专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明申请

WO2008119329A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR REINIGUNG VON SCHMELZEN, INSBESONDERE VON SILIZIUMSCHMELZEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备清洗融化，尤其是硅熔
公开(公告)号：WO2008119329A2
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/DE2008/000518
申请日：2008-03-28
申请人： SOLMIC GMBH , FATH, Peter , MOZER, Albrecht , STADLER, Maximilian
发明人： FATH, Peter , MOZER, Albrecht , STADLER, Maximilian
CPC分类号： C22B9/05 , C01B33/037 , C22B61/00
摘要： Verfahren zur Schmelzereinigung mit Verfahrensschritten des Zuführens (10) mindestens eines Reaktionspartners, welcher mit wenigstens einer in der Schmelze (36) vorhandenen Verunreinigung derart reagiert, dass diese in eine gasförmige Verbindung (44) überführt wird, und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens.
摘要翻译：与供给其与在熔体中的至少一个（36）反应（10）的至少一个反应伙伴的工艺步骤现有污染，使得它变成气态化合物（44）被转移，以及用于执行该方法的设备用于熔融纯化的方法。

22. 发明申请

WO2008089733A2 ÄTZLÖSUNG UND ÄTZVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：蚀刻液和蚀刻
公开(公告)号：WO2008089733A2
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/DE2008/000099
申请日：2008-01-22
申请人： GP SOLAR GMBH , FATH, Peter , MELNYK, Ihor
发明人： FATH, Peter , MELNYK, Ihor
CPC分类号： C09K3/1463 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/30604 , H01L21/31111
摘要： Ätzlösung (1), aufweisend Wasser, Salpetersäure, Flusssäure, und Schwefelsäure, welche 15 bis 40 Gewichtsprozent Salpetersäure, 10 bis 41 Gewichtsprozent Schwefelsäure und 0,8 bis 2,0 Gewichtsprozent Flusssäure enthält, Verwendung dieser Ätzlösung zum Ätzen von Silizium sowie Ätzverfahren für Siliziumscheiben.
摘要翻译：蚀刻溶液（1），其包括水，硝酸，氢氟酸，和硫酸，其中含有按重量计的硝酸15％至40％，10-41重量％的硫酸和0.8〜2.0重量％的氢氟酸，使用该蚀刻液的硅和蚀刻方法的硅晶片蚀刻，

23. 发明申请

WO2007082760A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT UNTERSCHIEDLICH STARK DOTIERTEN BEREICHEN 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有不同的重掺杂区的半导体元件
公开(公告)号：WO2007082760A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/EP2007/000463
申请日：2007-01-19
申请人： GP SOLAR GMBH , FATH, Peter , MELNYK, Ihor
发明人： FATH, Peter , MELNYK, Ihor
IPC分类号： H01L21/225 , H01L27/142 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (74; 140), insbesondere einer Solarzelle (140), mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen (70, 72; 120, 122) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (2; 14) einer die Diffusion eines Dotierstoffes hemmenden und für einen Dotierstoff durchdringbaren Schicht (58; 108) auf zumindest einem Teil (56; 106) der Oberfläche eines Halbleiterbauelementmaterials (50; 100), des wenigstens teilweises Entfernens (4;16a, 16b) der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) in wenigstens einem Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b), des Ausbildens (6; 18) einer Dotierstoff quelle (66; 116) auf der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) und in dem wenigstens einen Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b) und der Diffusion (8; 20) des Dotierstoffes aus der Dotierstoff quelle (66; 116) in das Halbleiterbauelementmaterial (50; 100) sowie dessen Ver wendung in integrierten Schaltungen, elektronischen Schaltungen, Solarzellenmodulen und zur Herstellung von Solarzellen (140) mit selektiver Emitterstruktur.
摘要翻译：，特别是具有不同的重掺杂区域的太阳能电池（140）;包括在形成步骤（2; 14）;用于制造半导体设备（140 74）的方法（70，72 120，122）的抑制掺杂物的扩散和上的至少一部分;半导体器件材料的表面;掺杂剂可穿透层（108 58）（56 106）（50; 100），所述至少部分地去除（4; 16A，16B）的抑制扩散层（58; 108）的至少一个的抑制扩散层（58; 108）上;一个掺杂剂源（116 66）的高掺杂区（62; 112A，112B），形成（18 6）和在所述至少一个高掺杂区（62; 112A，112B）和扩散（ 8; 116）（在半导体装置材料50; 100）和在集成电路，电子电路及其应用版本，太阳能电池模块和Herstellun 20）从所述掺杂剂源（66中的掺杂剂的克太阳能电池（140）具有选择性发射极结构的。

