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21. 发明专利

TWI373805B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI373805B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW097121588
申请日：2008-06-10
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 堀入正弘
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/3244
摘要：本發明之課題係於具備2段噴灑頭之電漿處理裝置中，避免堵塞配置於下方之第2氣體供給部件上形成之處理氣體之噴出孔。其解決方法係提供一種將基板W收納於處理容器2內，使處理氣體電漿化而處理基板W之電漿處理裝置1，其中於處理容器2內載置基板W之載置台3之上方，配置具有電漿生成氣體之噴出孔51的第1氣體供給部件41、及具有處理氣體之噴出孔71的第2氣體供給部件42，且，將第1氣體供給部件41配置於較第2氣體供給部件42為上方，將設於第2氣體供給部件42之噴出孔71設於第2氣體供給部件42之上半面。藉由處理容器2內產生之電漿，可抑制第2氣體供給部件42之上半面附著堆積物，而防止噴出孔71被堵塞。
简体摘要：本发明之课题系于具备2段喷洒头之等离子处理设备中，避免堵塞配置于下方之第2气体供给部件上形成之处理气体之喷出孔。其解决方法系提供一种将基板W收纳于处理容器2内，使处理气体等离子化而处理基板W之等离子处理设备1，其中于处理容器2内载置基板W之载置台3之上方，配置具有等离子生成气体之喷出孔51的第1气体供给部件41、及具有处理气体之喷出孔71的第2气体供给部件42，且，将第1气体供给部件41配置于较第2气体供给部件42为上方，将设于第2气体供给部件42之喷出孔71设于第2气体供给部件42之上半面。借由处理容器2内产生之等离子，可抑制第2气体供给部件42之上半面附着堆积物，而防止喷出孔71被堵塞。

22. 发明专利

TW201205648A 電漿摻雜裝置、電漿摻雜方法、製造半導體元件之方法及半導體元件 PLASMA DOPING DEVICE, PLASMA DOPING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备、等离子掺杂方法、制造半导体组件之方法及半导体组件 PLASMA DOPING DEVICE, PLASMA DOPING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
公开(公告)号：TW201205648A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122077
申请日：2011-06-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：久保田紳治 , 堀入正弘 , 上田博一 , 松岡孝明 , 野澤俊久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412
摘要：本發明提供一種電漿摻雜裝置,可藉由該電漿摻雜裝置來減少對待處理基板之損壞且促進摻雜期間的均一處理。該電漿摻雜裝置31具有:處理容器32,在其內部將摻雜劑植入至待處理之基板;氣體供應單元33,其將摻雜氣體及用於電漿激發之惰性氣體供應至該處理容器32內部;支撐台34,其安置於該處理容器32內部且在其上支撐該待處理之基板W;電漿產生機構39,其藉由使用微波而在該處理容器32內部產生電漿;高頻功率源58,其可將偏壓功率供應至該支撐台34;及控制器28,其控制該電漿摻雜裝置31。此處,該控制器28控制由高頻功率源58供應之所供應偏壓功率,以使得該摻雜劑之離子能量小於100 eV。
简体摘要：本发明提供一种等离子掺杂设备,可借由该等离子掺杂设备来减少对待处理基板之损坏且促进掺杂期间的均一处理。该等离子掺杂设备31具有:处理容器32,在其内部将掺杂剂植入至待处理之基板;气体供应单元33,其将掺杂气体及用于等离子激发之惰性气体供应至该处理容器32内部;支撑台34,其安置于该处理容器32内部且在其上支撑该待处理之基板W;等离子产生机构39,其借由使用微波而在该处理容器32内部产生等离子;高频功率源58,其可将偏压功率供应至该支撑台34;及控制器28,其控制该等离子掺杂设备31。此处,该控制器28控制由高频功率源58供应之所供应偏压功率,以使得该掺杂剂之离子能量小于100 eV。

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