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11. 发明专利

TW200631701A 導電塗料用金屬粉及導電塗料 METAL POWER FOR ELECTRICALLY CONDUCTIVE PASTE AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE PASTE 审中-公开
简体标题：导电涂料用金属粉及导电涂料 METAL POWER FOR ELECTRICALLY CONDUCTIVE PASTE AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE PASTE
公开(公告)号：TW200631701A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095103018
申请日：2006-01-26
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：山科浩之 YAMASHINA, HIROYUKI , 藤田英史 FUJITA, HIDEFUMI , 茨木達哉 IBARAKI, TATUYA
IPC分类号： B22F , C09D
CPC分类号： B22F1/0007 , B22F1/0055 , B22F2998/00 , F28F13/00 , F28F2013/006 , H05K1/092 , B22F1/0011
摘要：本發明係提供一種導電塗料用金屬粉，於塗料燒後可獲得空隙率少的導體。本發明之導電塗料用金屬粉，係平均粒徑D50為5μm以下，並且以下列式(1)所定義之X值為0.5以下X值=D50(μm)/BET比表面積(m^2/g)……(1)。尤其是，較理想的對象為，於金屬粉的粒子表面上存在有150nm直徑以下之「疣狀突起」者。關於金屬粉的種類，可列舉有Cu、Ag、Au、Pd、Pt、Ni、Al及該等金屬的合金。
简体摘要：本发明系提供一种导电涂料用金属粉，于涂料烧后可获得空隙率少的导体。本发明之导电涂料用金属粉，系平均粒径D50为5μm以下，并且以下列式(1)所定义之X值为0.5以下X值=D50(μm)/BET比表面积(m^2/g)……(1)。尤其是，较理想的对象为，于金属粉的粒子表面上存在有150nm直径以下之“疣状突起”者。关于金属粉的种类，可枚举有Cu、Ag、Au、Pd、Pt、Ni、Al及该等金属的合金。

12. 发明专利

TW200631697A 銀粒子粉末及其製造方法 POWDER OF SILVER PARTICLES AND PROCESS 审中-公开
简体标题：银粒子粉末及其制造方法 POWDER OF SILVER PARTICLES AND PROCESS
公开(公告)号：TW200631697A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095103417
申请日：2006-01-27
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：佐藤王高 SATO, KIMITAKA
IPC分类号： B22F , B01F
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , H05K1/097 , H05K3/1241 , B22F2201/02 , B22F1/0022
摘要：本發明係提供一種腐蝕性成分少的銀奈米粒子粉末，其係為形成微細電路圖型之配線形成用材料，尤其適於作為經噴墨法之配線形成用材料。本發明之銀粒子粉末，藉由TEM(transmission electron microscope；穿透式電子顯微鏡)觀察所測得之平均粒徑(DTEM)為200 nm以下，縱橫比值(aspect ratio)未滿2.50，(DTEM)／(DX)在5以下〔在此(DX)表示X射線結晶粒徑〕，為I^–、C1^–、SO4^2–、NO3^–及CN^–之含量各在100 ppm以下之銀粒子粉末。在沸點85℃以上之有機溶劑中，將硝酸銀以外之銀化合物在有機保護劑之存在下，於85℃以上之溫度經由還原即可得到銀粒子粉末。
简体摘要：本发明系提供一种腐蚀性成分少的银奈米粒子粉末，其系为形成微细电路图型之配线形成用材料，尤其适于作为经喷墨法之配线形成用材料。本发明之银粒子粉末，借由TEM(transmission electron microscope；穿透式电子显微镜)观察所测得之平均粒径(DTEM)为200 nm以下，纵横比值(aspect ratio)未满2.50，(DTEM)／(DX)在5以下〔在此(DX)表示X射线结晶粒径〕，为I^–、C1^–、SO4^2–、NO3^–及CN^–之含量各在100 ppm以下之银粒子粉末。在沸点85℃以上之有机溶剂中，将硝酸银以外之银化合物在有机保护剂之存在下，于85℃以上之温度经由还原即可得到银粒子粉末。