24. 发明申请

WO2002025743A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE UND NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE SOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2002025743A3
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/DE2001/003535
申请日：2001-09-13
申请人： UNIVERSITÄT KONSTANZ , FATH, Peter , KRESS, André
发明人： FATH, Peter , KRESS, André
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, daß sowohl bei konventionellen als auch bei neuartigen kristallinen Siliziumsolarzellen das Problem der elektrischen Isolation p- und n-leitender Dotierschichten auftritt. Mit der vorliegenden Erfindung wird dies in einfacher und eleganter Art und Weise gelöst. Auf zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates wird lokal eine Maskierpaste aufgebracht und anschließend getrocknet. In Folge wird eine Dotierstoffdiffusion durchgeführt wobei der Leitungstyp des Dotierstoffes entgegengesetzt zu der der Grunddotierung des kristallinen Siliziumsubstrates ist. In einem der folgenden Herstellungsschritte der Solarzelle werden die elektrischen Kontakte so aufgebracht, daß zumindest ein Teil der Kontakte durch die Maskierpaste elektrisch von Rest der Kontakte getrennt wird. Die Maskierpaste erlaubt also eine elektrische Trennung der beiden externen Kontakte einer Solarzelle indem die Eindiffusion eines Dotierstoffes durch ebendiese Paste verhindert wird. Andere Verfahren, die zum Ergebnis führen sind wesentlich komplizierter und teurer in der Anwendung.

25. 发明申请

WO2008119331A2 CARBOTHERMISCHES REDUKTIONSVERFAHREN UND VORRICHTUNG ZU DESSEN DURCHFÜHRUNG 审中-公开
标题翻译：其实施卡博热还原法和设备
公开(公告)号：WO2008119331A2
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/DE2008/000520
申请日：2008-03-28
申请人： SOLMIC GMBH , FATH, Peter , MOZER, Albrecht , STADLER, Maximilian
发明人： FATH, Peter , MOZER, Albrecht , STADLER, Maximilian
IPC分类号： B01J19/08 , C01B33/025
CPC分类号： C01B33/025
摘要： Carbothermisches Reduktionsverfahren, bei welchem aus einem ersten Edukt und Kohlenstoff mittels carbothermischer Reduktion in einem Tiegel (30) ein Produkt gewonnen wird, wobei während der carbothermischen Reduktion wenigstens zeitweise einem in dem Tiegel (30) befindlichen Materialgemenge (36) mindestens ein Reaktionspartner zugeführt wird (10), welcher mit wenigstens einer in dem ersten Edukt (36) oder dem Kohlenstoff (36) vorhandenen Verunreinigung derart reagiert, dass diese in eine gasförmige Verbindung (44) überführt wird sowie Vorrichtungen zur Durchführung dieses Verfahrens.
摘要翻译：碳热还原过程，其中，在坩埚（30）的第一反应物和碳碳热还原的产物被回收，其中，在位于所述碳热还原至少临时形成在坩埚（30）母料（36）被供给到至少一个反应物（ 10），其（与至少一个（在第一反应物36）或现有的36）杂质的碳以这样的方式，该反应（在气态化合物44）被传送，以及用于执行此方法的设备。

