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    • 22. 发明专利
    • 引線框架的製造方法及引線框架
    • 引线框架的制造方法及引线框架
    • TW201841271A
    • 2018-11-16
    • TW107101536
    • 2018-01-16
    • 日商三井高科技股份有限公司MITSUI HIGH-TEC, INC.
    • 石橋貴弘ISHIBASHI, TAKAHIRO
    • H01L21/60H01L23/495
    • 本發明提供一種可抑制在晶片之側面產生密封樹脂的剝離或裂縫的引線框架的製造方法及引線框架。引線框架的製造方法係包含:圖案形成步驟、遮罩步驟及鍍覆步驟。圖案形成步驟係在金屬板形成包含晶片墊、複數根引線及虛設墊的圖案,該複數根引線係設置於晶片墊的周圍,該虛設墊係設置成將晶片墊中面對於複數根引線之側面與複數根引線之間阻斷。遮罩步驟係在圖案形成步驟之後,以鍍覆遮罩覆蓋金屬板的正面,該鍍覆遮罩係覆蓋晶片墊的整體與虛設墊的至少一部分,並且形成有使複數根引線中之晶片墊側的前端部露出的開口部。鍍覆步驟係在遮罩步驟之後,經由鍍覆遮罩的開口部於複數根引線的前端部形成鍍覆膜。
    • 本发明提供一种可抑制在芯片之侧面产生密封树脂的剥离或裂缝的引线框架的制造方法及引线框架。引线框架的制造方法系包含:图案形成步骤、遮罩步骤及镀覆步骤。图案形成步骤系在金属板形成包含芯片垫、复数根引线及虚设垫的图案,该复数根引线系设置于芯片垫的周围,该虚设垫系设置成将芯片垫中面对于复数根引线之侧面与复数根引线之间阻断。遮罩步骤系在图案形成步骤之后,以镀覆遮罩覆盖金属板的正面,该镀覆遮罩系覆盖芯片垫的整体与虚设垫的至少一部分,并且形成有使复数根引线中之芯片垫侧的前端部露出的开口部。镀覆步骤系在遮罩步骤之后,经由镀覆遮罩的开口部于复数根引线的前端部形成镀覆膜。
    • 23. 发明专利
    • 引線框架及其製造方法
    • 引线框架及其制造方法
    • TW201737449A
    • 2017-10-16
    • TW106101749
    • 2017-01-18
    • 三井高科技股份有限公司MITSUI HIGH-TEC, INC.
    • 石橋貴弘ISHIBASHI, TAKAHIRO
    • H01L23/50H01L21/301
    • H01L23/50
    • 一種提供引線框架及其製造方法,能防止連接桿變形,並且抑制切斷飛邊和刀具磨損,能提高良好的生產率。提供包括在縱向、橫向或縱橫方向彼此鄰接的多個單位引線框架的引線框架及其製造方法。單位引線框架包括元件裝載部、具備端子部的引線和連接桿。引線配置在元件裝載部周圍。借助連接桿將鄰接的單位引線框架的引線彼此連接。連接桿的主體設有第一加強部和第二加強部,第一加強部與引線的連接側端部連接。第二加強部把在連接桿長邊方向上相鄰的第一加強部彼此連接,且寬度比連接桿主體的寬度窄。第一加強部具有在其厚度方向上凹陷的凹部。
    • 一种提供引线框架及其制造方法,能防止连接杆变形,并且抑制切断飞边和刀具磨损,能提高良好的生产率。提供包括在纵向、横向或纵横方向彼此邻接的多个单位引线框架的引线框架及其制造方法。单位引线框架包括组件装载部、具备端子部的引线和连接杆。引线配置在组件装载部周围。借助连接杆将邻接的单位引线框架的引线彼此连接。连接杆的主体设有第一加强部和第二加强部,第一加强部与引线的连接侧端部连接。第二加强部把在连接杆长边方向上相邻的第一加强部彼此连接,且宽度比连接杆主体的宽度窄。第一加强部具有在其厚度方向上凹陷的凹部。