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21. 发明专利

JP2014169788A Cylinder valve for pressurized gas cylinder and gas cylinder with such cylinder valve 审中-公开
标题翻译：用于加压气缸和气缸的气缸与这种气缸
公开(公告)号：JP2014169788A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2014036947
申请日：2014-02-27
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： MARCO ARZENTON , SILVANO BENDAZZOLI , IVAN PEZZO
IPC分类号： F16K11/00 , F16K31/44
CPC分类号： G05D16/0655 , F17C13/04 , F17C2205/0329 , F17C2205/0332 , F17C2205/0338 , F17C2205/035 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2227/048 , F17C2250/043 , F17C2250/0626 , F17C2250/0636 , F17C2260/01 , F17C2260/021 , F17C2260/036 , F17C2270/02 , G05D7/0113 , Y10T137/7821 , Y10T137/7831
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a valve assembly in which a valve can be operated with an appropriate procedure in a high pressure gas discharging circuit.SOLUTION: A cylinder valve is provided which includes: a body 1 including a mounting end part 14 for attachment in the opening of a pressurized fluid cylinder 2; an internal withdrawing circuit 4 including a first end part 14 located at the mounting end part and a second end part 24 located at an outlet port 5 located in the body 1, the withdrawing circuit 4 including an isolation valve 6 and a regulating device 7 for regulating selectively the flow rate and/or the pressure of the fluid flowing in the withdrawing circuit 4, the isolation valve 6 and the regulating device 7 being controlled by manual actuating organs 16, 17 located on the body 1, the actuating organ 17 being mobile relative to the body 1 between a first position setting a flow rate or a regulated pressure to defined minimum value and at least a second position setting a flow rate or a regulated pressure to a defined maximum value, the cylinder valve further includes a return organ 8 urged by default of the actuating organ 17 controlling the regulating device 7 toward its first position.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种阀组件，其中可以以适当的程序在高压气体放电回路中操作阀。解决方案：提供一种气缸阀，其包括：主体1，其包括用于附接的安装端部14 在加压流体缸2的开口中; 包括位于安装端部的第一端部14和位于本体1中的出口5的第二端部24的内部抽出回路4，包括隔离阀6的排出回路4和用于选择性地调节在抽吸回路4中流动的流体的流量和/或压力，隔离阀6和调节装置7由位于主体1上的手动致动器官16,17控制，致动器官17可移动相对于主体1在设定流量或调节压力至限定的最小值的第一位置和将流量或调节压力设定为规定的最大值的至少第二位置之间，气缸阀还包括返回器官8 通过将调节装置7向其第一位置控制的致动器17默认地被推动。

22. 发明专利

JP2013070077A Formation method of silicon oxide containing film 有权
标题翻译：含氧化硅膜的形成方法
公开(公告)号：JP2013070077A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：JP2012254063
申请日：2012-11-20
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： CHRISTIAN DUSARA , JULIEN GATINEAU , YANAGIDA KAZUTAKA , TSUKADA ERI , SUZUKI IKUO
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/0228 , H01L21/31612
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method of a silicon oxide containing film on a substrate at a temperature of 400°C or lower for preventing or limiting formation of OH bond between SiO2 film formation.SOLUTION: The formation method of a silicon oxide containing film includes the steps a) for housing a substrate in a PECVD reaction chamber 11, b) for injecting at least one silicon containing compound, here a bis(diethylamino)silane, into the reaction chamber, c) for injecting at least one oxygen containing gas selected from a group consisting of ozone, oxygen, and/or moisture into the reaction chamber, d) for causing reaction of at least one silicon containing compound and at least one oxygen containing gas in the reaction chamber at a temperature lower than 400°C in order to obtain a silicon oxide containing film deposited on the substrate, and e) for repeating the steps b)-d) until a desired film thickness is obtained.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在400℃或更低的温度下在基底上提供含氧化硅膜的形成方法，以防止或限制SiO 2膜形成之间的OH键的形成。解决方案：含氧化硅膜的形成方法包括以下步骤a）用于在PECVD反应室11中容纳衬底，b）用于将至少一种含硅化合物（这里为双（二乙基氨基）硅烷）注入到反应室，c）用于将至少一种选自臭氧，氧气和/或水分的含氧气体注入反应室，d）使至少一种含硅化合物与至少一种氧气在低于400℃的温度下在反应室中含有气体，以获得沉积在基材上的含氧化硅膜，e）重复步骤b）-d）直到获得所需的膜厚。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

23. 发明专利

JP2012252717A Pipeline optimizer system 有权
标题翻译：管道优化系统
公开(公告)号：JP2012252717A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：JP2012185321
申请日：2012-08-24
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： CHARLES NEELY HARPER , MICHAEL TIMOTHY BOKZON
IPC分类号： G06F19/00 , F17D3/01 , G06N3/00 , G06Q10/04 , G06Q50/06
CPC分类号： F17D3/00 , G06N3/126
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pipeline optimizer system.SOLUTION: One embodiment of the invention provides a method for optimizing a variety of aspects of pipeline operations by using a genetic algorithm. Generally, the genetic algorithm is used to evolve a population of feasible solutions over successive generations until a termination condition is satisfied. Each solution specifies a feasible operational state of the pipeline system. Over successive generations, existing solutions are modified, and an identified solution in the population is removed at each successive generation. Over repeated generations, the solutions in the population improve. Once an optimized production solution is generated, an optimized pressure solution may be generated using a direct pressure optimization process.
摘要翻译：要解决的问题：提供管道优化器系统。解决方案：本发明的一个实施例提供了一种通过使用遗传算法来优化管道操作的各个方面的方法。通常，遗传算法用于在连续世代中演化可行解的群体，直到满足终止条件。每个解决方案指定管道系统的可行运行状态。在连续几代中，修改现有解决方案，并在每个连续的一代中删除群体中的识别解决方案。多次重复，群众解决方案得到改善。一旦生成了优化的生产解决方案，可以使用直接压力优化过程产生优化的压力解决方案。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

