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11. 发明申请

WO2008040298A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2008040298A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001679
申请日：2007-09-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , LINDER, Norbert
发明人： GRÖTSCH, Stefan , LINDER, Norbert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement beschrieben, das mindestens einen Halbleiterkörper (1), der einen aktiven Bereich (2) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung sowie ein Gehäuse (4) mit einem dem aktiven Bereich (2) in Abstrahlrichtung nachgeordneten Filterelement (5) umfasst, wobei das Filterelement (5) einen Primärstrahlungsanteil (7) mit einer vorgegebenen Primärstrahlungseigenschaft selektiv transmittiert.
摘要翻译：它描述了一种光电子器件，包括至少一个半导体本体（1），包括一个有源区域（2），用于产生电磁辐射，并在辐射方向上的下游过滤器元件具有有源区（2）的壳体（4）（5），其中所述过滤器元件（5）包括（7），其具有选择性地透射预定的一次辐射特性的初级辐射组件。

12. 发明申请

WO2004025796A2 OPTISCH GEPUMPTE STRAHLUNGSEMITTIERENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光泵浦辐射发射半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2004025796A2
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/DE2003/002728
申请日：2003-08-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , LUFT, Johann , LUTGEN, Stephan , SCHMID, Wolfgang
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , LUFT, Johann , LUTGEN, Stephan , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18316 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/18305 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung beschreibt eine optisch gepumpte strahlungsemittierende Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens eine Pumpstrahlungsquelle (20) und eine oberflächenemittierende Quantentopfstruktur (11) aufweist, wobei die Pumpstrahlungsquelle (20) und die Quantentopfstruktur (11) monolithisch integriert sind. Die Pumpstrahlungsquelle (20) erzeugt Pumpstrahlung (2) zum optischen Pumpen der Quantentopfstruktur (11), wobei in dem Halbleiterkörper zwischen der Pumpstrahlungsquelle (20) und der Quantentopfstruktur (11) eine Ausnehmung (10) zur Einkopplung der Pumpstrahlung (2) in der Quantentopfstruktur (9) gebildet ist. Weiterhin beschreibt die Erfindung ein Herstellungsverfahren für eine derartige Halbleitervorrichtung.
摘要翻译：
本发明描述了具有Halbleiterk＆OUML光学泵浦发射辐射的半导体器件;具有chenemittierende量子阱结构（11）的身体，所述至少一个泵浦辐射源（20）和表面BEAR，其中，所述泵浦辐射源（20）和所述量子阱结构（ 11）是单片集成的。泵浦辐射源（20）产生的泵浦辐射（2），用于光学泵浦所述量子阱结构（11），其中，在所述Halbleiterk＆OUML;泵浦辐射源（20）和所述量子阱结构（11）之间的身体具有凹部（10），用于耦合所述泵浦辐射（2）在量子阱结构（9）形成。此外，本发明描述了用于这种半导体器件的制造方法

13. 发明申请

WO2003026355A3 ELEKTROLUMINESZIERENDER KÖRPER 审中-公开
公开(公告)号：WO2003026355A3
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003200
申请日：2002-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
发明人： LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein elektrolumineszierendes Bauelement (1), insbesondere ein LED-Chip, vorgeschlagen, der bei einfachem Aufbau einen hohen externen Wirkungsgrad aufweist. Das elektrolumineszierende Bauelement (1) weist ein Substrat (2); mehrere, nebeneinander auf dem Substrat (2) in Abstand angeordnete Strahlungsauskoppelelemente mit einem aktiven Schichtstapel (7) mit einer Emissionszone (8); und ein Kontaktelement (9) auf jedem Strahlungsauskoppelelement (4) auf. Erfindungsgemäß sind die Kontaktelemente (9), deren Breite (b') kleiner als die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) bemessen ist, mittig auf den Strahlungsauskoppelelementen (4) angeordnet, und die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ist bei gegebener Höhe (h) derart klein gewählt, dass ein wesentlicher Anteil des seitlich von der Emissionszone (8) abgestrahlten Lichts (11) direkt durch die Seitenflächen (12) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ausgekoppelt werden kann.

14. 发明授权

EP1741170B1 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERVORRICHTUNG 有权
标题翻译：光泵半导体器件
公开(公告)号：EP1741170B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：EP05744010.9
申请日：2005-04-11
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18388 , H01S5/32341
摘要： The invention relates to a semiconductor device comprising an optically pumped vertical emitter that is provided with an active vertical emitter layer (3) and a pumping radiation source by means of which a pumping radiation field is generated that propagates in a lateral direction while optically pumping the vertical emitter layer (3) in a pumping zone, the wavelength of the pumping radiation field being smaller than the wavelength of the radiation field (12) generated by the vertical emitter. The pumping radiation source encompasses an active pumping layer (2) that is disposed downstream of the vertical emitter layer (3) in a vertical direction and at least partly overlaps with the vertical emitter layer from a vertical perspective. The active pumping layer (2) is arranged in such a way that the pumping radiation field generated during operation is more powerful than a parasitic, laterally propagating radiation field generated by the vertical emitter layer (3). Alternatively, a parasitic, laterally propagating radiation field is prevented from being generated by the vertical emitter layer (3).

