专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明申请

WO2013136854A1 ＤＣ－ＤＣコンバータ审中-公开
标题翻译： DC-DC转换器
公开(公告)号：WO2013136854A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/JP2013/051475
申请日：2013-01-24
申请人：サンケン電気株式会社 , 国立大学法人島根大学
发明人：照井　洋光 , 足助　英樹 , 高野　秀治 , 山本　真義 , 今岡　淳
IPC分类号： H02M3/155 , H01F30/00
CPC分类号： H02M3/33507 , H01F3/14 , H01F27/24 , H02M3/1584 , H02M2001/0064
摘要：　ＤＣ－ＤＣコンバータは、巻線11と巻線12とを有する結合トランス、直流電源Viの両端に各巻線を介して接続されるスイッチ（Tr1、Tr2）、各スイッチの両端に接続されダイオードと平滑コンデンサとの直列回路、スイッチTr1とスイッチTr2とを交互にターンオンさせるとともに１／２周期毎に所定の重複期間だけスイッチTr1とスイッチTr2とを同時にオンさせる制御回路100を有する。さらに、結合トランス1はＩ形状コア4を二つのＥ形状コア2,3で挟み各Ｅ形状コア2，3の中央脚2a，3aとＩ形状コア4との間にギャップ部5を設けＩ形状コア4に巻線11及び巻線12を巻回した。
摘要翻译：一种DC-DC转换器，具有：具有绕组（11）和绕组（12）的耦合变压器; 分别通过绕组连接到直流电源（Vi）两端的开关（Tr1，Tr2）; 串联电路连接到每个开关的两端并且包括二极管和平滑电容器; 以及交替地接通开关（Tr1）和开关（Tr2）的控制电路（100），并且每半个周期同时接通开关（Tr1）和开关（Tr2）规定的重叠周期。此外，利用耦合变压器（1），I形芯（4）夹在两个E形芯（2,3）之间，间隙（5）设置在中间支脚（2a，3a）之间 E形芯（2,3）和I形芯（4），绕组（11）和绕组（12）缠绕在I形芯（4）上。

22. 发明申请

WO2013058377A1 灯具审中-公开
公开(公告)号：WO2013058377A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/JP2012/077147
申请日：2012-10-19
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：青柳　伸尚 , 宇津野　瑞木
IPC分类号： F21S8/04 , F21V23/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
CPC分类号： F21S2/005 , F21S8/04 , F21V23/02 , F21V23/023 , F21V29/15 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10
摘要：　灯具１０は、下側に発光するようにＬＥＤが配置された照明ユニット３０ａ～３０ｈを環状になるように複数連結して構成される環状照明部１４と、環状照明部１４の中央空間に配置され、環状照明部１４に電力を供給する電源１５と、を備え、照明ユニット３０は、環状に連結されたときに隣り合う照明ユニット間に隙間が形成されない形状とされており、小型の製造装置で装置仕様を若干変更することで、美観を損なうことなく種々のバリエーションの照明部を製造して組み立てることを可能にする。
摘要翻译：一种灯具（10）具有：环状照明部（14），其包括多个发光单元（30a〜30h），所述多个发光单元具有以环状连接的LED向下方发光的状态; 以及位于所述环形照明部（14）的中央空间并向所述环形照明部（14）供电的电源（15）。照明单元（30）形成为当所述单元连接成环状时在相邻照明单元之间没有空间的形状，并且可以生产和组装具有各种变化的照明部件而不会降低外观通过紧凑的制造设备对设备规格进行轻微的变化。

