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22. 发明专利

JP2004510366A Bias circuit 审中-公开
公开(公告)号：JP2004510366A
公开(公告)日：2004-04-02
申请号：JP2002529330
申请日：2001-08-06
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：バンツァー，ハインツ , フェアヴァイエン，ドクトル　ルードガァー , マクナマラ，ブライアン，ジェイ
IPC分类号： H03F3/345 , G05F3/20 , H03K17/14 , H03K17/30 , H03K17/687 , H03K17/693
CPC分类号： H03K17/145 , G05F3/205 , H03K17/302 , H03K17/687 , H03K17/693
摘要：本発明は、第１に、整流器、負バイアスレベル設定装置、および、負バイアス抽出器を備えたバイアス回路に関するものである。整流器は、入力部および出力部を備えている。また、整流器は、その入力部に入力された交流入力信号から負整流電圧信号を、出力部において生成するために配置されている。負バイアスレベル設定装置は、整流器の出力部と連結しており、そこに生成された負整流電圧信号を規定する電流用パスを供給している。負バイアス抽出器は、その出力部と整流器の出力部に連結している入力部とを備えている。負バイアス抽出器は、整流器の出力部に生成された負整流電圧信号からほぼ一定の負バイアス信号を抽出器の出力部において生成するために配置されている。第２に、本発明は、正電圧源と負電圧源との間に連結されたバイアス出力部と、負電圧源とバイアス出力部との間に連結されたスイッチング回路とを備えたバイアス回路に関するものである。スイッチング回路は、その回路を貫通する２つまたはそれ以上の様々な電流用パスを決定し、それゆえにバイアス出力部において２つまたはそれ以上の各バイアスの状態を生み出すために配置されている。

23. 发明专利

JP2003536311A Dual-band fet mixer 审中-公开
公开(公告)号：JP2003536311A
公开(公告)日：2003-12-02
申请号：JP2002502903
申请日：2001-06-07
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：バァンツァー，ハインツ , フェアヴェーエン，ルトガー , ジェイ．マクナマラ，ブライアン
IPC分类号： H03D7/12
CPC分类号： H03D7/125
摘要： (57)【要約】デュアルバンドミクサは、少なくとも１つの高周波入力信号および中間周波数出力信号用の共通の接続点を備えている。さらに、デュアルバンドミクサの第１トランジスタは、第１局部発振器と連結したゲートと、共通の接続点と連結したドレインとを備えており、第２トランジスタは、第２局部発振器と連結したゲートと、共通の接続点と連結したドレインとを備えている。連係回路は、第１局部発振器入力信号が第１トランジスタに入力されると、第２トランジスタをＯＦＦにし、第２局部発振器入力信号が第２トランジスタに入力されると、第１トランジスタをＯＦＦにする。

24. 发明专利

JP2003530775A Integrated access device controller 有权
公开(公告)号：JP2003530775A
公开(公告)日：2003-10-14
申请号：JP2001575681
申请日：2001-04-09
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：スーステン，オリバーヴァン , プレイス，フランク
IPC分类号： H04M11/06 , H04L12/64
CPC分类号： H04L12/6418 , H04L2012/6427 , H04L2012/6472 , H04L2012/6481
摘要： (57)【要約】音声インターネットプロトコル電話は、ユニバーサルシリアルバスポート（５６）、１組のＩＥＥＥ802.3ＭＡＣｓ（７０ａ）、レピータ（７０ｂ）、および１組のパルスコード変調器（ＰＣＭ）ポート（２４）を一体にしているので、ネットワークプロセッサは、他の周辺装置と組み合わされることで、音声やデータをインターネットプロトコルネットワーク（１３）を渡って送信することができる。

26. 发明专利

JP2013179323A Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device 有权
标题翻译：制造半导体集成电路器件的方法
公开(公告)号：JP2013179323A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2013085597
申请日：2013-04-16
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd , チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド , Internatl Business Mach Corp , インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation , Infineon Technologies North America Corp , インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人： PARK SANG-JINE , HENRY RICHARD O , TAN YONG SIANG , KWON OH SUNG , KWON OH-JUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/308 , H01L21/76 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/31111 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66772 , H01L29/7833 , H01L29/7843
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device which allow for stabilized etching.SOLUTION: The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device includes a step for forming a field effect transistor including a gate electrode 120, sacrifice nitride film spacer 150 formed on both sidewalls of the gate electrode, and a source/drain region 160 self-aligned with the sacrifice nitride film spacer, a step for selectively removing the sacrifice nitride film spacer by hydrofluoric acid having a selective ratio of the nitride film for the oxide film of larger than 1, and a step for forming a stress film, which derives tensile or compressive stress in the channel region of the field effect transistor, on both sidewalls of the gate electrode.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造允许稳定蚀刻的半导体集成电路器件的方法。解决方案：半导体集成电路器件的制造方法包括用于形成包括栅电极120的场效应晶体管的步骤，牺牲氮化物形成在栅电极的两个侧壁上的膜间隔物150以及与牺牲氮化物膜间隔物自对准的源极/漏极区域160，用氮化物膜选择性比例的氢氟酸选择性去除牺牲氮化物膜间隔物的步骤对于大于1的氧化膜，以及在栅电极的两个侧壁上形成在场效应晶体管的沟道区域中产生拉伸或压应力的应力膜的步骤。

