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21. 发明专利

TW202027263A 影像感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：影像传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW202027263A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138891
申请日：2019-10-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳柏瀚 , CHEN, PO HAN , 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 李國政 , LEE, KUO CHENG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238 , H01L21/20 , H01L21/28
摘要：一種影像感測器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光電二極體。影像感測器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光電二極體，其中第一尺寸與第二尺寸不同。影像感測器更包含在基板上的第一緩衝層。影像感測器更包含在第一緩衝器上的遮罩層，其中第一緩衝層和遮罩層定義與第一光電二極體對準的第一凹陷和與第二光電二極體對準的第二凹陷。影像感測器更包含在第一凹陷中的閃爍減弱層，其中第二凹陷沒有閃爍減弱層。
简体摘要：一种影像传感器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。影像传感器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中第一尺寸与第二尺寸不同。影像传感器更包含在基板上的第一缓冲层。影像传感器更包含在第一缓冲器上的遮罩层，其中第一缓冲层和遮罩层定义与第一光电二极管对准的第一凹陷和与第二光电二极管对准的第二凹陷。影像传感器更包含在第一凹陷中的闪烁减弱层，其中第二凹陷没有闪烁减弱层。

22. 发明专利

TW202027223A 半導體裝置的形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备的形成方法
公开(公告)号：TW202027223A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138960
申请日：2019-10-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊世海 , YEONG, SAI-HOOI , 李凱璿 , LEE, KAI-HSUAN
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/302 , H01L29/40 , H01L29/12
摘要：裝置的形成方法包括：提供第一電晶體，其包含第一閘極結構以及與第一閘極結構相鄰的源極/汲極結構。沿著位於源極/汲極結構上的接點開口的側壁表面形成空洞。在形成空洞之後，沉積犧牲層於空洞中包含的接點開口之側壁表面與下表面上，其中犧牲層填入空洞。沿著接點開口的下表面移除犧牲層的第一部份，以露出源極/汲極結構的一部份。形成金屬插塞於露出的源極/汲極結構的部份上。移除犧牲層的保留部份，以形成氣隙於金屬插塞與第一閘極結構之間。之後沉積密封層於氣隙上，以形成氣隙間隔物。
简体摘要：设备的形成方法包括：提供第一晶体管，其包含第一闸极结构以及与第一闸极结构相邻的源极/汲极结构。沿着位于源极/汲极结构上的接点开口的侧壁表面形成空洞。在形成空洞之后，沉积牺牲层于空洞中包含的接点开口之侧壁表面与下表面上，其中牺牲层填入空洞。沿着接点开口的下表面移除牺牲层的第一部份，以露出源极/汲极结构的一部份。形成金属插塞于露出的源极/汲极结构的部份上。移除牺牲层的保留部份，以形成气隙于金属插塞与第一闸极结构之间。之后沉积密封层于气隙上，以形成气隙间隔物。

23. 发明专利

TW202027218A 積體電路的製造方法审中-公开
简体标题：集成电路的制造方法
公开(公告)号：TW202027218A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108134744
申请日：2019-09-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：朱龍琨 , CHU, LUNG-KUN , 黃懋霖 , HUANG, MAO-LIN , 吳偉豪 , WU, WEI-HAO , 江國誠 , CHIANG, KUO-CHENG
IPC分类号： H01L21/71
摘要：一種積體電路的製造方法，包含露出複數個通道區，所述通道區包含p型通道區和n型通道區；形成閘極介電層於露出的通道區上方；以及形成功函數金屬結構於閘極介電層上方。功函數金屬結構包含形成於p型通道區上方的p型功函數金屬部分和形成於n型通道區上方的n型功函數金屬部分，且p型功函數金屬部分比n型功函數金屬部分薄。此方法更包含形成填充金屬層於功函數金屬結構上方，使得填充金屬層直接接觸p型功函數金屬部分和n型功函數金屬部分兩者。
简体摘要：一种集成电路的制造方法，包含露出复数个信道区，所述信道区包含p型信道区和n型信道区；形成闸极介电层于露出的信道区上方；以及形成功函数金属结构于闸极介电层上方。功函数金属结构包含形成于p型信道区上方的p型功函数金属部分和形成于n型信道区上方的n型功函数金属部分，且p型功函数金属部分比n型功函数金属部分薄。此方法更包含形成填充金属层于功函数金属结构上方，使得填充金属层直接接触p型功函数金属部分和n型功函数金属部分两者。

