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21. 发明专利

TW201245890A 成膜裝置、基板處理系統、基板處理方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：成膜设备、基板处理系统、基板处理方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201245890A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101100398
申请日：2012-01-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸 , 松岡孝明 , 小野裕司
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/67069 , G03F7/16 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/6715 , H01L21/67207 , H01L21/67225
摘要：本發明係關於一種成膜裝置、基板處理系統、基板處理方法及半導體裝置的製造方法。於基板上形成由低分子化合物之分子阻劑所構成之阻劑圖案的基板處理系統係具備有：成膜裝置，係於基板上成膜出阻劑膜；曝光裝置，係將該成膜後之阻劑膜曝光；以及顯影裝置，係將該曝光後之阻劑膜顯影。該成膜裝置係具有：處理容器，係收納基板；保持台，係設置於該處理容器內而保持基板；阻劑膜用蒸鍍頭，係對該保持台所保持之基板供應該分子阻劑之蒸氣；以及減壓機構，係將該處理容器內之氛圍減壓至真空氛圍。
简体摘要：本发明系关于一种成膜设备、基板处理系统、基板处理方法及半导体设备的制造方法。于基板上形成由低分子化合物之分子阻剂所构成之阻剂图案的基板处理系统系具备有：成膜设备，系于基板上成膜出阻剂膜；曝光设备，系将该成膜后之阻剂膜曝光；以及显影设备，系将该曝光后之阻剂膜显影。该成膜设备系具有：处理容器，系收纳基板；保持台，系设置于该处理容器内而保持基板；阻剂膜用蒸镀头，系对该保持台所保持之基板供应该分子阻剂之蒸气；以及减压机构，系将该处理容器内之氛围减压至真空氛围。

22. 发明专利

TW201240185A 顯示元件製造裝置、顯示元件製造方法、及顯示元件 DISPLAY DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：显示组件制造设备、显示组件制造方法、及显示组件 DISPLAY DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW201240185A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100144890
申请日：2011-12-06
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸
IPC分类号： H01L , H05B , C23C
CPC分类号： H01L51/5253 , C23C16/54 , G09F13/22
摘要：本發明提供一種顯示元件製造裝置、顯示元件製造方法、及顯示元件,其能夠將顯示元件的暫時密封體暴露於大氣中而暫時保管;可得到具有因應要求性能的各種膜構造之顯示元件的完成品;並具有優良產出。利用第1密封膜形成裝置27在有機EL零件的表面形成第1密封膜,而得到暫時密封體。利用LL28將該暫時密封體自減壓空間取出至位於大氣壓空間內的暫時密封體保管部29。暫時密封體,在由第1密封膜確保了耐透濕性的狀態下暫時保管於暫時密封體保管部29之後,視時機利用搬運裝置搬運至各第2密封膜形成部6的各SiN膜形成裝置30,在各SiN膜形成裝置30中,於暫時密封體上形成第2密封膜。
简体摘要：本发明提供一种显示组件制造设备、显示组件制造方法、及显示组件,其能够将显示组件的暂时密封体暴露于大气中而暂时保管;可得到具有因应要求性能的各种膜构造之显示组件的完成品;并具有优良产出。利用第1密封膜形成设备27在有机EL零件的表面形成第1密封膜,而得到暂时密封体。利用LL28将该暂时密封体自减压空间取出至位于大气压空间内的暂时密封体保管部29。暂时密封体,在由第1密封膜确保了耐透湿性的状态下暂时保管于暂时密封体保管部29之后,视时机利用搬运设备搬运至各第2密封膜形成部6的各SiN膜形成设备30,在各SiN膜形成设备30中,于暂时密封体上形成第2密封膜。

23. 发明专利

TW201248729A 矽氮化膜之成膜方法、有機電子元件之製造方法以及矽氮化膜之成膜裝置审中-公开
简体标题：硅氮化膜之成膜方法、有机电子组件之制造方法以及硅氮化膜之成膜设备
公开(公告)号：TW201248729A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101105934
申请日：2012-02-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/345 , C23C14/165 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01L51/5253
摘要：一種矽氮化膜之成膜方法,係於收容在處理容器內之基板上形成矽氮化膜者;對該處理容器內供給含有矽烷系氣體、氮氣體以及氫氣體之處理氣體,激發該處理氣體來生成電漿,而利用該電漿進行電漿處理以於基板上形成矽氮化膜。該矽氮化膜係做為有機電子元件之密封膜來使用。利用該電漿進行電漿處理中,將該處理容器內之壓力維持在20Pa~60Pa。
简体摘要：一种硅氮化膜之成膜方法,系于收容在处理容器内之基板上形成硅氮化膜者;对该处理容器内供给含有硅烷系气体、氮气体以及氢气体之处理气体,激发该处理气体来生成等离子,而利用该等离子进行等离子处理以于基板上形成硅氮化膜。该硅氮化膜系做为有机电子组件之密封膜来使用。利用该等离子进行等离子处理中,将该处理容器内之压力维持在20Pa~60Pa。