13. 发明专利

TW200528217A 銀粉及其製造方法 SILVER POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
简体标题：银粉及其制造方法 SILVER POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TW200528217A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW094102879
申请日：2005-01-31
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：松島寬 MATSUSHIMA, HIROSHI , 尾木孝造 OGI, KOZO
IPC分类号： B22F
CPC分类号： H01C17/283 , H05K1/092 , H05K1/167 , H05K3/107 , Y10T74/19456
摘要：已提供一種製造銀粉的方法，該銀粉係具有絕佳分散性並能形成一不會因為相分離而形成懸浮物質且可被印刷於基板上以形成一具有均勻厚度的薄膜之糊膏。在該方法中，一鹼或錯合劑被添加至含銀鹽水溶液以形成含氧化銀淤漿或含銀錯鹽水溶液。在添加還原劑至該含氧化銀淤漿或含銀錯鹽水溶液以藉還原作用使銀顆粒沈澱的之後或之前，至少一螯合劑係添加至該含銀粉之淤漿溶液以作為分散劑，該螯合劑係選自於由具有唑類結構的化合物、二羧酸、羥基羧酸以及該等之鹽類所構成的群組。
简体摘要：已提供一种制造银粉的方法，该银粉系具有绝佳分散性并能形成一不会因为相分离而形成悬浮物质且可被印刷于基板上以形成一具有均匀厚度的薄膜之煳膏。在该方法中，一碱或错合剂被添加至含银盐水溶液以形成含氧化银淤浆或含银错盐水溶液。在添加还原剂至该含氧化银淤浆或含银错盐水溶液以藉还原作用使银颗粒沈淀的之后或之前，至少一螯合剂系添加至该含银粉之淤浆溶液以作为分散剂，该螯合剂系选自于由具有唑类结构的化合物、二羧酸、羟基羧酸以及该等之盐类所构成的群组。

14. 发明专利

TW200722562A Si摻雜GaAs單結晶錠及其製造方法,暨由該Si摻雜GaAs單結晶錠所製造之Si摻雜GaAs單結晶晶圓审中-公开
简体标题： Si掺杂GaAs单结晶锭及其制造方法,暨由该Si掺杂GaAs单结晶锭所制造之Si掺杂GaAs单结晶晶圆
公开(公告)号：TW200722562A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095111439
申请日：2006-03-31
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：大鹿嘉和 YOSHIKAZU OSHIKA
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/42 , C30B11/00 , C30B27/00 , Y10T428/24355 , Y10T428/268
摘要：本發明提供一種利用每單位面積之蝕刻斑密度(EPD)所評價之結晶性値低且具有良好結晶性之Si摻雜GaAs單結晶錠,及其製造方法,暨由該Si摻雜GaAs單結晶錠之成長的後半部份所製造之Si摻雜GaAs單結晶晶圓。用其他合成爐(坩堝)合成GaAs化合物原料,於該原料中放入Si摻雜劑並製成為收納有Si摻雜劑之GaAs化合物原料31B。放入該Si摻雜劑之位置,係定為於熔融該GaAs化合物原料時低於其平均溫度之位置。當於單結晶成長裝置之坩堝插入籽晶之後,將收納有Si摻雜劑之GaAs化合物原料31B、液體密封劑32投入坩堝,裝設於單結晶成長裝置101且加熱熔融後,一邊攪拌該液體密封劑32,一邊藉由垂直型溫度傾斜法而固化熔液,使之結晶成長從而得到Si摻雜GaAs單結晶錠,由該錠之成長的後半部份製造Si摻雜GaAs單結晶晶圓。
简体摘要：本发明提供一种利用每单位面积之蚀刻斑密度(EPD)所评价之结晶性値低且具有良好结晶性之Si掺杂GaAs单结晶锭,及其制造方法,暨由该Si掺杂GaAs单结晶锭之成长的后半部份所制造之Si掺杂GaAs单结晶晶圆。用其他合成炉(坩埚)合成GaAs化合物原料,于该原料中放入Si掺杂剂并制成为收纳有Si掺杂剂之GaAs化合物原料31B。放入该Si掺杂剂之位置,系定为于熔融该GaAs化合物原料时低于其平均温度之位置。当於单结晶成长设备之坩埚插入籽晶之后,将收纳有Si掺杂剂之GaAs化合物原料31B、液体密封剂32投入坩埚,装设於单结晶成长设备101且加热熔融后,一边搅拌该液体密封剂32,一边借由垂直型温度倾斜法而固化熔液,使之结晶成长从而得到Si掺杂GaAs单结晶锭,由该锭之成长的后半部份制造Si掺杂GaAs单结晶晶圆。