23. 发明申请

WO2013027819A1 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：WO2013027819A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/JP2012/071398
申请日：2012-08-24
申请人：日産自動車株式会社 , サンケン電気株式会社 , 富士電機株式会社 , 図子祐輔 , 村上善則 , 谷本智 , 佐藤伸二 , 松井康平
发明人：図子　祐輔 , 村上　善則 , 谷本　智 , 佐藤　伸二 , 松井　康平
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2224/48132 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：　第１の電力系ＢＴに電気的に接続される第１の端子１２，１４と第２の電力系Ｍに電気的に接続される第２の端子１３とを有し、互いに直列に接続された一対の半導体素子１６，１８と、ヒートシンク７と、前記第１の端子の一方の第１の端子１２と、前記一対の半導体素子の一方の半導体素子１６の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された第１の電極１０と、前記第２の端子１３と、前記一対の半導体素子の他方の半導体素子１８の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された出力電極１１と、前記第１の端子の他方の第１の端子１４に電気的に接続された第２の電極９と、を備える半導体モジュールであって、前記第２の電極９が、第１の絶縁部材８ａを介して前記ヒートシンク７に接続され、前記出力電極１１が、第２の絶縁部材８ｂを介して前記第２の電極９に接続されている。
摘要翻译：一种半导体模块，其设置有：一对半导体元件（16,18），其彼此串联连接并具有电连接到第一电力系统（BT）的第一端子（12,14）和第二电力系统端子（13），其电连接到第二电力系统（M）; 散热器（7）; 电连接到作为第一端子之一的第一端子（12）的第一电极（10）和作为一对半导体元件之一的半导体元件（16）的一个电极; 电连接到第二端子（13）的输出电极（11）和作为该对半导体元件中的另一个的半导体元件（18）的一个电极; 以及电连接到作为第一端子中的另一个的第一端子（14）的第二电极（9）。第二电极（9）经由第一绝缘构件（8a）连接到散热器（7），并且输出电极（11）经由第二绝缘构件（8b）连接到第二电极（9）。

24. 发明申请

WO2013015402A1 半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：WO2013015402A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/JP2012/069096
申请日：2012-07-27
申请人：日産自動車株式会社 , 住友金属鉱山株式会社 , サンケン電気株式会社 , 富士電機株式会社 , 谷本智 , 図子祐輔 , 村上善則 , 井関隆士 , 高森雅人 , 佐藤伸二 , 松井康平
发明人：谷本　智 , 図子　祐輔 , 村上　善則 , 井関　隆士 , 高森　雅人 , 佐藤　伸二 , 松井　康平
IPC分类号： H01L21/52 , B23K35/28 , C22C18/04
CPC分类号： H01L29/1602 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/206 , B23K35/007 , B23K35/025 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K2201/34 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , C22C18/04 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/29118 , H01L2224/32225 , H01L2224/83001 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/00
摘要：　半導体素子１と、少なくとも表面の主元素をＣｕとする基板２と、前記半導体素子より小さな形状のＺｎＡｌ共晶はんだチップ３'と、をそれぞれ準備する工程と、前記半導体素子と前記基板とをそれぞれの接合面が対向するように配置して、これら基板と半導体素子との間に前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを挟む工程と、前記基板と前記半導体素子との間に挟んだ前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップに荷重３１をかけながら昇温して、前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを融解させてＺｎＡｌはんだ層３を形成する工程と、前記ＺｎＡｌはんだ層に荷重をかけながら降温する工程と、を備える。
摘要翻译：该半导体装置的制造方法具备：将半导体元件（1），具有Cu作为主表面的主要元素的基板（2）和较小的ZnAl共晶型焊料芯片（3'）的工序比半导体元件准备好; 其中半导体元件和衬底被设置为使得各个接合表面彼此面对，并且ZnAl共晶焊料芯片夹在衬底和半导体元件之间; 同时在夹在基板和半导体元件之间的ZnAl共晶焊料片上施加负载（31），并且形成ZnAl焊料层（3），同时通过增加温度使ZnAl共晶焊料芯片熔融。以及在将负载施加到ZnAl焊料层的同时降低温度的步骤。

25. 发明申请

WO2010084550A1 半導体モジュール及びその制御方法审中-公开
标题翻译：半导体模块及其控制方法
公开(公告)号：WO2010084550A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/JP2009/006949
申请日：2009-12-17
申请人：サンケン電気株式会社 , 井上隆 , 金澤正喜
发明人：井上隆 , 金澤正喜
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/58 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/34 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：　温度上昇を適切に感知して適切な制御を行うことのできる高密度の半導体モジュールを得る。　高熱伝導率をもつ銅等で構成されるリードフレーム１５上に、下層チップ１１と上層チップ１２が積層された積層構造が搭載されている。同様に、このリードフレーム１５上に、下層チップ１３と上層チップ１４が積層された積層構造が搭載されている。また、これらの２つの積層構造の間に、制御回路チップ１６が搭載される。下層チップ１１、１３の上面における内側（制御回路チップ１６のある側）に、温度センサ３０が搭載される。電流経路となる配線４１上に温度センサ３０が設置されている。
摘要翻译：高密度半导体模块能够适当地检测温度升高并进行适当的控制。包括下层芯片（11）和上层芯片（12）的多层结构安装在由具有高导热性的铜或其它材料形成的引线框架（15）的顶部上。类似地，包括下层芯片（13）和上层芯片（14）的另一多层结构安装在引线框架（15）的顶部。此外，控制电路芯片（16）安装在这两个多层结构之间。温度传感器（30）安装在下部芯片（11,13）的上表面的内侧（控制电路芯片（16）所在的侧面）。温度传感器（30）设置在作为电流路径的互连（41）的顶部。