24. 发明专利

TW201105819A 非晶質碳氫氮膜（ａ－ＣＮ：Ｈｘ）膜之成膜方法、有機ＥＬ元件及其製造方法审中-公开
简体标题：非晶质碳氢氮膜（ａ－ＣＮ：Ｈｘ）膜之成膜方法、有机ＥＬ组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201105819A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099107364
申请日：2010-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓
IPC分类号： C23C , C09K , H01L
CPC分类号： H01L51/5012
摘要：本發明關於一種非晶質碳氫氮膜(a-CN:Hx)膜之成膜方法、有機EL元件及其製造方法,其係以使用電子溫度較低的高密度電漿之方法,並將含有碳-氮(C-N)鍵結之碳氫化合物作為材料氣體,來形成穩定地含有碳-氮(C-N)鍵結之缺陷少且特性良好的a-CN:Hx膜,而提供一種利用該a-CN:Hx膜之有機元件。其中藉由將含有C-N鍵結之碳氫化合物氣體與氮或氨氣作為材料氣體使用來進行發光層的成膜,並於發光層下形成孔洞注輸送層,而於發光層上形成電子注入層,可獲得以非晶質碳氫氮(a-CN:Hx)膜作為發光層之有機元件。
简体摘要：本发明关于一种非晶质碳氢氮膜(a-CN:Hx)膜之成膜方法、有机EL组件及其制造方法,其系以使用电子温度较低的高密度等离子之方法,并将含有碳-氮(C-N)键结之碳氢化合物作为材料气体,来形成稳定地含有碳-氮(C-N)键结之缺陷少且特性良好的a-CN:Hx膜,而提供一种利用该a-CN:Hx膜之有机组件。其中借由将含有C-N键结之碳氢化合物气体与氮或氨气作为材料气体使用来进行发光层的成膜,并于发光层下形成孔洞注输送层,而于发光层上形成电子注入层,可获得以非晶质碳氢氮(a-CN:Hx)膜作为发光层之有机组件。

25. 发明专利

TW200952077A 非晶形碳膜的處理方法及使用彼之半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：非晶形碳膜的处理方法及使用彼之半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW200952077A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098101552
申请日：2009-01-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/042 , C23C16/24 , C23C16/26 , H01L21/02063 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/3146 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76835
摘要：係於基板上實施成膜，乾蝕刻後，進行濕洗淨處理之非晶形碳膜的處理方法，含有：準備具有濕洗淨處理後之非晶形碳膜的基板；及於濕洗淨處理後之非晶形碳膜之上形成上層前，實施非晶形碳膜之表面改質處理。
简体摘要：系于基板上实施成膜，干蚀刻后，进行湿洗净处理之非晶形碳膜的处理方法，含有：准备具有湿洗净处理后之非晶形碳膜的基板；及于湿洗净处理后之非晶形碳膜之上形成上层前，实施非晶形碳膜之表面改质处理。

26. 发明专利

TWI367529B 電漿處理裝置、電漿處理方法及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI367529B
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW097106879
申请日：2008-02-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 戶部康弘
IPC分类号： H01L , C23C , H05H
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3266
摘要：本發明所揭示之電漿處理裝置係包括：處理容器，其收容被處理體；微波產生部，其產生微波；波導，其將由微波產生部所產生之微波朝向處理容器導引；平面天線，其包括具有將被波導所導引之微波朝向處理容器放射之複數個微波放射孔之導體；微波穿透板，其包含電介質，且構成前述處理容器之頂壁，使通過平面天線之微波放射孔的微波穿透；處理氣體導入機構，其將處理氣體導入處理容器內；及磁場形成部，其設於平面天線之上方並形成磁場於處理容器內，且以該磁場來控制藉由微波在處理容器內所產生之處理氣體之電漿特性。
简体摘要：本发明所揭示之等离子处理设备系包括：处理容器，其收容被处理体；微波产生部，其产生微波；波导，其将由微波产生部所产生之微波朝向处理容器导引；平面天线，其包括具有将被波导所导引之微波朝向处理容器放射之复数个微波放射孔之导体；微波穿透板，其包含电介质，且构成前述处理容器之顶壁，使通过平面天线之微波放射孔的微波穿透；处理气体导入机构，其将处理气体导入处理容器内；及磁场形成部，其设于平面天线之上方并形成磁场于处理容器内，且以该磁场来控制借由微波在处理容器内所产生之处理气体之等离子特性。

