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21. 发明专利

JP2017095303A 層状シリコン複合材料、その製造方法及び金属の析出方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017095303A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2015228647
申请日：2015-11-24
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：大橋雅卓 , 中野秀之
IPC分类号： C22B5/14 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/10 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C5/02 , C22C7/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C28/00 , C01B33/04
摘要：【課題】層状シリコン複合材料の金属粒子の分散性をより高める。【解決手段】水素基を有し2次元方向に周期的に配列したシリコン原子がSi−Si結合により互いに結合した2次元のシリコン原子層を含む層状シリコン化合物と、イオン状態において水素よりも高い標準酸化還元電位を示す金属を1以上含む金属塩とを無溶媒又は溶媒を含む溶液中で反応させ、層状シリコン複合材料を製造する。【選択図】図1

22. 发明专利

JP2016216309A Ca−Ge−F系化合物、複合材料、及び半導体审中-公开
标题翻译：基于钙的Ge-F-化合物，复合材料，和半导体
公开(公告)号：JP2016216309A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015103835
申请日：2015-05-21
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：八百川律子 , 中野秀之 , 大砂哲
IPC分类号： C01G17/00
摘要：【課題】新規なCaGe 2 F x 化合物を含むCa−Ge−F系化合物、並びに、これを用いた複合材料、及び半導体を提供すること。【解決手段】Ca−Ge−F系化合物は、組成式:CaGe 2 F x (0

2F
x 化合物)を含み、前記CaGe
2 F
x 化合物は、1〜6原子層のGe層と、1〜6原子層のCaF
2 層とが交互に積層した積層構造を備えている。複合材料は、少なくとも表面がGe(111)面、Si(111)面、又は、CaF
2 (111)面からなる基板と、前記基板上に合成されたCa−Ge−F系化合物とを備えている。このようなCa−Ge−F系化合物は、CaGe
2 中にフッ素を拡散させることにより得られる。得られたCa−Ge−F系化合物、及び複合材料は、半導体として用いることができる。
【選択図】図4
摘要翻译：含有新CaGe2Fx化合物基于CA的Ge的F-化合物，以及，复合材料使用相同的，并提供一种半导体。基于CA的葛-F-化合物，组成式：具有由表示的组成CaGe2Fx化合物（0

23. 发明专利

JP2016154086A 配位構造体及び蓄電デバイス审中-公开
标题翻译：协调结构和电力存储设备
公开(公告)号：JP2016154086A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2015031478
申请日：2015-02-20
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：熊谷等 , 中野秀之
IPC分类号： H01M4/60
摘要：【課題】アニオンを吸蔵放出する新規の配位構造体及び蓄電デバイスを提供する。【解決手段】本発明の蓄電デバイスは、正極と、配位構造体を含む負極と、正極と負極との間に介在しアニオンを伝導するイオン伝導媒体と、を備え、アニオンの移動により充放電するものである。この配位構造体は、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ag及びCdから選ばれる1以上の金属イオンと、窒素を含み金属イオンに配位する2以上の非イオン性配位部位を有する有機化合物と、を含み、金属イオンに有機化合物が配位した繰返し構造を備え、繰返し構造内にアニオンを吸蔵及び放出するものである。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供封闭和释放阴离子的新颖的配位结构和蓄电装置。解决方案：一种蓄电装置，包括正极，包括配位结构的负极和插入的离子传导介质在正极和负极之间并且导电阴离子; 并通过移动阴离子进行充电/放电。该配位结构包括重复结构，其包括选自Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ag和Cd中的一种或多种金属离子，以及具有两个或更多个非离子表面活性剂的有机化合物，含有氮并在金属离子中配位的离子配位部分，其中有机化合物在金属离子中配位; 并在重复结构中封闭和释放阴离子。选择图：无

24. 发明专利

JP2016094316A 層状シリコン炭素複合体の製造方法、層状シリコン炭素複合体、電極及び蓄電デバイス审中-公开
标题翻译：生产层状硅碳复合材料的方法，层状硅碳复合材料，电极和电储存装置
公开(公告)号：JP2016094316A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014232044
申请日：2014-11-14
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：大橋雅卓 , 中野秀之
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/36 , H01G11/30 , H01G11/24 , H01G11/86 , C01B33/04
摘要：【課題】層状シリコン炭素複合体をより容易に製造する。【解決手段】本発明の層状シリコン炭素複合体の製造方法は、シリコン合金と糖化合物と酸とを混合する混合工程を含む。混合工程では、シリコン合金と糖化合物とを酸水溶液中で撹拌することが好ましい。シリコン合金としては、例えば、二ケイ化カルシウム(CaSi 2 )などを好適に用いることができる。糖化合物としては、例えば、スクロースなどを好適に用いることができる。酸としては、塩酸を好適に用いることができる。こうした混合工程では、層状シリコンの合成及び、層状シリコンと炭素との複合化が生じる、つまり、一段階反応で、層状シリコン炭素複合体が得られると考えられる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：更容易制造层状硅 - 碳复合材料。本发明的层状硅 - 碳复合材料的制造方法包括将硅合金，糖化合物和酸混合的混合工序。在混合步骤中，硅化合物和糖化合物优选在酸性溶液中搅拌。作为硅合金，例如可以适当使用硅化钙（CaSi）等。作为糖化合物，例如可以适当使用蔗糖。作为酸，可适当使用盐酸。在这种混合步骤中，出现层状硅的合成和层状硅和碳的混合。也就是说，认为通过一步反应获得层状硅 - 碳复合材料。选择图：无

25. 发明专利

JP5756781B2 シリコン複合体及びその製造方法と負極活物質及び非水系二次電池有权
标题翻译：硅组合物及其制造方法和负电极活性材料和非水系二次电池
公开(公告)号：JP5756781B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2012107260
申请日：2012-05-09
申请人：株式会社豊田自動織機 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：杉山佑介 , 毛利敬史 , 村瀬正和 , 中野秀之
IPC分类号： C01B33/32 , H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/58 , C01B33/02

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