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21. 发明专利

JP4550182B2 High density mos technology power device structure 有权
公开(公告)号：JP4550182B2
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：JP13955599
申请日：1999-05-20
申请人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.
发明人：マグリアンジェロ , フリシナフェッルッチオ
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L29/4238 , H01L29/7802
摘要： High density MOS technology power device structure, comprising body regions (31A-31D) of a first conductivity type formed in a semiconductor layer (1) of a second conductivity type, characterized in that said body regions comprise at least one plurality of substantially rectilinear and substantially parallel body stripes (32) each joined at its ends to adjacent body stripes (32) by means of junction regions (33), so that said at least one plurality of body stripes (32) and said junction regions (33) form a continuous, serpentine-shaped body region (31A-31D).

23. 发明专利

JP4332328B2 eeprom and a method of manufacturing the same having a floating gate 有权
公开(公告)号：JP4332328B2
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：JP2002203102
申请日：2002-07-11
申请人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.
发明人：ジャンフランコ・チェロフォリーニ , ジュゼッペ・フェルラ
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L21/28167 , H01L29/51
摘要： A method of fabricating a MOS transistor with a controllable and modulatable conduction path through a dielectric gate oxide is disclosed, wherein the transistor structure comprises a dielectric oxide layer (3) formed between two silicon plates (1,2), and wherein the silicon plates (1,2) overhang the oxide layer (3) all around to define an undercut (5) having a substantially rectangular cross-sectional shape. The method comprises the steps of: chemically altering the surfaces of the silicon plates (1,2) to have different functional groups (6,7) provided in the undercut (5) from those in the remainder of the surfaces; and selectively reacting the functional groups (6,7) provided in the undercut (5) with an organic molecule (8) having a reversibly reducible center and a molecular length substantially equal to the width of the undercut (5), thereby to establish a covalent bond to each end of the organic molecule (8).

24. 发明专利

JP4301600B2 Reconstruction filter 有权
公开(公告)号：JP4301600B2
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：JP23985798
申请日：1998-08-26
申请人：エッセ・ティ・ミクロエレクトロニクス・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータStmicroelectronics S.R.L.
发明人：ジェルマノ・ニコッリーニ , ピエランジェロ・コンファロニエーリ
IPC分类号： H03H11/12 , H03M1/08 , H03H11/04
CPC分类号： H03H11/126

26. 发明专利

JP2009508346A Semiconductor structure, a phase change memory device having a heater particularly uniform height 审中-公开
公开(公告)号：JP2009508346A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：JP2008530517
申请日：2006-09-13
申请人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.
发明人：カルポフイリヤ , ユドンキム , ミングジム , シャームプラサドティーガプラム , ジンウークリー
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126
摘要：ヒータ（２６）に沿って延在するカルコゲナイドメモリ領域（２８）を持つ複数の相変化メモリ装置によって形成した相変化メモリ。ヒータ（２６）はすべて比較的均一な高さを持つ。高さの均一性は、エッチングストップ層（１８）および犠牲層（２４）を有する絶縁体における細孔内にヒータを形成することにより生ずる。犠牲層は化学機械的平坦化のようなエッチング処理により除去する。エッチングストップ層が繰り返し可能に形成され、ウエハ上のすべてのメモリ装置で共通であるため、ヒータ高さには、かなりの均一性が得られる。ヒータ高さの均一性の結果として、プログラムされるメモリ特性がより均一となる。

30. 发明专利

JP2007115243A Method for controlling pedometer based on use of inertia sensor and pedometer for executing the same method 有权
标题翻译：基于使用激光传感器和计量器执行相同方法的方法
公开(公告)号：JP2007115243A
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：JP2006272099
申请日：2006-10-03
申请人： St Microelectron Srl , エスティーミクロエレクトロニクス・エス・アール・エルSTMicroelectronics S.r.l.
发明人： PASOLINI FABIO , BINDA IVO
IPC分类号： G06M3/00 , G01C22/00
CPC分类号： G01C22/006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for controlling a highly reliable pedometer based on the use of an inertia sensor and a pedometer for executing the method.
SOLUTION: A method for controlling a pedometer includes the steps of: generating a signal (Az) correlated to the movement of a user of the pedometer; and detecting the walking steps of the user (200-225, 300-320) on the basis of the signal (Az). The method moreover envisages the steps of checking whether sequences of detected walking steps (K-2, K-1, K) satisfy the predetermined conditions of regularity (230, 320, 345); updating a total number of valid walking steps (N
VT , 265, 325, 350) when the conditions of regularity (230, 320, 345) are satisfied; and preventing the updating of the total number of valid walking steps (N
VT ) when the conditions of regularity (230, 320, 345) are not satisfied.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基于使用用于执行该方法的惯性传感器和计步器来控制高可靠性计步器的方法。解决方案：一种用于控制计步器的方法包括以下步骤：产生与计步器用户的移动相关的信号（Az）; 以及基于信号（Az）检测用户（200-225,3300-320）的步行步骤。该方法还设想检查检测到的步行步骤（K-2，K-1，K）的序列是否满足预定的规律条件（230,320,345）的步骤; 当满足规律性条件（230,320,345）时，更新有效步行步骤的总数（N VT ，265,325,350）; 并且当不满足规则性条件（230,320,345）时，阻止更新有效行走步骤的总数（N VT ）。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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