26. 发明申请

WO2008055518A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON VERSENKTEN KONTAKTSTRUKTUREN IN EINEM SILICIUMWAFER FÜR SOLARZELLEN UND SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：用于生产沉没的接触结构在硅晶片太阳能电池和太阳能电池
公开(公告)号：WO2008055518A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：PCT/EP2006/010635
申请日：2006-11-07
申请人： GP SOLAR GMBH , MCCANN, Michelle , STRUEMPEL, Claudia , KNAUSS, Holger , LEMP, Engelbert , FATH, Peter
发明人： MCCANN, Michelle , STRUEMPEL, Claudia , KNAUSS, Holger , LEMP, Engelbert , FATH, Peter
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/74
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von versenkten Kontaktstrukturen in einem Siliciumwafer für Solarzellen. Um ein Verfahren zur Herstellung von versenkten Kontaktstrukturen in einem Siliciumwafer für Solarzellen bereitzustellen, das auf fertigungstechnisch einfache und damit kostengünstige Weise durchgeführt werden kann und die Herstellung von Solarzellen mit einem höheren Wirkungsgrad erlaubt, wird vorgeschlagen, dass das Verfahren die nachfolgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Einbringen eines Grabens mit einer Breite b und mit einer Tiefe t in eine Oberfläche einer Vorderseite des Siliciumwafers unter einem Winkel alpha zur Normalen der Oberfläche; b) Maskieren der bei senkrechter Draufsicht auf die Vorderseite sichtbaren Bereiche der Oberfläche des Siliciumwafers durch Ablagerung einer elektrisch nichtleitenden Schicht mittels gerichteter Abscheidung; c) Einbringen von elektrisch leitfähigem Material in den Graben.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在用于太阳能电池的硅晶片浸没接触结构的方法。为了在用于可在制造技术上简单，因此价格低廉的方式进行的太阳能电池的硅晶片的制备埋头接触结构提供方法，以及太阳能电池的制造中可以允许有较高的效率，所以建议的方法包括以下步骤：a）引入沟槽具有宽度b和以相对于表面法线的角度α的硅晶片的前侧的表面的深度t; B）掩蔽在通过沉积由定向沉积的装置的一个非导电层的硅晶片的表面的部分的垂直平面图中的前侧的可见; c）将导电材料到所述沟槽。

27. 发明申请

WO2007079789A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLARTAUGLICHEN SILIZIUMS 审中-公开
标题翻译：用于生产太阳能级硅
公开(公告)号：WO2007079789A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/EP2006/007885
申请日：2006-08-09
申请人： SCHEUTEN SOLAR HOLDING BV , FATH, Peter , MOZER, Albrecht
发明人： FATH, Peter , MOZER, Albrecht
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/02 , C01B33/021 , C01B33/025 , B22D27/04 , H01L31/00 , C30B11/00
CPC分类号： H01L31/1804 , C30B11/00 , C30B29/06 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Verfahren zur Herstellung von solartauglichem Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte des Aufschmelzens von Silizium und des gerichteten Erstarrens der Schmelze, wobei bei dem gerichteten Erstarren eine Kristallisationsfront ausgebildet wird, welche die Form wenigstens eines Abschnittes einer Kugeloberfläche aufweist.
摘要翻译：一种用于生产太阳能级硅的方法，包括硅的熔化和熔融物的定向固化的步骤，由此所述定向凝固，其具有球形表面的至少一个部分的形式过程中形成的结晶前处理。

28. 发明申请

WO9948136A3 SOLAR CELL ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：太阳能电池结构
公开(公告)号：WO9948136A3
公开(公告)日：1999-11-11
申请号：PCT/DE9900728
申请日：1999-03-14
申请人： KELLER STEFFEN , FATH PETER , WILLEKE GERHARD
发明人： KELLER STEFFEN , FATH PETER , WILLEKE GERHARD
IPC分类号： H01L31/04 , H01L20060101 , H01L21/00 , H01L27/142 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035281 , B64G1/443 , H01L31/022441 , H01L31/022458 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y10S439/954
摘要： The invention relates to a solar cell arrangement consisting of series-connected solar subcells. Said solar subcells consist of a semiconductor wafer which forms a common base material for all of the solar subcells and wherein a number of recesses are provided for delimiting the individual, series-connected solar subcells. The invention is characterised in that at least some of the recesses extend from the top surface of the semiconductor wafer, through the wafer itself to the bottom surface and in that at most some bridge segments are left in continuation of the recesses as far as the wafer edge, to mechanically interconnect the solar subcells.
摘要翻译：公开的是从形成一个共同的基体材料为所有太阳能子电池，并且其中设置在所述个体的划界多个凹部，在相互连接的系列太阳能子电池的半导体晶片形成串联连接的太阳能子电池的Solarzellenanordung。这是其特征在于，至少一些所述半导体晶片的上表面的凹部的底面其通过晶片和最大一些桥段的延伸的留在凹部，以在晶片边缘的延续，以机械此，太阳能子电池彼此连接。

