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    • 27. 发明申请
    • SPATIALLY MODULATED PHOTODETECTORS
    • 空间调制光电二极管
    • WO2004044993A3
    • 2004-07-08
    • PCT/US0333301
    • 2003-10-21
    • ELANTEC SEMICONDUCTOR INCRUBIN MARK EZHAO YANG
    • RUBIN MARK EZHAO YANG
    • H01L27/144H01L31/00H01L31/101
    • H01L31/02164H01L27/1446
    • A photodetector includes a first conductivity type semiconductor material (e.g., a p-type material) and one or more regions of semiconductor material of a second conductivity type (e.g., regions of n-type material), each forming a pn junction with the first conductivity type semiconductor material. The one or more regions collectively have a first layout area. One or more further regions of semiconductor material of the second conductivity type (e.g., further regions of n-type material) each form a pn junction with the first conductivity type semiconductor material. The one or more further regions collectively having a second layout area. A light blocking material covers the one or more further regions. The first layout area is greater than the second layout area.
    • 光电检测器包括第一导电类型半导体材料(例如,p型材料)和第二导电类型的半导体材料的一个或多个区域(例如,n型材料的区域),每个区域形成与第一导电类型的pn结 导电型半导体材料。 一个或多个区域共同具有第一布局区域。 第二导电类型的半导体材料的一个或多个其它区域(例如,n型材料的其它区域)各自与第一导电类型半导体材料形成pn结。 一个或多个另外的区域共同具有第二布局区域。 遮光材料覆盖一个或多个其它区域。 第一布局面积大于第二布局面积。
    • 28. 发明申请
    • SPATIALLY MODULATED PHOTODETECTORS
    • 空间调制的光电探测器
    • WO2004044993A2
    • 2004-05-27
    • PCT/US2003/033301
    • 2003-10-21
    • ELANTEC SEMICONDUCTOR, INC.RUBIN, Mark, E.ZHAO, Yang
    • RUBIN, Mark, E.ZHAO, Yang
    • H01L31/00
    • H01L31/02164H01L27/1446
    • A photodetector includes a first conductivity type semiconductor material (e.g., a p-type material) and one or more regions of semiconductor material of a second conductivity type (e.g., regions of n-type material), each forming a pn junction with the first conductivity type semiconductor material. The one or more regions collectively have a first layout area. One or more further regions of semiconductor material of the second conductivity type (e.g., further regions of n-type material) each form a pn junction with the first conductivity type semiconductor material. The one or more further regions collectively having a second layout area. A light blocking material covers the one or more further regions. The first layout area is greater than the second layout area.
    • 光电探测器包括第一导电类型的半导体材料(例如,p型材料)和第二导电类型的半导体材料的一个或多个区域(例如,n型材料的区域), 每个与第一导电类型半导体材料形成pn结。 一个或多个区域共同具有第一布局区域。 第二导电类型的半导体材料的一个或多个其他区域(例如,n型材料的其他区域)各自与第一导电类型半导体材料形成pn结。 一个或多个另外的区域共同具有第二布局区域。 遮光材料覆盖一个或多个其他区域。 第一个布局区域大于第二个布局区域。