24. 发明专利

TW201841879A 用於低ｋ值蝕刻製程期間最小化側壁損壞的方法审中-公开
简体标题：用于低ｋ值蚀刻制程期间最小化侧壁损坏的方法
公开(公告)号：TW201841879A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106145725
申请日：2017-12-26
申请人：法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 , L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
发明人：徐志宇 , HSU, CHIH YU , 沈鵬 , SHEN, PENG , 史特佛納坦 , STAFFORD, NATHAN
IPC分类号： C07C255/10 , C07C255/07 , C07C255/09 , C07C251/08 , C07C251/26 , C07C211/03 , H01L21/3065
摘要：揭示用於低k值蝕刻製程期間最小化側壁損壞的方法。該等方法使用具有選自由以下組成之群之式的有機氟化合物的電漿活化蒸氣蝕刻低k值層：N≡C-R；(N≡C-)-(R)-(-C≡N)；Rx[-C=N(Rz)]y；及R(3-a)-N-Ha，其中a=1-2，x=1-2，y=1-2，z=0-1，x+z=1-3，且各R獨立地具有式HaFbCc，其中a=0-11，b=0-11，且c=0-5。
简体摘要：揭示用于低k值蚀刻制程期间最小化侧壁损坏的方法。该等方法使用具有选自由以下组成之群之式的有机氟化合物的等离子活化蒸气蚀刻低k值层：N≡C-R；(N≡C-)-(R)-(-C≡N)；Rx[-C=N(Rz)]y；及R(3-a)-N-Ha，其中a=1-2，x=1-2，y=1-2，z=0-1，x+z=1-3，且各R独立地具有式HaFbCc，其中a=0-11，b=0-11，且c=0-5。

27. 发明专利

TW201732210A 製氧系統及製氧方法审中-公开
简体标题：制氧系统及制氧方法
公开(公告)号：TW201732210A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105132185
申请日：2016-10-05
申请人：液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 , L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
发明人：廣瀬献児 , HIROSE, KENJI , 梶川豪 , KAJIKAWA, GO , 守屋享祐 , MORIYA, KYOSUKE , 永田大祐 , NAGATA, DAISUKE
IPC分类号： F25J3/04
CPC分类号： F25J3/0409 , F25J3/04066 , F25J3/04206 , F25J3/04284 , F25J3/044 , F25J3/04872 , F25J3/04963 , F25J2200/94 , F25J2205/04 , F25J2230/52 , F25J2240/42 , F25J2245/02 , F25J2245/50 , F25J2250/10 , F25J2250/50 , F25J2250/52
摘要：提供一種製氧系統，該製氧系統可以在減少對現有製氮方法的影響的同時有效地生產高純度氧氣和高純度液態氧中的至少一者。一種製氧系統，該製氧系統包括製氮裝置和製氧裝置，該製氧裝置包括：將冷卻的加壓空氣引入其中的容器(A)；以及精餾塔(C)，該精餾塔包括在其下部部分中提供的冷凝器-蒸發器(B)，該製氧系統包括：第一流動通道，該第一流動通道排出儲存在該容器(A)的底部的液體；第二流動通道，該第二流動通道將通過該第一流動通道排出的液體的一部分引入至該精餾塔(C)的上部部分內；第三流動通道，該第三流動通道從該製氮裝置排出富氧液化空氣的至少一部分、並且將該富氧液化空氣引入至該精餾塔(C)的中間階段內；第四流動通道，該第四流動通道從該第一流動通道分出、並且將該液體的至少一部分引入至該製氮裝置內作為冷源；以及第五流動通道，該第五流動通道從一個位置排出由於由該液化空氣產生的冷凝熱已經在該冷凝器-蒸發器(B)內汽化的氧氣，在該位置處從該精餾塔(C)的底部的理論塔板數係在5至10的範圍內。
简体摘要：提供一种制氧系统，该制氧系统可以在减少对现有制氮方法的影响的同时有效地生产高纯度氧气和高纯度液态氧中的至少一者。一种制氧系统，该制氧系统包括制氮设备和制氧设备，该制氧设备包括：将冷却的加压空气引入其中的容器(A)；以及精馏塔(C)，该精馏塔包括在其下部部分中提供的冷凝器-蒸发器(B)，该制氧系统包括：第一流动信道，该第一流动信道排出存储在该容器(A)的底部的液体；第二流动信道，该第二流动信道将通过该第一流动信道排出的液体的一部分引入至该精馏塔(C)的上部部分内；第三流动信道，该第三流动信道从该制氮设备排出富氧液化空气的至少一部分、并且将该富氧液化空气引入至该精馏塔(C)的中间阶段内；第四流动信道，该第四流动信道从该第一流动信道分出、并且将该液体的至少一部分引入至该制氮设备内作为冷源；以及第五流动信道，该第五流动信道从一个位置排出由于由该液化空气产生的冷凝热已经在该冷凝器-蒸发器(B)内汽化的氧气，在该位置处从该精馏塔(C)的底部的理论塔板数系在5至10的范围内。

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