29. 发明申请

WO9505008A3 FLAT COMPONENT WITH A GRID OF THROUGH HOLES 审中-公开
标题翻译：具有通孔的平板组件
公开(公告)号：WO9505008A3
公开(公告)日：1995-03-30
申请号：PCT/DE9400860
申请日：1994-07-25
申请人： WILLEKE GERHARD , FATH PETER
发明人： WILLEKE GERHARD , FATH PETER
IPC分类号： B01D29/01 , B01D39/12 , B01D46/12 , B01J19/00 , B01J35/04 , F28F3/04 , F28F13/02 , H01L21/304 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/047 , H01L31/18 , H01L31/236
CPC分类号： F28F3/048 , B01D29/012 , B01D29/031 , B01D29/07 , B01D39/12 , B01D46/12 , B01J19/0093 , B01J35/04 , B01J2219/00783 , B01J2219/00828 , B01J2219/00835 , B01J2219/00873 , F28F13/02 , F28F2260/02 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/047 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y10S438/959 , H01L2924/00
摘要： The V-shaped grooves are so formed that those of both dive sides enclose w.r.t. each other an angle. They are so deep that at intersections of front and rear side grooves automatically the through bores are formed. The grooves are pref. formed mechanically by a saw blade rotated at a high speed. Alternately a cylindrical, metal base body with negative profiles w.r.t. the grooves, coated with an abrasion agent, is rotated at high speed for the groove cutting. The base body may contain a non-metallic cylindrical case.

30. 发明申请

WO2009082780A1 A METHOD OF SELECTIVELY DOPING A SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR FABRICATING A SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：选择用于制造太阳能电池的半导体材料的方法
公开(公告)号：WO2009082780A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/AU2008/001912
申请日：2008-12-24
申请人： BLUE HIMMEL SOLAR PTY LTD , MCCANN, Michelle , FATH, Peter
发明人： MCCANN, Michelle , FATH, Peter
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： The present disclosure provides a method of selectively doping a semiconductor material for fabricating a solar cell. The method comprises forming at least one angled groove in the semiconductor material and forming a diffusion barrier on the semiconductor material. The diffusion barrier comprises a diffusion barrier material that is selected so that diffusing of a dopant material through the diffusion barrier is reduced. The method also comprises doping the semiconductor material by exposing the semiconductor material to the dopant material in a manner such that a region of the semiconductor material that is covered by the diffusion barrier has a predetermined first dopant concentration. In addition, the method comprises forming an electrical contact within the at least one angled groove after exposing the semiconductor material to the dopant material. The method is conducted so that a surface area of the semiconductor material within the at least one groove is substantially free from diffusion barrier material and has a second dopant concentration that is higher than the first dopant concentration.
摘要翻译：本公开提供了选择性掺杂用于制造太阳能电池的半导体材料的方法。该方法包括在半导体材料中形成至少一个成角度的沟槽并在半导体材料上形成扩散阻挡层。扩散阻挡层包括扩散阻挡材料，其被选择为使得掺杂剂材料通过扩散阻挡层的扩散减小。该方法还包括通过以使得被扩散阻挡层覆盖的半导体材料的区域具有预定的第一掺杂剂浓度的方式将半导体材料暴露于掺杂剂材料来掺杂半导体材料。此外，该方法包括在将半导体材料暴露于掺杂剂材料之后，在至少一个成角度的凹槽内形成电接触。进行该方法使得至少一个沟槽内的半导体材料的表面积基本上没有扩散阻挡材料，并且具有高于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式