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11. 发明授权

US09133564B2 Ammonothermal growth of group-III nitride crystals on seeds with at least two surfaces making an acute, right or obtuse angle with each other 有权
标题翻译： III族氮化物晶体在具有至少两个表面的种子上的等温生长彼此形成锐角，右或钝角
公开(公告)号：US09133564B2
公开(公告)日：2015-09-15
申请号：US13283862
申请日：2011-10-28
申请人： Siddha Pimputkar , James S. Speck , Shuji Nakamura , Shin-Ichiro Kawabata
发明人： Siddha Pimputkar , James S. Speck , Shuji Nakamura , Shin-Ichiro Kawabata
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/40
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , Y10T428/24479
摘要： An ammonothermal growth of group-III nitride crystals on starting seed crystals with at least two surfaces making an acute, right or obtuse angle, i.e., greater than 0 degrees and less than 180 degrees, with respect to each other, such that the exposed surfaces together form a concave surface.
摘要翻译： III族氮化物晶体在具有至少两个表面的起始晶种上相对于彼此形成锐角，右或钝角，即大于0度且小于180度的氨热生长，使得暴露表面一起形成凹面。

12. 发明申请

US20120164386A1 AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-III NITRIDE CRYSTALS ON SEEDS WITH AT LEAST TWO SURFACES MAKING AN ACUTE, RIGHT OR OBTUSE ANGLE WITH EACH OTHER 有权
标题翻译：具有至少两个表面的种子上的III类氮化物晶体的热成长生成与每个其他物质的急性，右或者角度角
公开(公告)号：US20120164386A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：US13283862
申请日：2011-10-28
申请人： Siddha Pimputkar , James S. Speck , Shuji Nakamura , Shin-Ichiro Kawabata
发明人： Siddha Pimputkar , James S. Speck , Shuji Nakamura , Shin-Ichiro Kawabata
IPC分类号： C30B7/10 , C01B21/072 , C01B21/064 , C01B21/06 , B32B3/00 , H01B1/06
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , Y10T428/24479
摘要： An ammonothermal growth of group-III nitride crystals on starting seed crystals with at least two surfaces making an acute, right or obtuse angle, i.e., greater than 0 degrees and less than 180 degrees, with respect to each other, such that the exposed surfaces together form a concave surface.
摘要翻译： III族氮化物晶体在具有至少两个表面的起始晶种上相对于彼此形成锐角，右或钝角，即大于0度且小于180度的氨热生长，使得暴露表面一起形成凹面。

13. 发明申请

US20120063987A1 GROUP-III NITRIDE CRYSTAL AMMONOTHERMALLY GROWN USING AN INITIALLY OFF-ORIENTED NON-POLAR OR SEMI-POLAR GROWTH SURFACE OF A GROUP-III NITRIDE SEED CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：使用III-III型氮化物晶体的初始偏离非极性或半极性生长表面的第III组氮化钛晶体
公开(公告)号：US20120063987A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：US13048179
申请日：2011-03-15
申请人： Siddha Pimputkar , James S. Speck , Shuji Nakamura
发明人： Siddha Pimputkar , James S. Speck , Shuji Nakamura
IPC分类号： C01B21/06 , C30B7/10
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , Y10T117/1096
摘要： A method for ammonothermally growing group-III nitride crystals using an initially off-oriented non-polar and/or semi-polar growth surface on a group-III nitride seed crystal. Group-III-containing source materials and group-III nitride seed crystals are placed into a vessel, wherein the seed crystals have one or more non-polar or semi-polar growth surfaces. Group-III nitride crystals are ammonothermally grown by filling the vessel with a nitrogen-containing solvent for dissolving the source materials and transporting a fluid comprised of the solvent with the dissolved source materials to the seed crystals for growth of the group-III nitride crystals on the seed crystals. The growth surfaces are initially off-oriented growth surfaces, wherein the growth surfaces are off-oriented m-plane or highly vicinal m-plane growth surfaces. The growth surfaces of the seed crystals may be created by cutting group-III nitride crystals at a desired angle with respect to an m-plane.
摘要翻译：使用III族氮化物晶种上的初始偏定向非极性和/或半极性生长表面来氨基生长III族氮化物晶体的方法。将含III族的源材料和III族氮化物种晶放入容器中，其中晶种具有一个或多个非极性或半极性生长表面。 III族氮化物晶体通过用含氮溶剂填充容器进行氨水生长，用于溶解源材料并将包含溶剂的溶液与溶解的源材料输送到用于III族氮化物晶体生长的晶种上晶种。生长表面最初是非取向的生长表面，其中生长表面是偏离取向的m面或高度连续的m面生长表面。可以通过相对于m面切割III族氮化物晶体以期望的角度来产生晶种的生长表面。

14. 发明申请

US20130015560A1 GROWTH OF BULK GROUP-III NITRIDE CRYSTALS AFTER COATING THEM WITH A GROUP-III METAL AND AN ALKALI METAL 审中-公开
标题翻译：在第III组金属和碱金属涂层后，大块III族氮化物晶体的生长
公开(公告)号：US20130015560A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：US13549188
申请日：2012-07-13
申请人： Siddha Pimputkar , James S. Speck
发明人： Siddha Pimputkar , James S. Speck
IPC分类号： H01L21/208 , B05C3/00 , H01L29/20 , C30B9/12
CPC分类号： C30B17/00 , C30B29/406
摘要： A method of producing a Group-III nitride crystal by coating at least one surface of the seed with a thin wetting layer or film comprised of one or more Group-III and alkali metals.
摘要翻译：通过用由一种或多种III族和碱金属组成的薄润湿层或薄膜涂覆种子的至少一个表面来生产III族氮化物晶体的方法。

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