26. 发明申请

WO2009147996A1 電界効果半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：场效应半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009147996A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/JP2009/059864
申请日：2009-05-29
申请人：サンケン電気株式会社 , 高橋良治
发明人：高橋　良治
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811
摘要： IGFET２０の半導体基体２１は、ドレイン領域３４及び３５とP型の第１のボデイ領域３６とP - 型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN + 型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成する複数の対のトレンチ３１を有する。トレンチ３１内にゲート絶縁膜２５とゲート電極２４とが配置されている。ソース電極２３は第２のボデイ領域３７にショットキー接触している。第２のドレイン領域３５と第１のボデイ領域３６とのPN接合４３は半導体基体の一方の主面に露出している。トレンチ３１の外側にも第１のボデイ領域３６と第２のボデイ領域３７と第１のソース領域３８とが設けられ、且つN型の保護半導体領域４０が設けられている。トレンチ３１はIGFETの小型化及び低オン抵抗化に寄与している。トレンチ３１よりも外側における第２のボデイ領域３とソース電極２３との間の接触面積の低減によってIGFETの逆耐圧向上が図られている。
摘要翻译： IGFET（20）的半导体衬底（21）具有漏极区域（34）和（35），P型第一体区域（36），P型第二体区域（37），N型第一源极区域（38）和N +型第二源极区域（39），并且另外具有构成IGFET单元的多对沟槽（31）。栅极绝缘膜（25）和栅电极（24）设置在沟槽（31）的内部。源电极23与第二体区（37）肖特基接触。在第二漏极区域（35）和第一体区域（36）之间的PN结（43）暴露于半导体衬底的一个主表面。第一体区域（36），第二体区域（37）和第一源极区域（38）也设置在沟槽（31）的外侧，并且设置有N型保护半导体区域（40）。沟槽（31）有助于IGFET的小型化和导通电阻的降低。通过从沟槽（31）将第二体区（37）和源电极（23）到外部的接触面积减小，可以提高IGFET的反向击穿电压。

27. 发明申请

WO2009119275A1 容量性発光素子駆動装置审中-公开
标题翻译：电容式发光元件驱动装置
公开(公告)号：WO2009119275A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/054202
申请日：2009-03-05
申请人：サンケン電気株式会社 , 鷲谷哲 , 江原俊浩 , 大坂昇平
发明人：鷲谷哲 , 江原俊浩
IPC分类号： H05B33/08 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/08 , H01L27/3202 , H01L27/3204 , Y02B20/32
摘要：　容量性発光素子駆動装置は、光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された容量性発光素子1と、容量性発光素子に接続された電源Vinと、カソード電極及びアノード電極間に電源の直流電圧を印加して容量性発光素子を駆動する駆動手段10と、容量性発光素子を駆動時に容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を、電源に回生する回生手段L2,Q3,とを有する。
摘要翻译：本发明公开了一种电容式发光元件驱动装置，其特征在于，包括配置在透光性基板上的与阴极和阳极之间相对配置的电容发光元件（1），连接有电源电容发光元件，通过在阴极和阳极之间施加电源的直流电压来驱动电容式发光元件的驱动装置（10），以及用于再生电荷的再生装置（L2，Q3）当电容发光元件被驱动到电源时，存储在电容发光元件的寄生电容器中。