27. 发明专利

TW201021121A 非晶質碳氮膜之形成方法，非晶質碳氮膜、多層光阻膜、半導體裝置之製造方法及儲存有控制程式之儲存媒體审中-公开
简体标题：非晶质碳氮膜之形成方法，非晶质碳氮膜、多层光阻膜、半导体设备之制造方法及存储有控制进程之存储媒体
公开(公告)号：TW201021121A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098128747
申请日：2009-08-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 西村榮一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , C23C16/347 , C23C16/5096 , G03F7/091 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/3146 , H01L21/318
摘要：本發明係關於一種非晶質碳氮膜之形成方法,非晶質碳氮膜、多層光阻膜、半導體裝置之製造方法及記憶有控制程式之記憶媒體,以形成一蝕刻耐受性佳,且可在使光阻膜曝光時降低反射率之非晶質碳膜。半導體裝置之製造方法係包含:於晶圓上形成蝕刻對象膜之步驟、將含有CO氣體及N2氣體的處理氣體供給至處理容器內之步驟、由所供給之CO氣體及N2氣體來形成非晶質碳氮膜之步驟、於該非晶質碳氮膜上形成氧化矽膜之步驟、於該氧化矽膜上形成ArF光阻膜之步驟、將該ArF光阻膜進行圖型化之步驟、以該ArF光阻膜作為遮罩來蝕刻該氧化矽膜之步驟、以該氧化矽膜作為遮罩來蝕刻該非晶質碳氮膜之步驟,以及以該非晶質碳氮膜作為遮罩來蝕刻該蝕刻對象膜之步驟。
简体摘要：本发明系关于一种非晶质碳氮膜之形成方法,非晶质碳氮膜、多层光阻膜、半导体设备之制造方法及记忆有控制进程之记忆媒体,以形成一蚀刻耐受性佳,且可在使光阻膜曝光时降低反射率之非晶质碳膜。半导体设备之制造方法系包含:于晶圆上形成蚀刻对象膜之步骤、将含有CO气体及N2气体的处理气体供给至处理容器内之步骤、由所供给之CO气体及N2气体来形成非晶质碳氮膜之步骤、于该非晶质碳氮膜上形成氧化硅膜之步骤、于该氧化硅膜上形成ArF光阻膜之步骤、将该ArF光阻膜进行图型化之步骤、以该ArF光阻膜作为遮罩来蚀刻该氧化硅膜之步骤、以该氧化硅膜作为遮罩来蚀刻该非晶质碳氮膜之步骤,以及以该非晶质碳氮膜作为遮罩来蚀刻该蚀刻对象膜之步骤。

28. 发明专利

TW201216542A 密封膜形成方法、密封膜形成裝置、有機發光元件 METHOD FOR FORMING SEALING FILM, APPARATUS FOR FORMING SEALING FILM, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE 失效
简体标题：密封膜形成方法、密封膜形成设备、有机发光组件 METHOD FOR FORMING SEALING FILM, APPARATUS FOR FORMING SEALING FILM, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201216542A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100122032
申请日：2011-06-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/005 , H01L51/5253 , H05B33/04
摘要：本發明提供一種密封膜形成方法,其能夠以比習知技術更短的時間以及更低的成本形成耐透濕性高的密封膜。在形成用來密封有機EL元件12的密封膜13的密封膜形成方法中,於有機EL元件12的表面上形成第1無機層13a,於第1無機層13a上形成碳化氫層13c,將碳化氫層13c軟化或是熔解以使其平坦化,使碳化氫層13c硬化,在使碳化氫層13c硬化之後,於碳化氫層13c上形成比第1無機層13a更厚的第2無機層13e。
简体摘要：本发明提供一种密封膜形成方法,其能够以比习知技术更短的时间以及更低的成本形成耐透湿性高的密封膜。在形成用来密封有机EL组件12的密封膜13的密封膜形成方法中,于有机EL组件12的表面上形成第1无机层13a,于第1无机层13a上形成碳化氢层13c,将碳化氢层13c软化或是熔解以使其平坦化,使碳化氢层13c硬化,在使碳化氢层13c硬化之后,于碳化氢层13c上形成比第1无机层13a更厚的第2无机层13e。

29. 发明专利

TW200949940A 非晶形碳化氫膜的後處理方法及使用該方法的電子裝置的製造方法审中-公开
简体标题：非晶形碳化氢膜的后处理方法及使用该方法的电子设备的制造方法
公开(公告)号：TW200949940A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098103126
申请日：2009-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76835 , H01L2221/1036
摘要：置換非晶形碳化氫膜之最表面之官能基。於為Low-k膜（105）所覆蓋之矽基板Sub上，形成非晶形碳化氫膜（110）。其次，對非晶形碳化氫膜（110）實施非矽烷氣體環境中之加熱處理。接著，對實施該加熱處理後之非晶形碳化氫膜（110）實施矽烷氣體環境中之加熱處理。實施該加熱處理後，形成硬遮罩等之膜（115）。
简体摘要：置换非晶形碳化氢膜之最表面之官能基。于为Low-k膜（105）所覆盖之硅基板Sub上，形成非晶形碳化氢膜（110）。其次，对非晶形碳化氢膜（110）实施非硅烷气体环境中之加热处理。接着，对实施该加热处理后之非晶形碳化氢膜（110）实施硅烷气体环境中之加热处理。实施该加热处理后，形成硬遮罩等之膜（115）。

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