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    • 21. 发明公开
    • 엘이디 점등장치용 컨버터
    • LED灯具照明设备转换器
    • KR1020130049952A
    • 2013-05-15
    • KR1020110115026
    • 2011-11-07
    • 주식회사 은성
    • 정세진정민채
    • H05B37/03H05B37/02
    • H05B33/083H05B33/0815H05B33/0827H05B33/0884H05B37/03
    • PURPOSE: A converter for an LED lamp lighting apparatus is provided to light an LED lamp using an alternating current voltage of 220V or 110V. CONSTITUTION: A rectifying circuit unit(11) converts alternating current power(1) into direct current power(3). A delay short circuit unit(13) delays the direct current power for a fixed time interval and outputs the direct current power. An overvoltage detection circuit unit(15) sends a signal to a control circuit unit(20) in case overvoltage is detected in outputted power. An overcurrent detection circuit unit(17) sends a signal to the control circuit unit in case overcurrent is detected in the outputted power. The control circuit unit includes an FET(Field Effect Transistor)(21) and an oscillation circuit(23). The FET controls a current flowing in the LED lamp by being connected to a load of an LED lamp(6). The oscillation circuit controls the current of the FET using a high frequency signal. A control power unit(25) supplies power to the delay short circuit unit, the overvoltage detection circuit unit, the overcurrent detection circuit unit, and the control circuit unit. A condenser(27) uniformly maintains power supplied to a light emitting unit(5) and improves light emission of the light emitting unit.
    • 目的:提供一种用于LED灯照明装置的转换器,以使用220V或110V的交流电压来点亮LED灯。 整流电路单元(11)将交流电(1)转换为直流电(3)。 延迟短路单元(13)将固定时间间隔的直流功率延迟并输出直流电力。 过电压检测电路单元(15)在输出功率检测到过电压的情况下向控制电路单元(20)发送信号。 过电流检测电路单元(17)在输出功率检测到过电流的情况下向控制电路单元发送信号。 控制电路单元包括FET(场效应晶体管)(21)和振荡电路(23)。 FET通过连接到LED灯(6)的负载来控制在LED灯中流动的电流。 振荡电路使用高频信号控制FET的电流。 控制电源单元(25)向延迟短路单元,过电压检测电路单元,过电流检测电路单元和控制电路单元供电。 冷凝器(27)均匀地保持供应给发光单元(5)的功率并改善发光单元的发光。
    • 23. 发明授权
    • 대면적이 가능한 염료감응형 태양전지
    • 大面积染料敏化太阳能电池
    • KR100984080B1
    • 2010-09-30
    • KR1020080108252
    • 2008-11-03
    • 주식회사 은성
    • 정세진정민채정채원김광현김수홍조성혁
    • H01L31/04
    • Y02E10/542Y02P70/521
    • 본 발명은 대면적이 가능한 염료감응형 태양전지에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자의 이동통로 역할을 하는 두 개의 전도성물질층을 사용함으로써 대면적으로 구현할 수 있는 염료 감응형 태양전지에 관한 것이다.
      본 발명에 따른 대면적이 가능한 염료감응형 태양전지는 제1기판과, 제2기판과, 제1전도성물질층과, 제1투광층과, 제2전도성물질층과, 제2투광층과, 염료가 형성된 다공질 전극층과, 전해질층을 포함한다. 상기 제2기판은 상기 제1기판과 일정한 거리 이격하여 위치하며 태양광을 투광시킬 수 있는 투명한 기판이다. 상기 제1전도성물질층은 상기 제1기판의 일면에 형성된다. 상기 제1투광층은 상기 제1전도성물질층의 일면에 FTO(Fluorine-droped tin oxide) 박막을 증착하여 형성된다. 상기 제2전도성물질층은 상기 제2기판의 일면에 그물망 형태로 형성된다. 상기 제2투광층은 상기 제2전도성물질층의 일면에 FTO(Fluorine-droped tin oxide) 박막을 증착하여 형성된다. 상기 다공질 전극층은 상기 제2투광층의 일면에 형성된다. 상기 전해질층은 상기 제1투광층과 상기 다공질 전극층 사이에 형성된다.
      태양전지, 염료감응, 대면적
    • 24. 发明公开
    • 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정
    • 包含磺化聚合物的水溶性光聚合物,超紫外线固化剂和溶剂,有机薄膜光刻方法和使用其的有机薄膜图案方法
    • KR1020050023973A
    • 2005-03-10
    • KR1020030061761
    • 2003-09-04
    • 주식회사 은성송정근
    • 송정근김광현
    • G03F7/027
    • PURPOSE: Provided are a photoresist having good solubility in water, an organic thin film photolithography process, and an organic thin film patterning process using the same which do not give any damages on an organic activated layer and are applicable to all organic TFT. CONSTITUTION: The water-soluble photoresist comprises one or more polymer selected from the group consisting of sulfur oxide of polyaniline, PVA, PEDOT and polypyrrole; a photoinitiator and an ultraviolet ray curing agent comprised of a monomer and an oligomer; and one or more solvent material selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, n-butanol, n-dimethylacetamide and tetrahydrofuran. The photolithography process comprises the steps of: applying the water-soluble photoresist(6) by spin-coating; depositing a photomask(11) on the photoresist(6) and selectively exposing a desired portion of the photoresist(6) to an ultraviolet ray; and developing the exposed photoresist(6) using water or isopropyl alcohol. Post-photolithography process, the unwanted portion of an organic thin film(5), an inorganic thin film or a metallic thin film is removed via an etching step to form a pattern of the organic thin film(5).
    • 目的:提供在水中具有良好的溶解性的光致抗蚀剂,有机薄膜光刻工艺和使用该光致抗蚀剂的有机薄膜图案化方法,其不会对有机活化层产生任何损害并且适用于所有有机TFT。 构成:水溶性光致抗蚀剂包含一种或多种选自聚苯胺,PVA,PEDOT和聚吡咯的硫氧化物的聚合物; 光引发剂和由单体和低聚物组成的紫外线固化剂; 和一种或多种选自N-甲基-2-吡咯烷酮,正丁醇,正二甲基乙酰胺和四氢呋喃的溶剂材料。 光刻工艺包括以下步骤:通过旋涂来涂覆水溶性光致抗蚀剂(6); 在光致抗蚀剂(6)上沉积光掩模(11)并选择性地将光致抗蚀剂(6)的所需部分暴露于紫外线; 并使用水或异丙醇显影曝光的光致抗蚀剂(6)。 后光刻工艺,通过蚀刻步骤去除有机薄膜(5),无机薄膜或金属薄膜的不希望的部分以形成有机薄膜(5)的图案。