专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TWI470864B 用於電化學電池芯的六硼化鈣陽極有权
简体标题：用于电化学电池芯的六硼化钙阳极
公开(公告)号：TWI470864B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100137921
申请日：2011-10-19
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：陳聲威 , CHEN, SUNG-WEI
IPC分类号： H01M4/58 , H01M4/24 , H01M10/24
CPC分类号： H01M12/06 , H01M4/366 , H01M4/58 , H01M4/86 , H01M10/24 , H01M2220/20 , Y02E60/124 , Y02P70/54 , Y10T29/49108

22. 发明专利

TW201502497A 用於標記及檢測石墨烯層之缺陷的方法及系統审中-公开
简体标题：用于标记及检测石墨烯层之缺陷的方法及系统
公开(公告)号：TW201502497A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103113577
申请日：2014-04-14
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：亞格湯瑪士A , YAGER, THOMAS A. , 米勒賽思艾德里安 , MILLER, SETH ADRIAN
IPC分类号： G01N21/91
CPC分类号： G01N21/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , G01N21/64 , G01N21/77 , G01N21/8422 , G01N21/91 , G01N2021/8433
摘要：本發明係有關可用於標記及識別石墨烯層之一或多個缺陷的螢光團或其他指示劑，其附著於該石墨烯層之一或多個缺陷而非其他區域。一具有一表面至少部分地以該石墨烯層覆蓋之基材可與該螢光團接觸，因此該螢光團選擇性地與該一或多個缺陷露出之下伏基材之表面之一或多個區域結合。可藉由將該基材暴露於輻射而識別該一或多個缺陷。該螢光團由於該輻射而檢測到的螢光反應可識別該一或多個缺陷。
简体摘要：本发明系有关可用于标记及识别石墨烯层之一或多个缺陷的萤光团或其他指示剂，其附着于该石墨烯层之一或多个缺陷而非其他区域。一具有一表面至少部分地以该石墨烯层覆盖之基材可与该萤光团接触，因此该萤光团选择性地与该一或多个缺陷露出之下伏基材之表面之一或多个区域结合。可借由将该基材暴露于辐射而识别该一或多个缺陷。该萤光团由于该辐射而检测到的萤光反应可识别该一或多个缺陷。

23. 发明专利

TW201443784A 負載均衡方案审中-公开
简体标题：负载均衡方案
公开(公告)号：TW201443784A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102146750
申请日：2013-12-17
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：倉林修一 , KURABAYASHI, SHUICHI
IPC分类号： G06F9/46 , G06F9/50
CPC分类号： G06F9/5083 , G06F9/505 , G06F17/30132 , G06F17/30902 , G06F2212/45 , H04L67/1002 , H04L67/1008 , H04L67/2842 , H04L69/12
摘要：本發明大體而言描述用於在代管一行動器件之一雲端運算環境中進行負載均衡方案之技術。在一些實例中，一種負載均衡器可包括：多個請求處理單元，該多個請求處理單元中之每一者包含連接至至少一應用程式伺服器及至少一快取伺服器之一網路通訊端，及經組態以處理來自該至少一應用程式伺服器中之一者的一快取請求的一可程式化處理器；一效能檢查單元，其經組態以量測該等可程式化處理器之處理負載；及一處理器管理單元，其經組態以藉由在該等可程式化處理器中之至少一者中寫入或刪除一負載均衡程式來調整該等處理負載。
简体摘要：本发明大体而言描述用于在代管一行动器件之一云端运算环境中进行负载均衡方案之技术。在一些实例中，一种负载均衡器可包括：多个请求处理单元，该多个请求处理单元中之每一者包含连接至至少一应用进程服务器及至少一缓存服务器之一网络通信端，及经组态以处理来自该至少一应用进程服务器中之一者的一缓存请求的一可进程化处理器；一性能检查单元，其经组态以量测该等可进程化处理器之处理负载；及一处理器管理单元，其经组态以借由在该等可进程化处理器中之至少一者中写入或删除一负载均衡进程来调整该等处理负载。

24. 发明专利

TW201439276A 混合奈米粒子和使用該混合奈米粒子的照明裝置审中-公开
简体标题：混合奈米粒子和使用该混合奈米粒子的照明设备
公开(公告)号：TW201439276A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103102967
申请日：2014-01-27
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：羽山秀和 , HAYAMA, HIDEKAZU
IPC分类号： C09K11/06
CPC分类号： G02B6/0065 , C07F7/02 , C07F15/0033 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1088 , G02B6/0035 , G02B6/0041 , G02B6/0055 , G02F2001/133614
摘要：茲揭示混合奈米粒子及使用該混合奈米粒子的透明光導。在一些實例中，混合奈米粒子可以包括有機發藍光材料及結合於該有機發藍光材料的無機材料。
简体摘要：兹揭示混合奈米粒子及使用该混合奈米粒子的透明光导。在一些实例中，混合奈米粒子可以包括有机发蓝光材料及结合于该有机发蓝光材料的无机材料。

25. 发明专利

TWI451484B 在半導體晶圓上覆蓋薄膜的裝置和方法，及處理半導體晶圓的方法有权
简体标题：在半导体晶圆上覆盖薄膜的设备和方法，及处理半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI451484B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW099135191
申请日：2010-10-15
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：貝克弗洛里安 , BIECK, FLORIAN
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/31 , H01L21/67132 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/11 , H01L2224/13 , H01L2924/1461 , Y10T156/12 , H01L2924/00