15. 发明专利

TW200721411A 銲錫層、使用該銲錫層之散熱基板及其製造方法 SOLDER LAYER, HEAT-DISSIPATING SUBSTRATE USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：焊锡层、使用该焊锡层之散热基板及其制造方法 SOLDER LAYER, HEAT-DISSIPATING SUBSTRATE USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200721411A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095134416
申请日：2006-09-18
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：中野雅之 NAKANO, MASAYUKI , 大鹿嘉和 OSHIKA, YOSHIKAZU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C22C5/02 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3033 , H01L21/50 , H01L23/3735 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/04026 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/15724 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K1/111 , H05K3/3457 , H05K2201/09745 , Y02P70/611 , Y10T29/49393 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種銲錫層及使用該銲錫層之散熱基板及其製造方法,其特徵係:散熱基板(10)係具備有基板(1)、形成於基板(1)上的電極層(2)、以及形成於基板(1)上的銲錫層(3),其中,銲錫層(3)的接合强度係30MPa以上,且剪切應變係0.07以上。散熱基板亦可為副載置件(10),其具備有副載置基板(1)、形成於基板上的電極層(2)、以及形成於該基板上之銲錫層(3),其中,銲錫層(3)係填入電極層的窗部(2A),且銲錫層(3)的外周部亦可與電極層(2)連接。因此,本發明係提供一種能以高接合强度將銲錫層(3)與半導體裝置進行接合,且為低成本之副載置件(10)。
简体摘要：本发明系提供一种焊锡层及使用该焊锡层之散热基板及其制造方法,其特征系:散热基板(10)系具备有基板(1)、形成于基板(1)上的电极层(2)、以及形成于基板(1)上的焊锡层(3),其中,焊锡层(3)的接合强度系30MPa以上,且剪切应变系0.07以上。散热基板亦可为副载置件(10),其具备有副载置基板(1)、形成于基板上的电极层(2)、以及形成于该基板上之焊锡层(3),其中,焊锡层(3)系填入电极层的窗部(2A),且焊锡层(3)的外周部亦可与电极层(2)连接。因此,本发明系提供一种能以高接合强度将焊锡层(3)与半导体设备进行接合,且为低成本之副载置件(10)。

16. 发明专利

TW200712177A 螢光體及其製造方法,暨使用該螢光體之發光裝置失效
简体标题：萤光体及其制造方法,暨使用该萤光体之发光设备
公开(公告)号：TW200712177A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095125996
申请日：2006-07-17
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：永富晶 AKIRA NAGATOMI , 根堅之 KENJI SAKANE , 山田智也 TOMOYA YAMADA
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/7774 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/7706 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7739 , C09K11/7792 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/14 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種螢光體,其係與近紫外及紫外LED或藍色LED等組合而用以製作單晶片型白色LED照明等之螢光體,係以亮度為代表之發光效率優異者。其特徵在於:其係以通式MmAaBbOoNn:Z(M元素係一種以上之二價元素,A元素係一種以上之三價元素,B元素係一種以上之四價元素,O係氧,N係氮,Z元素係一種以上之賦活劑)所表示之螢光體,以a=(1+x)�m、b=(4-x)�m、o=x�m、n=(7-x)�m、0≦x≦1表示,當以波長300 nm至500 nm範圍之光激發時,於發光光譜中之峰値波長在500 nm至620 nm範圍內。
简体摘要：本发明提供一种萤光体,其系与近紫外及紫外LED或蓝色LED等组合而用以制作单芯片型白色LED照明等之萤光体,系以亮度为代表之发光效率优异者。其特征在于:其系以通式MmAaBbOoNn:Z(M元素系一种以上之二价元素,A元素系一种以上之三价元素,B元素系一种以上之四价元素,O系氧,N系氮,Z元素系一种以上之赋活剂)所表示之萤光体,以a=(1+x)�m、b=(4-x)�m、o=x�m、n=(7-x)�m、0≦x≦1表示,当以波长300 nm至500 nm范围之光激发时,于发光光谱中之峰値波长在500 nm至620 nm范围内。

