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21. 发明专利

TWI639156B 半導體記憶元件-含導通之浮體電晶體，半導體記憶元件-具有非永久性和永久性功能及操作方法有权
简体标题：半导体记忆组件-含导通之浮体晶体管，半导体记忆组件-具有非永久性和永久性功能及操作方法
公开(公告)号：TWI639156B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106139016
申请日：2011-02-08
申请人：季諾半導體股份有限公司 , ZENO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：魏迪傑尤諾歐德 , WIDJAJA, YUNIARTO , 歐貝克凡 , OR-BACH, ZVI
IPC分类号： G11C11/34

22. 发明专利

TWI566243B 半導體記憶元件-含導通之浮體電晶體，半導體記憶元件-具有非永久性和永久性功能及操作方法有权
简体标题：半导体记忆组件-含导通之浮体晶体管，半导体记忆组件-具有非永久性和永久性功能及操作方法
公开(公告)号：TWI566243B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW100104199
申请日：2011-02-08
申请人：季諾半導體股份有限公司 , ZENO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：魏迪傑尤諾歐德 , WIDJAJA, YUNIARTO , 歐貝克凡 , OR-BACH, ZVI
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C11/404 , G11C11/565 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , G11C16/06 , G11C2211/4016 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7841 , H01L29/788 , H01L29/7881

23. 发明授权

EP2815402B1 MEMORY CELL COMPRISING FIRST AND SECOND TRANSISTORS AND METHODS OF OPERATING 有权
公开(公告)号：EP2815402B1
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：EP13748573.6
申请日：2013-02-15
申请人： Zeno Semiconductor , Inc.
发明人： WIDJAJA, Yuniarto , LOUIE, Benjamin S. , HAN, Jin-Woo
IPC分类号： G11C11/40 , H01L21/8239 , H01L27/10 , G11C11/403 , G11C7/02 , H01L29/78 , H01L27/108

24. 发明公开

EP2815402A4 MEMORY CELL COMPRISING FIRST AND SECOND TRANSISTORS AND METHODS OF OPERATING 有权
标题翻译：与第一和第二晶体管及其操作方法MEMORY CELL
公开(公告)号：EP2815402A4
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：EP13748573
申请日：2013-02-15
申请人： ZENO SEMICONDUCTOR INC
发明人： WIDJAJA YUNIARTO , LOUIE BENJAMIN S , HAN JIN-WOO
IPC分类号： G11C11/40 , G11C11/403 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC分类号： G11C7/02 , G11C11/403 , G11C2211/4016 , H01L27/10802 , H01L29/7841

25. 发明公开

EP2815402A1 MEMORY CELL COMPRISING FIRST AND SECOND TRANSISTORS AND METHODS OF OPERATING 有权
标题翻译：与第一和第二晶体管及其操作方法MEMORY CELL
公开(公告)号：EP2815402A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：EP13748573.6
申请日：2013-02-15
申请人： Zeno Semiconductor , Inc.
发明人： WIDJAJA, Yuniarto , LOUIE, Benjamin S. , HAN, Jin-Woo
IPC分类号： G11C11/40 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC分类号： G11C7/02 , G11C11/403 , G11C2211/4016 , H01L27/10802 , H01L29/7841
摘要： Semiconductor memory cells, array and methods of operating are disclosed. In one instance, a memory cell includes a bi-stable floating body transistor and an access device; wherein the bi-stable floating body transistor and the access device are electrically connected in series.

26. 发明公开

EP2532005A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR, AND HAVING BOTH VOLATILE AND NON-VOLATILE FUNCTIONALITY AND METHOD 无效
标题翻译：半导体存储装置电浮动与易失性和不挥发功能和方法体晶体管
公开(公告)号：EP2532005A1
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：EP11740503.5
申请日：2011-02-07
申请人： Zeno Semiconductor , Inc.
发明人： WIDJAJA, Yuniarto , OR-BACH, Zvi
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C11/404 , G11C11/565 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , G11C16/06 , G11C2211/4016 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7841 , H01L29/788 , H01L29/7881
摘要： A semiconductor memory cell includes a floating body region configured to be charged to a level indicative of a state of the memory cell; a first region in electrical contact with said floating body region; a second region in electrical contact with said floating body region and spaced apart from said first region; and a gate positioned between said first and second regions. The cell may be a multi-level cell. Arrays of memory cells are disclosed for making a memory device. Methods of operating memory cells are also provided.
摘要翻译：一种半导体存储单元包括被配置为被充电到指示所述存储器单元的状态的电平的浮体区; 在与所述浮体区电接触的第一区域; 在与所述浮体区和从所述第一区域间隔开的电接触的第二区; 和栅极，所述第一和第二区域之间的位置。所述细胞可以是多级单元。存储单元阵列是游离缺失盘制造的存储器装置。因此提供了操作存储器单元的方法。