24. 发明专利

TW202027126A 設計積體電路的方法审中-公开
简体标题：设计集成电路的方法
公开(公告)号：TW202027126A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139333
申请日：2019-10-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊榮展 , YANG, JUNG CHAN , 江庭瑋 , CHIANG, TING WEI , 莊惠中 , ZHUANG, HUI ZHONG , 盧麒友 , LU, CHI YU
IPC分类号： H01L21/02 , G06F1/18 , G06F17/50
摘要：一種用於設計積體電路的方法，包括以下步驟：選擇單元的電源軌；確定與電源軌或在電源軌周圍的電連接的間隙距離不足以適合電連接；選擇電源軌中要修改的電源軌部分，並修改電源軌部分的形狀以提供足以適合電連接的間隙距離。隨著積體電路的互連結構中的特徵之間的間隙距離變小，製造變得更加困難並且容易出錯。增加間隙距離改善了積體電路的可製造性。修改積體電路電源軌的形狀可增加與電源軌和/或在電源軌周圍的間隙距離。
简体摘要：一种用于设计集成电路的方法，包括以下步骤：选择单元的电源轨；确定与电源轨或在电源轨周围的电连接的间隙距离不足以适合电连接；选择电源轨中要修改的电源轨部分，并修改电源轨部分的形状以提供足以适合电连接的间隙距离。随着集成电路的互链接构中的特征之间的间隙距离变小，制造变得更加困难并且容易出错。增加间隙距离改善了集成电路的可制造性。修改集成电路电源轨的形状可增加与电源轨和/或在电源轨周围的间隙距离。

25. 发明专利

TW202027073A 記憶體裝置、電子裝置以及對可操作地連接至一記憶體陣列中之記憶體單元之行信號線預充電的方法审中-公开
简体标题：内存设备、电子设备以及对可操作地连接至一内存数组中之内存单元之行信号线预充电的方法
公开(公告)号：TW202027073A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138723
申请日：2019-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：麥康柏斯愛德 , MCCOMBS, ED
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/06 , H01L21/8239 , H01L21/8244
摘要：一種記憶體裝置包括可操作地連接至行信號線且連接至字信號線之記憶體單元。將與待存取(例如，待讀取)之一或更多個記憶體單元相關聯的行信號線預充電至第一電壓位準。將與待存取之一或更多個記憶體單元相關聯的行信號線預充電至第二電壓位準，其中第二電壓位準低於第一電壓位準。
简体摘要：一种内存设备包括可操作地连接至行信号线且连接至字信号线之内存单元。将与待存取(例如，待读取)之一或更多个内存单元相关联的行信号线预充电至第一电压位准。将与待存取之一或更多个内存单元相关联的行信号线预充电至第二电压位准，其中第二电压位准低于第一电压位准。

26. 发明专利

TW202026756A 光微影圖案化系統审中-公开
简体标题：光微影图案化系统
公开(公告)号：TW202026756A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108143813
申请日：2019-11-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張世明 , CHANG, SHIH MING , 陳秋翔 , CHEN, CHIU HSIANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 陳銘鋒 , CHEN, MIN FENG
IPC分类号： G03F1/62 , G03F1/82 , G03F7/20
摘要：一種光微影圖案化系統包括：一光罩，其具有圖案化特徵；一薄膜，其具有複數個開口；一輻射源，其用以發射輻射以反射及/或投射該些圖案化特徵；及一或多個反射鏡，其用以將所反射及/或投射的圖案化特徵引導至一晶圓上。該薄膜用以保護該光罩免受顆粒及浮動污染物的影響。該複數個開口佔該薄膜的側表面面積的5%至99.9%。該薄膜可在該些圖案化特徵的一側上附接至該光罩、置放在該輻射源與該晶圓之間的一光路旁側，或置放在反射鏡與該輻射源之間的一光路中。該薄膜中的該複數個開口由複數種條形材料形成，或形成為一蜂巢狀結構或一網狀結構。
简体摘要：一种光微影图案化系统包括：一光罩，其具有图案化特征；一薄膜，其具有复数个开口；一辐射源，其用以发射辐射以反射及/或投射该些图案化特征；及一或多个反射镜，其用以将所反射及/或投射的图案化特征引导至一晶圆上。该薄膜用以保护该光罩免受颗粒及浮动污染物的影响。该复数个开口占该薄膜的侧表面面积的5%至99.9%。该薄膜可在该些图案化特征的一侧上附接至该光罩、置放在该辐射源与该晶圆之间的一光路旁侧，或置放在反射镜与该辐射源之间的一光路中。该薄膜中的该复数个开口由复数种条形材料形成，或形成为一蜂嵌套结构或一网状结构。