17. 发明专利

TW200633799A 銀粒子粉末及其製造方法 SILVER POWDER AND METHOD OF PREPARING THE SAME 审中-公开
简体标题：银粒子粉末及其制造方法 SILVER POWDER AND METHOD OF PREPARING THE SAME
公开(公告)号：TW200633799A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW095103416
申请日：2006-01-27
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：佐藤王高 SATO, KIMITAKA
IPC分类号： B22F , B01F
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B29/02 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , B22F2201/02 , B22F1/0022
摘要：本發明之目的在於獲得一種適合做為形成微細電路圖案之配線形成用材料，特別是藉由噴墨法形成配線之材料的銀奈米粒子粉末。本發明之銀奈米粒子粉末，藉由TEM(transmission electron microscope；穿透式電子顯微鏡)觀察所測得之平均粒徑(DTEM)係在30nm以下、縱橫比(spectro ratio)未滿1.5，X射線結晶粒子徑(Dx)在30nm以下，單結晶度【(DTEM)/(Dx)】在5.0以下，以及CV值【=100×標準偏差(σ)/個數平均粒徑(DTEM)】未滿40％者，係在粒子表面有覆著分子量100至400之有機保護劑的銀奈米粒子粉末。該奈米粒子粉末係藉由在沸點為85至150℃之醇中，在有機保護劑之共存下以85至150℃的溫度進行銀鹽之還原處理而獲得。
简体摘要：本发明之目的在于获得一种适合做为形成微细电路图案之配线形成用材料，特别是借由喷墨法形成配线之材料的银奈米粒子粉末。本发明之银奈米粒子粉末，借由TEM(transmission electron microscope；穿透式电子显微镜)观察所测得之平均粒径(DTEM)系在30nm以下、纵横比(spectro ratio)未满1.5，X射线结晶粒子径(Dx)在30nm以下，单结晶度【(DTEM)/(Dx)】在5.0以下，以及CV值【=100×标准偏差(σ)/个数平均粒径(DTEM)】未满40％者，系在粒子表面有覆着分子量100至400之有机保护剂的银奈米粒子粉末。该奈米粒子粉末系借由在沸点为85至150℃之醇中，在有机保护剂之共存下以85至150℃的温度进行银盐之还原处理而获得。

18. 发明专利

TW200603922A 球形銀粉及其製造方法 SPHERICAL SILVER POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
简体标题：球形银粉及其制造方法 SPHERICAL SILVER POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TW200603922A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094116087
申请日：2005-05-18
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：尾木孝造 OGI, KOZO , 藤野剛聰 FUJINO, TAKATOSHI
IPC分类号： B22F
CPC分类号： H01B1/22 , B22F1/0011 , B22F1/0044 , B22F1/0048 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H05K1/092 , B22F1/0085
摘要：本發明提供一種球形銀粉，其具有良好的分散性，以及即使將其用來形成需在600℃或更低之低溫下燒成以形成導體之漿料，其還是能夠獲得良好的燒結度。將含有還原劑之水溶液加入含有銀離子之水反應系統中，沈積因還原反應而產生之銀粒子，以製得球形銀粉，其中晶粒直徑Dx(nm)對BET比表面積(m^2／g)之比率(Dx／BET)於5至200之範圍內，以及其具有晶粒直徑不大於40nm，以及平均粒子大小不大於5μm、振實密度不小於2g／cm^3，以及BET比表面積不大於5m^2／g。
简体摘要：本发明提供一种球形银粉，其具有良好的分散性，以及即使将其用来形成需在600℃或更低之低温下烧成以形成导体之浆料，其还是能够获得良好的烧结度。将含有还原剂之水溶液加入含有银离子之水反应系统中，沉积因还原反应而产生之银粒子，以制得球形银粉，其中晶粒直径Dx(nm)对BET比表面积(m^2／g)之比率(Dx／BET)于5至200之范围内，以及其具有晶粒直径不大于40nm，以及平均粒子大小不大于5μm、振实密度不小于2g／cm^3，以及BET比表面积不大于5m^2／g。