26. 发明专利

TW201429310A 包含無機成分之顯示裝置及其製造與使用方法审中-公开
简体标题：包含无机成分之显示设备及其制造与使用方法
公开(公告)号：TW201429310A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102141684
申请日：2013-11-15
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：楠浦崇央 , KUSUURA, TAKAHISA
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/14 , G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/133602 , G02F2201/44
摘要：茲揭示顯示裝置和用於製作顯示裝置的複合體。一些具體實施例包括的顯示裝置具有無機電致發光層、主動矩陣層、無機偏光層、液晶層及彩色濾光層。一些具體實施例包括的複合體具有無機偏光層和無機電致發光層。亦揭示製作和使用該顯示裝置和複合體的方法。
简体摘要：兹揭示显示设备和用于制作显示设备的复合体。一些具体实施例包括的显示设备具有无机电致发光层、主动矩阵层、无机偏光层、液晶层及彩色滤光层。一些具体实施例包括的复合体具有无机偏光层和无机电致发光层。亦揭示制作和使用该显示设备和复合体的方法。

27. 发明专利

TW201423233A 背光系統审中-公开
简体标题：背光系统
公开(公告)号：TW201423233A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102136359
申请日：2013-10-08
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：橋詰賢一 , HASHIZUME, KENICHI , 黒木俊一郎 , KUROKI, SHUNICHIRO
IPC分类号： G02F1/13357
CPC分类号： G02B6/0035 , G02B6/0003 , G02B6/0055 , G02B6/0065 , G02B6/0073 , G02F1/133615 , G02F2001/133614
摘要：茲描述包括設以為撓性的核心層以及至少一光源的背光系統。該核心層含有至少一光激發螢光團。該光源係被設置在該核心層的一側之邊緣上。另外，該光源設以經由該核心層的一側之邊緣發射第一光進入該核心層。該核心層中設以傳送該第一光，並且由來自該核心層之第一表面的該第一光照射該光激發螢光團而引發該核心層發射第二光。
简体摘要：兹描述包括设以为挠性的内核层以及至少一光源的背光系统。该内核层含有至少一光激发萤光团。该光源系被设置在该内核层的一侧之边缘上。另外，该光源设以经由该内核层的一侧之边缘发射第一光进入该内核层。该内核层中设以发送该第一光，并且由来自该内核层之第一表面的该第一光照射该光激发萤光团而引发该内核层发射第二光。

28. 发明专利

TW201403464A 晶片多重處理器中的芯級動態電壓和頻率調整审中-公开
简体标题：芯片多重处理器中的芯级动态电压和频率调整
公开(公告)号：TW201403464A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102103918
申请日：2013-02-01
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：庫克利克伊齊基爾 , KRUGLICK, EZEKIEL
IPC分类号： G06F9/28 , G06F11/34 , G06F1/08
CPC分类号： G06F9/4405 , G06F1/324 , G06F1/3243 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/152 , Y02D10/172
摘要：本發明揭示的技術概略包括關於製造具有多個處理器核心的一晶片多重處理器的方法和系統。一示例性方法可包括接收關聯於該等多個處理器核心之每一者的效能或可靠度資訊，其中該接收的效能或可靠度資訊係在該晶片多重處理器的封裝之前決定，並儲存該接收的效能或可靠度資訊，使得所儲存的效能或可靠度資訊用於調整該晶片多重處理器之該等多個處理器核心中至少一者的一操作參數。
简体摘要：本发明揭示的技术概略包括关于制造具有多个处理器内核的一芯片多重处理器的方法和系统。一示例性方法可包括接收关联于该等多个处理器内核之每一者的性能或可靠度信息，其中该接收的性能或可靠度信息系在该芯片多重处理器的封装之前决定，并存储该接收的性能或可靠度信息，使得所存储的性能或可靠度信息用于调整该芯片多重处理器之该等多个处理器内核中至少一者的一操作参数。

29. 发明专利

TW201340128A 延長結構审中-公开
简体标题：延长结构
公开(公告)号：TW201340128A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102104591
申请日：2013-02-06
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：岩本隆 , IWAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01B13/008 , H01B13/00 , H01B5/14 , H01L29/40
CPC分类号： H01B7/00 , B32B2457/208 , B82Y30/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01B1/08 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H03K17/962 , Y10T428/24521 , Y10T428/24545
摘要：本發明概略關於可延展電極及/或組件，其在該等電極的製造期間、之前及/或之後為可延展性及/或可撓性。
简体摘要：本发明概略关于可延展电极及/或组件，其在该等电极的制造期间、之前及/或之后为可延展性及/或可挠性。

30. 发明专利

TW201338314A 可撓性電路审中-公开
简体标题：可挠性电路
公开(公告)号：TW201338314A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102107591
申请日：2013-03-05
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：清家綾 , SEIKE, AYA
IPC分类号： H01R27/02
CPC分类号： H01B1/22 , H01R39/646 , Y10T29/49117
摘要：本文提供用於輸送和/或提供電的方法和裝置。在一些實施態樣中，這包括可撓性導管和提供在其中的電荷輸送微粒。在一些實施態樣中，所述微粒在第一充電端子充電，移動至存在電荷收集端子的新的位置，之後可以將所述微粒上的電荷放電。
简体摘要：本文提供用于输送和/或提供电的方法和设备。在一些实施态样中，这包括可挠性导管和提供在其中的电荷输送微粒。在一些实施态样中，所述微粒在第一充电端子充电，移动至存在电荷收集端子的新的位置，之后可以将所述微粒上的电荷放电。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式