27. 发明专利

TW202026751A 製造及維護光罩的方法审中-公开
简体标题：制造及维护光罩的方法
公开(公告)号：TW202026751A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108135317
申请日：2019-09-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊淳復 , YANG, CHUN FU , 許倍誠 , HSU, PEI CHENG , 連大成 , LIEN, TA CHENG , 李信昌 , LEE, HSIN CHANG
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/82 , G03F1/84 , G03F1/86 , G03F7/20 , H01J37/26 , H01L21/3105
摘要：一種方法包括將表面上具有污染的光罩放置在電漿處理腔室中。污染的光罩在電漿處理腔室中經由電漿處理，以從表面移除污染。電漿包括氧電漿或氫電漿。
简体摘要：一种方法包括将表面上具有污染的光罩放置在等离子处理腔室中。污染的光罩在等离子处理腔室中经由等离子处理，以从表面移除污染。等离子包括氧等离子或氢等离子。

28. 发明专利

TW202026606A 用於飛行時間感測的系統與方法审中-公开
简体标题：用于飞行时间传感的系统与方法
公开(公告)号：TW202026606A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108142255
申请日：2019-11-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：殷勤 , YIN, CHIN , 葉尚府 , YEH, SHANG-FU , 趙亦平 , CHAO, CALVIN YI-PING , 李其霖 , LEE, CHIH-LIN , 吳孟修 , WU, MENG-HSIU
IPC分类号： G01J11/00
摘要：公開一種飛行時間感測設備和方法。在一個實施例中，一種用於飛行時間（TOF）感測的系統，包括：檢測器陣列，包括多個單光子雪崩檢測器（SPAD）；以及控制電路，包括耦合到檢測器陣列的至少兩個數位控制陣列、耦合到至少兩個數位控制陣列的計數器陣列以及耦合到計數器陣列和至少兩個數位控制陣列的邏輯控制單元，其中檢測器陣列配置成從目標接收至少一個反射光脈衝，其中控制電路的第一數位控制陣列、計數器陣列以及邏輯控制單元配置成從多個SPAD中的每一個接收至少一個雪崩脈衝以在第一TOF模式下確定檢測器陣列與目標之間的第一距離，且其中控制電路的第二數位控制陣列、計數器陣列以及邏輯控制單元配置成從多個SPAD中的每一個接收至少一個雪崩脈衝以在第二TOF模式下確定檢測器陣列與目標之間的第二距離。
简体摘要：公开一种飞行时间传感设备和方法。在一个实施例中，一种用于飞行时间（TOF）传感的系统，包括：检测器数组，包括多个单光子雪崩检测器（SPAD）；以及控制电路，包括耦合到检测器数组的至少两个数码控制数组、耦合到至少两个数码控制数组的计数器数组以及耦合到计数器数组和至少两个数码控制数组的逻辑控制单元，其中检测器数组配置成从目标接收至少一个反射光脉冲，其中控制电路的第一数码控制数组、计数器数组以及逻辑控制单元配置成从多个SPAD中的每一个接收至少一个雪崩脉冲以在第一TOF模式下确定检测器数组与目标之间的第一距离，且其中控制电路的第二数码控制数组、计数器数组以及逻辑控制单元配置成从多个SPAD中的每一个接收至少一个雪崩脉冲以在第二TOF模式下确定检测器数组与目标之间的第二距离。

29. 发明专利

TWI698997B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI698997B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107132256
申请日：2018-09-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王志平 , WANG, RICKY , 楊棋幃 , YANG, CHI WEI , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 陳昭成 , CHEN, CHAO CHENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/66 , H01L29/423

30. 发明专利

TWI698929B 半導體裝置的圖案化方法有权
简体标题：半导体设备的图案化方法
公开(公告)号：TWI698929B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108111612
申请日：2019-04-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蘇怡年 , SU, YI-NIEN
IPC分类号： H01L21/31 , G03F7/20

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