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21. 发明专利

JPWO2020049723A1 光モジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020049723A1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2018033228
申请日：2018-09-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 品田卓郎
IPC分类号： H05K1/11 , H01L23/12
摘要：本願の発明に係る光モジュールは、光半導体素子と、光半導体素子を収納するパッケージと、パッケージの上面に設けられた第1パターンと、パッケージの上面と繋がる側面に設けられた第2パターンと、第1パターンの上に設けられ、パッケージの上面から側面側に延びるフレキシブル基板と、第1パターンとフレキシブル基板とを接合するはんだと、を備え、はんだは、フレキシブル基板のうちパッケージの上面から側面側に延びる部分と、第2パターンと、の間に広がる。

22. 发明专利

JPWO2017195625A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017195625A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017016752
申请日：2017-04-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 菊池正雄
IPC分类号： B23K1/00 , B23K101/40 , H01L23/48
摘要：半導体装置(100)は、半導体素子(1)と、絶縁基板(2)に設けられ、半導体素子(1)が主面に接合された導体パターン(2b)と、導体パターン(2b)の主面に硬ろう材(14)で接合され、半導体素子(1)と電気的に接続された端子電極(3)と、を備え、導体パターン(2b)における硬ろう材(14)と接合された接合領域には、平面視で端子電極(3)が存在する第1の領域と、第1の領域の外側に位置し端子電極(3)と重ならない第2の領域とが含まれる。絶縁基板(2)上の導体パターン(2b)と端子電極(3)とを硬ろう材(14)で強固に接合することができる。

23. 发明专利

JP6116452B2 電力用半導体装置の製造方法、電力用半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6116452B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2013186900
申请日：2013-09-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 藤野純司 , 川島裕史 , 柳本辰則 , 菊池正雄
IPC分类号： H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L25/07

24. 发明专利

JP6091443B2 半導体モジュール有权
公开(公告)号：JP6091443B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2014016571
申请日：2014-01-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：坂元創一 , 藤野純司 , 米田裕 , 柳本辰則
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/34 , H01L2224/37011 , H01L2224/37099 , H01L2224/37118 , H01L2224/37124 , H01L2224/37139 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/376 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84203 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091

25. 发明专利

JP2016096172A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016096172A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014229486
申请日：2014-11-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 石橋秀俊 , 菊池正雄 , 柳本辰則
IPC分类号： B23K20/10 , H01L21/607 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/32225 , H01L2224/83205 , H01L23/3735
摘要：【課題】本発明は、電極端子と接合対象物とをより強固な接合強度で接合し、かつ接合後に接合部を外観から観察することができる半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、接合対象物と、接合対象物に接合された電極端子3と、を備え、電極端子3と接合対象物とは、接合に供される接合面3jにおいて超音波接合されており、電極端子3は少なくとも2方を接合面3jに囲まれた貫通した肉抜き部を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以更高的接合强度在电极端子和被接合物体之间接合的半导体器件及其制造方法，并且能够在接合之后从外观观察接合部分。解决方案：半导体器件包括接合物体和与接合物接合的电极端子3。电极端子3和接合对象被超声波接合在用于接合的接合面3j上。电极端子3包括至少在两侧由接合表面3j包围的穿透性减薄部分。选择的图示：图1

26. 发明专利

JP2015142063A パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法有权
标题翻译：电源模块和制造电源模块的方法
公开(公告)号：JP2015142063A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015100
申请日：2014-01-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：藤野純司 , 石原三紀夫 , 鹿野武敏 , 吉松直樹 , 米田裕 , 小川翔平 , 坂元創一
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
摘要：【課題】電極板の接合工期を短くするとともに、パワー半導体素子への接合の際のダメージを抑制し、パワー半導体素子と電極板との接続部に生じる熱応力が軽減できるパワーモジュールを得ることを目的とする。【解決手段】本発明のパワーモジュール50は、絶縁基板(セラミック基板2)に搭載されたパワー半導体素子1と、パワー半導体素子1の上方に配置された電極板7と、パワー半導体素子1の主電極11と電極板7との間に配置された金属箔(クラッドリボン3)を備え、金属箔(クラッドリボン3)は、平板状であり、当該金属箔(クラッドリボン3)の裏面が主電極11に超音波接合され、電極板7は、金属箔(クラッドリボン3)の表面に、接合材(はんだ8)により接合されたことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种功率模块，其能够通过抑制接合时的功率半导体元件的损伤而减少在功率半导体元件和电极板的连接处产生的热应力，同时缩短电极的接合作业时间电源模块50包括安装在绝缘基板（陶瓷基板2）上的功率半导体元件1，布置在功率半导体元件1上方的电极板7和布置在主电源元件1之间的金属箔（包覆带3）功率半导体元件1的电极11和电极板7.金属箔（包覆带3）是平面的，金属箔（包覆带3）的后表面经受与主电极11的超音速结合，并且电极板7通过接合材料（焊料8）与金属箔（包覆带3）的表面接合。

27. 发明专利

JP5693395B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5693395B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2011136859
申请日：2011-06-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：須藤進吾 , 米田裕 , 重和良
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12 , H01L23/36
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19107

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