27. 发明专利

TW202004756A 包括電性浮體電晶體的記憶裝置审中-公开
简体标题：包括电性浮体晶体管的记忆设备
公开(公告)号：TW202004756A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108113471
申请日：2019-04-17
申请人：美商季諾半導體股份有限公司 , ZENO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：魏迪傑尤諾歐德 , WIDJAJA, YUNIARTO , 韓珍優 , HAN, JIN-WOO
IPC分类号： G11C11/40
摘要：本發明提供一種半導體記憶格，包括具有兩種穩定狀態的電性浮體區。本發明還提供一種操作該半導體記憶格的方法。
简体摘要：本发明提供一种半导体记忆格，包括具有两种稳定状态的电性浮体区。本发明还提供一种操作该半导体记忆格的方法。

28. 发明专利

TW201842652A 包含初級和二級電晶體之儲存單元及其操作方法审中-公开
简体标题：包含初级和二级晶体管之存储单元及其操作方法
公开(公告)号：TW201842652A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107127135
申请日：2013-02-18
申请人：美商季諾半導體股份有限公司 , ZENO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：魏迪傑尤諾歐德 , WIDJAJA, YUNIARTO , 歐貝克凡 , OR-BACH, ZVI
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/78
摘要：在此公開半導體儲存單元、陣列和操作方法。在一個實例中，一個儲存單元包括一個雙穩態浮體電晶體和一個記憶體裝置；其特徵在於，上述雙穩態浮體電晶體和一個記憶體件被串聯電連接。
简体摘要：在此公开半导体存储单元、数组和操作方法。在一个实例中，一个存储单元包括一个双稳态浮体晶体管和一个内存设备；其特征在于，上述双稳态浮体晶体管和一个内存件被串联电连接。

29. 发明专利

TWI613648B 半導體記憶元件-含導通之浮體電晶體，半導體記憶元件-具有非永久性和永久性功能及操作方法有权
简体标题：半导体记忆组件-含导通之浮体晶体管，半导体记忆组件-具有非永久性和永久性功能及操作方法
公开(公告)号：TWI613648B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105133561
申请日：2011-02-08
申请人：季諾半導體股份有限公司 , ZENO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：魏迪傑尤諾歐德 , WIDJAJA, YUNIARTO , 歐貝克凡 , OR-BACH, ZVI
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C11/404 , G11C11/565 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , G11C16/06 , G11C2211/4016 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7841 , H01L29/788 , H01L29/7881