27. 发明专利

JP3872015B2 Projection lithography using phase shift aperture 有权
公开(公告)号：JP3872015B2
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：JP2002553586
申请日：2001-11-29
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：シュレーダー，パウル , モノ，トビアス
IPC分类号： G02B5/30 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/701 , G03F7/70125 , G03F7/70191

28. 发明专利

JP3682022B2 Latch mechanism of pluggable transceiver 有权
公开(公告)号：JP3682022B2
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：JP2001552478
申请日：2001-01-03
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：ドーン，シェルトヴァン , シュルツ，クラウス
IPC分类号： G06F1/16 , H01R13/627 , H01R13/658
CPC分类号： H01R13/6272 , H01R13/6582 , H01R13/6594

29. 发明专利

JP2005504449A Method and apparatus of the data array 有权
公开(公告)号：JP2005504449A
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：JP2002560316
申请日：2002-01-25
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：バードワジ，サンジェイ
IPC分类号： G06F11/10 , H04J3/00 , H04J3/04 , H04J3/06 , H04J3/16 , H04L12/861
CPC分类号： H04L49/9094 , H04J3/047 , H04J3/0608 , H04J3/062 , H04J3/1617 , H04L49/90
摘要：図には、不規則なデータストリームに対するデータ操作を、連続して満たされたバイト位置を有する規則的なデータストリームを生成するために、データ配列部（４００，７００）の多重段階（４０４，４０６，７０４，７０６）に分配させる工程が記載されている。１つの特定の実施形態では、未配列データシナリオの数は、データストリーム要素の対応付けを使用することにより、減少させられる。また、複雑なデータストリームは、多重化部（４６０，４７０，７６０，７７０，７７５）および簡単な論理を、データ配列部に加えるだけで、簡単なデータストリームに対応付けられる（８３５）。誤り検出および修正のためにデータストリームが符号化または復号化されている、ハードウエアに関連付けられたネットワークプロトコルにおける実施は、検査部および生成部のより高速で、より効果的にパイプライン化された設計を招来する。したがって、この実施は、これら検査部および生成部を、より高い周波数およびより大きな帯域幅設計に対して好適なものとする。

30. 发明专利

JP2003532363A Control of brushless dc motor 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2003532363A
公开(公告)日：2003-10-28
申请号：JP2001579437
申请日：2001-04-25
申请人：インフィネオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション
发明人：コープランド，マイケル，ピー．
IPC分类号： H02P6/06 , H02P6/08 , H02P6/18 , H02P29/00
CPC分类号： H02P6/182 , H02P6/085 , H02P29/67 , H02P2209/07
摘要： (57)【要約】多相のブラシレスＤＣモータをコントロールするシステムは、モータの端子と接続されたメータ(14)を逆起電力から導かれるモータ端子の信号を示す各デジタル出力値の範囲を産生するように有し、メータ(14)に接続されたコントローラ(16)をメータ出力値をモニタすると共にモニタされるメータ出力値の極小値および極大値からモータの切り換え時間を算出するように動作可能に備えている。パルス幅変調回路(26)を設けてもよい。メータ(14)はパルス幅変調回路(26)に同期されてもよい。逆起電力の各信号内のゼロクロス点は、モータの各端子における各信号の各直接測定により識別される。本発明では、ゼロクロス点の測定に従来必要であったＡＳＩＣや複数の比較器といったセンサや複雑な回路は回避される。さらに、極小値および極大値を周期的（例えば駆動サイクル毎）に測定するので、各構成要素ドリフトや温度変化に容易に順応する。
摘要翻译：描述了用于控制多相无刷直流（DC）电动机（42）的系统和方法。一个系统包括耦合到电动机端子（A，B，C）的计量器（14），并且适于产生表示反电动势信号可从其得到的电动机端子信号的数字输出值（44）的范围。系统（10）还可以包括耦合到仪表（14,42）的控制器（16），并且可操作以控制仪表输出值的范围并且基于所监视的局部最小仪表输出来计算电动机换向时间值和受监控的局部最大仪表输出值。可以提供脉宽调制（PWM）电路（26），并且仪表（14,42）可以与PWM电路（26）同步。基于电动机端子处的信号的直接测量来识别反电动势信号中的过零点。

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