を出力する出力部72と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図2

24. 发明专利

JP2015090326A 計測装置审中-公开
公开(公告)号：JP2015090326A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：JP2013230592
申请日：2013-11-06
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： ISOMURA IKUNAO , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G01N21/956
摘要：【目的】パターン検査装置で得られたデータを利用して、被検査対象試料に形成されたパターンの位置ずれを計測可能な計測装置を提供する。【構成】計測装置200は、被検査試料に形成されたパターンの欠陥を検査するパターン検査装置とは独立して配置される計測装置であって、パターン検査装置が被検査試料の検査領域を走査した場合に得られる図形パターンの光学画像データと、パターン検査装置がパターンの設計データから作成した、光学画像データと比較するための参照画像データと、を入力する入力部60と、パターン検査装置から得られた光学画像データと参照画像データとを用いて、被検査試料のパターンの位置ずれ量を計測して、位置ずれ量分布を作成する位置ずれ量分布作成部64と、算出された被検査試料のパターンの位置ずれ分布を出力する出力部72と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図2

25. 发明专利

JP2019003203A 検査方法および検査装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019003203A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2018151447
申请日：2018-08-10
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： TSUCHIYA HIDEO , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G03F1/84 , G01N21/956
摘要：【課題】欠陥の欠陥補正方法に基づいて欠陥の過剰な検出を防止したフォトリソグラフィマスクの検査をすることが出来る検査装置を提供する。【解決手段】検査装置は、欠陥を有する被検査試料に照明光を照射する照明部400と、被検査試料を透過したまたは被検査試料によって反射された照明光を結像した光学画像を取得する結像部500と、前記欠陥の欠陥補正方法情報を保存する第1の記憶部632と、欠陥補正方法情報に基づいて光学画像と参照画像の比較を行う比較部610と、比較部における比較の結果と欠陥補正方法情報に基づいて欠陥の補正の適否を判断する判断部624と、を備える。【選択図】図1

26. 发明专利

JP2012109428A MASK FOR IMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
公开(公告)号：JP2012109428A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：JP2010257651
申请日：2010-11-18
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： HIRONO MASATOSHI , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask for imprint lithography including an alignment mark that can be easily manufactured.SOLUTION: The mask for the imprint lithography includes a transfer pattern formed by recesses and projections formed by digging a surface of a substrate comprising a transparent material and the alignment mark formed by recesses and projections formed by digging the surface of a part different from the transfer pattern. It is desirable that the recess depth of the recesses and projections of the transfer pattern and the recess depth of the recesses and projections of the alignment mark are equal. Also, it is preferable that the recesses and projections forming the alignment mark are cyclic and the maximum cycle is shorter than 189 nm.

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