30. 发明专利

TW201705135A 半導體記憶元件-含導通之浮體電晶體，半導體記憶元件-具有非永久性和永久性功能及操作方法审中-公开
简体标题：半导体记忆组件-含导通之浮体晶体管，半导体记忆组件-具有非永久性和永久性功能及操作方法
公开(公告)号：TW201705135A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105133561
申请日：2011-02-08
申请人：季諾半導體股份有限公司 , ZENO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：魏迪傑尤諾歐德 , WIDJAJA, YUNIARTO , 歐貝克凡 , OR-BACH, ZVI
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C11/404 , G11C11/565 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , G11C16/06 , G11C2211/4016 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7841 , H01L29/788 , H01L29/7881
摘要：一個半導體記憶體單元包括一個配置用來充至一定程度表明記憶體單元狀態之浮體區；一個與所述浮體區電氣接觸之第一區；一個與所述浮體區電氣接觸並與所述第一區間隔開來之第二區；一個位於所述第一和第二區之間之門；以及一個配置用來將電荷注入到浮體區內，或從浮體區抽出並保持記憶體單元所述狀態之回饋偏壓區。在回饋偏壓區施加回饋偏壓，補償了浮體之充電漏泄並在單元上實現了保持操作。該單元可為多級單元。本發明公開了組成一個記憶體元件之多個記憶體單元陣列。本發明公開了，在不打擾存取記憶體單元之情況下，維護記憶體單元狀態之多種方法，包括在單元上施加一個回饋偏壓來補償該單元浮體之充電漏泄，其中浮體之電荷水準表示記憶體單元之狀態；以及存取單元。一個半導體記憶體單元包括：一個限定至少半導體記憶體單元表面一部分之浮體區；該浮體區具有第一種傳導率類型；以及一個位於半導體記憶體單元內部，並在浮體區附近之埋置區，其中埋置區具有第二種傳導率類型。一個積體電路包括一節或一串半導體記憶體單元，其中每個記憶體單元包括一個用來儲存資料之浮體區。該節或串包括至少一個觸點，將記憶體單元電氣連接到至少一條控制線上，而且節或串上之觸點數量等於或小於該節或串上記憶體單元之數量。一個記憶體單元，記憶體元件和操作方法包括：當記憶體單元有電源供應時，將記憶體單元作為一個易失性記憶體單元進行操作；一旦記憶體單元斷電，將記憶體單元之不易失性記憶體重定到預設狀態；並執行一個遮蔽操作，其中不動態記憶體單元之內容存入不易失性記憶體中。一種操作記憶體單元之方法包括，提供一個具有多個記憶體單元之記憶體元件，每個記憶體單元具有一個作為易失性記憶體進行資料保存之浮體，以及一個作為不易失性記憶體進行資料保存之阻擋層；而且至少操作一個記憶體單元為一個不易失性記憶體單元，獨立於各自記憶體單元之不易失性記憶體。具有易失和不易失兩種模式和操作方法之半導體記憶體：一個半導體記憶體單元包括，一個能儲存不動態記憶體狀態浮體之襯底，和一個用來儲存不動態記憶體狀態之浮動柵或阻擋層。當浮動柵或阻擋層配置用來接收動態記憶體所存之資料轉移，並在記憶體單元電源中斷時作為不易失性記憶體進行資料保存。
简体摘要：一个半导体内存单元包括一个配置用来充至一定程度表明内存单元状态之浮体区；一个与所述浮体区电气接触之第一区；一个与所述浮体区电气接触并与所述第一区间隔开来之第二区；一个位于所述第一和第二区之间之门；以及一个配置用来将电荷注入到浮体区内，或从浮体区抽出并保持内存单元所述状态之回馈偏压区。在回馈偏压区施加回馈偏压，补偿了浮体之充电漏泄并在单元上实现了保持操作。该单元可为多级单元。本发明公开了组成一个内存组件之多个内存单元数组。本发明公开了，在不打扰存取内存单元之情况下，维护内存单元状态之多种方法，包括在单元上施加一个回馈偏压来补偿该单元浮体之充电漏泄，其中浮体之电荷水准表示内存单元之状态；以及存取单元。一个半导体内存单元包括：一个限定至少半导体内存单元表面一部分之浮体区；该浮体区具有第一种传导率类型；以及一个位于半导体内存单元内部，并在浮体区附近之埋置区，其中埋置区具有第二种传导率类型。一个集成电路包括一节或一串半导体内存单元，其中每个内存单元包括一个用来存储数据之浮体区。该节或串包括至少一个触点，将内存单元电气连接到至少一条控制在线，而且节或串上之触点数量等于或小于该节或串上内存单元之数量。一个内存单元，内存组件和操作方法包括：当内存单元有电源供应时，将内存单元作为一个易失性内存单元进行操作；一旦内存单元断电，将内存单元之不易失性内存重定到默认状态；并运行一个屏蔽操作，其中不动态内存单元之内容存入不易失性内存中。一种操作内存单元之方法包括，提供一个具有多个内存单元之内存组件，每个内存单元具有一个作为易失性内存进行数据保存之浮体，以及一个作为不易失性内存进行数据保存之阻挡层；而且至少操作一个内存单元为一个不易失性内存单元，独立于各自内存单元之不易失性内存。具有易失和不易失两种模式和操作方法之半导体内存：一个半导体内存单元包括，一个能存储不动态内存状态浮体之衬底，和一个用来存储不动态内存状态之浮动栅或阻挡层。当浮动栅或阻挡层配置用来接收动态内存所存之数据转移，并在内存单元电源中断时作为不易失性内存进行数据保存。

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