28. 发明申请

WO2009060670A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009060670A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/067009
申请日：2008-09-19
申请人：サンケン電気株式会社 , 鳥居克行 , 塩見新
发明人：鳥居克行 , 塩見新
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
摘要：　ボンディング強度を確保しつつ、ボンディングに伴う層間絶縁膜（１２）の破壊や電極（１３）の破壊を防止することができ、電気的特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体装置に搭載された半導体素子（１）は、ゲート電極（１１６）上を覆い第１の方向に延伸する延伸部（１２１）、第２の方向に隣接する延伸部（１２１）同士を第１の方向に一定間隔において連結する連結部（１２２）及び延伸部（１２１）と連結部（１２２）とにより開口形状が規定されベース領域（１１２）の主面とエミッタ領域（１１３）の主面とを露出する開口部（１２３）を有する層間絶縁膜（１２）を備える。また、層間絶縁膜（１２）の延伸部（１２１）下におけるエミッタ領域（１１３）の第２の方向の第１の幅寸法（１２１Ｗ）に比べて、連結部（１２２）下の第１の方向における第２の幅寸法（１２２Ｗ）が大きく設定されている。
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其中消除了由于接合而导致的层间绝缘膜（12）和电极（13）的断裂，同时确保了接合强度和电特性。还提供了一种用于制造这种半导体器件的方法。安装在半导体器件上的半导体元件（1）设置有具有延伸部分（121），连接部分（122）和开口部分（123）的层间绝缘膜（12）。延伸部分（121）覆盖栅电极（116）并沿第一方向延伸。连接部分（122）沿着第一方向以固定的间隔在第二方向上连接彼此相邻的延伸部分（121）。开口部（123）具有由延伸部（121）和连接部（122）形成的开口形状，露出基部区域（112）的主面和发射极区域（113）的主面。在连接部分（122）下方的第一方向上的第二宽度尺寸（122W）被设定为大于在中间层的延伸部分（121）的下方的发射区域（113）中的第二方向上的第一宽度尺寸（121W）绝缘膜（12）。

29. 发明申请

WO2009028290A1 放電灯点灯装置审中-公开
标题翻译：放电灯操作装置
公开(公告)号：WO2009028290A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/063547
申请日：2008-07-29
申请人：サンケン電気株式会社 , 足利亨
发明人：足利亨
IPC分类号： H05B41/24
CPC分类号： H05B41/2827
摘要：　放電灯点灯装置は、直流電圧Ｖｉｎを入力してグランドを基準電位とする第１交番電圧Ｖ２およびグランドを基準電位とするとともに、第１交番電圧に対して電圧位相が逆位相で且つ電圧値が小さい第２交番電圧Ｖ３に変換し、第１交番電圧を第１出力端子から出力し、第２交番電圧を第２出力端子から出力するインバータ１０ｂと、一端が第１出力端子に接続されたバラスト素子Ｃ１～Ｃ４と、バラスト素子の他端と第２出力端子との間に接続された放電灯１ａ～１ｄとを備える。
摘要翻译：放电灯操作装置包括逆变器（10b）; 镇流器元件（C1至C4）; 和放电灯（1a〜1d）。逆变器（10b）输入直流电压（Vin）并将其转换成具有作为参考电位的接地的第一交流电压（V2）和具有接地的第二交流电压（V3）作为参考电位，反相电压相位相对于第一AC电压和小的电压值。逆变器（10b）从第一输出端子输出第一AC电压，并从第二输出端子输出第二AC电压。镇流器元件（C1至C4）的一端连接到第一输出端子。放电灯（1a至1d）连接在镇流器元件的另一端和第二输出端子之间。

30. 发明申请

WO2008136293A1 力率改善回路审中-公开
标题翻译：功率因数改进电路
公开(公告)号：WO2008136293A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/JP2008/057677
申请日：2008-04-21
申请人：サンケン電気株式会社 , 大坂昇平
发明人：大坂昇平
IPC分类号： H02M7/12 , H02M3/155
CPC分类号： H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
摘要：　交流電源１の交流電圧を整流する整流器３と、整流器の出力に並列に接続され、昇圧リアクトルＬ１とスイッチング素子Ｑ０とが直列に接続された第１直列回路と、スイッチング素子に並列に接続され、整流ダイオードＤ１と平滑コンデンサＣ２とが直列に接続された第２直列回路と、所定の発振周波数を有するクロック信号ＣＬＫを生成する発振回路１２と、発振回路で生成されたクロック信号の周期で且つ平滑コンデンサの電圧値に応じて、スイッチング素子を駆動するための駆動信号を生成する制御回路１０とを有し、発振回路は、スイッチング素子の駆動信号に応じて、所定の周波数を変化させる。
摘要翻译：功率因数改善电路包括：对交流电源（1）的交流电压进行整流的整流器（3）; 与整流器的输出并联连接并具有串联连接的升压电抗器（L1）和开关元件（Q0）的第一串联电路; 与开关元件并联连接并具有串联连接的整流二极管（D1）和平滑电容器（C2）的第二串联电路; 产生具有预定振荡频率的时钟信号（CLK）的振荡电路（12）以及控制电路（10），其根据平滑电容器的电压值以由振荡电路产生的时钟信号的周期来产生用于驱动开关元件的驱动信号。振荡电路根据开关元件的驱动信号改变预定频率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式