19. 发明专利

TW200533441A 銀粉及其製造方法 SILVER POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
简体标题：银粉及其制造方法 SILVER POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TW200533441A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094105592
申请日：2005-02-24
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：尾木孝造 OGI, KOZO , 長谷川佳生 HASEGAWA, YOSHIO
IPC分类号： B22F
CPC分类号： H01G4/0085 , B22F9/04 , B22F9/24 , B22F2009/045 , B22F2998/10 , C22B11/04 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種銀粉的製造方法，其中即使該銀粉的顆粒直徑小，其亦能減少使用該銀粉的感光性糊狀物之黏度並改善該糊狀物的薄膜狀態、靈敏度及線性。利用溼式還原方法所製造之銀粉表面可藉由用機械造成銀粉顆粒彼此碰撞之表面平滑方法來平滑化，之後，藉由分類來移除銀團聚物。藉由將經乾燥的銀粉放入一能機械流化顆粒的裝置(例如，混合器或研磨機，諸如圓柱式高速混合器)，以機械造成顆粒彼此碰撞來進行該表面平滑方法。
简体摘要：本发明提供一种银粉的制造方法，其中即使该银粉的颗粒直径小，其亦能减少使用该银粉的感光性煳状物之黏度并改善该煳状物的薄膜状态、灵敏度及线性。利用湿式还原方法所制造之银粉表面可借由用机械造成银粉颗粒彼此碰撞之表面平滑方法来平滑化，之后，借由分类来移除银团聚物。借由将经干燥的银粉放入一能机械流化颗粒的设备(例如，混合器或研磨机，诸如圆柱式高速混合器)，以机械造成颗粒彼此碰撞来进行该表面平滑方法。

20. 发明专利

TWI285568B 銀粒子粉末及其製造方法 POWDER OF SILVER PARTICLES AND PROCESS 有权
简体标题：银粒子粉末及其制造方法 POWDER OF SILVER PARTICLES AND PROCESS
公开(公告)号：TWI285568B
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：TW095103417
申请日：2006-01-27
申请人：同和業股份有限公司 DOWA MINING CO., LTD.
发明人：佐藤王高 SATO, KIMITAKA
IPC分类号： B22F , B01F
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , H05K1/097 , H05K3/1241 , B22F2201/02 , B22F1/0022
摘要：本發明係提供一種腐蝕性成分少的銀奈米粒子粉末，其係為形成微細電路圖型之配線形成用材料，尤其適於作為經噴墨法之配線形成用材料。
本發明之銀粒子粉末，藉由TEM(transmission electron microscope；穿透式電子顯微鏡)觀察所測得之平均粒徑(DTEM)為200 nm以下，縱橫比值(aspect ratio)未滿2.50，(DTEM)/(DX)在5以下[在此(DX)表示X射線結晶粒徑]，為I-、Cl-、SO42-、NO3-及CN-之含量各在100 ppm以下之銀粒子粉末。在沸點85℃以上之有機溶劑中，將硝酸銀以外之銀化合物在有機保護劑之存在下，於85℃以上之溫度經由還原即可得到銀粒子粉末。
简体摘要：本发明系提供一种腐蚀性成分少的银奈米粒子粉末，其系为形成微细电路图型之配线形成用材料，尤其适于作为经喷墨法之配线形成用材料。本发明之银粒子粉末，借由TEM(transmission electron microscope；穿透式电子显微镜)观察所测得之平均粒径(DTEM)为200 nm以下，纵横比值(aspect ratio)未满2.50，(DTEM)/(DX)在5以下[在此(DX)表示X射线结晶粒径]，为I-、Cl-、SO42-、NO3-及CN-之含量各在100 ppm以下之银粒子粉末。在沸点85℃以上之有机溶剂中，将硝酸银以外之银化合物在有机保护剂之存在下，于85℃以上之温度经由还原即可得到银粒子粉末。

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