15. 发明授权

EP1535376B1 OPTISCH GEPUMPTE STRAHLUNGSEMITTIERENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 有权
标题翻译：光激励辐射半导体器件和方法及其
公开(公告)号：EP1535376B1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：EP03794787.6
申请日：2003-08-13
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , LUFT, Johann , LUTGEN, Stephan , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04
CPC分类号： H01S5/18316 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/18305 , H01S5/4056
摘要： The invention relates to a semiconductor optical pumping device for radiation emission comprising a semiconductor body which is provided with at least one pumping radiation source (20) and a quantum pit surface emitting structure (11). Said pumping radiation source (20) and quantum pit structure (11) are monolithically integrated. The pumping radiation source (20) produces pumping radiation (2) which is used for the optical pumping of the quantum pit structure (11). A cavity for injecting the pumping radiation (2) into a quantum pit structure (9) is formed in the semiconductor body between the pumping radiation source (20) and the quantum pit structure (11). The method for producing the inventive device is also disclosed.

16. 发明公开

EP2160773A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 有权转让
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：EP2160773A2
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：EP08773275.6
申请日：2008-06-23
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： GRÖTSCH, Stefan , LINDER, Norbert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/00014
摘要： Disclosed is an optoelectronic semiconductor chip (1) comprising a radiation-permeable surface (3), a metallic contact coating (2a) that is applied to the radiation-permeable surface (3), and a first series of reflecting layers (2b) which is applied to the surface of the metallic contact coating (2a) facing away from the radiation-permeable surface (3). Also disclosed is an optoelectronic component comprising such a chip.

17. 发明授权

EP1642347B1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 有权
标题翻译： STRAHLUNGSEMITTIERENDHALBLEITERBAUELEMENT
公开(公告)号：EP1642347B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：EP04738791.5
申请日：2004-06-25
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/02 , H01S5/3086
摘要： The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).
摘要翻译：本发明涉及设置有分层结构的发射辐射的半导体元件，其包括n掺杂限制层（14），p掺杂限制层（22）和发射光子的活性层（18），所述层设置在n掺杂限制层（14）和p掺杂限制层（22）之间。根据本发明，为了产生高活性掺杂和精确的掺杂分布，n型掺杂限制层（14）被掺杂有第一n型掺杂剂（或者彼此不同的两种n型掺杂剂），并且为了改善有源层（18）的层质量，有源层（18）仅掺杂有与第一掺杂剂不同的第二n掺杂剂。

18. 发明公开

EP2319097A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：EP2319097A1
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：EP09776012.8
申请日：2009-07-23
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WIRTH, Ralph , STANLEY, Ross , HOUDRE, Romuald
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要： A semiconductor chip is specified, comprising an active layer (2) provided for emitting an electromagnetic radiation, and a two-dimensional arrangement of structure units (5), which is disposed downstream of the active layer in a main emission direction (6) of the semiconductor chip. The structure units (5) are arranged in an arbitrary statistical distribution. A semiconductor chip having a directional emission characteristic can be realized by means of such an arrangement of structure units.

19. 发明公开

EP1929548A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：特拉华州警察局
公开(公告)号：EP1929548A1
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：EP06791402.8
申请日：2006-09-27
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic component having a semiconductor body (1) comprising an active semiconductor layer sequence (2) is disclosed, said semiconductor layer sequence being suitable for generating electromagnetic radiation having a first wavelength, which is emitted from a front side (3) of the semiconductor body (1). The component furthermore comprises a first wavelength conversion substance (6), which is disposed downstream of the semiconductor body (1) in the emission direction thereof and converts radiation having the first wavelength into radiation having a second wavelength, which is different from the first wavelength, and a first selectively reflective layer (8) between the active semiconductor sequence (2) and the first wavelength conversion substance (6), which layer selectively selects radiation having the second wavelength and is transmissive to radiation having the first wavelength.
摘要翻译：光电子部件具有半导体（1），其具有转换由半导体的正面（3）发射的第一波长的电磁辐射的有源半导体层序列（2）。半导体还包括将第一波长的发射转换成第二波长的材料（6）。芯片具有位于有源半导体层叠序列（2）和第一波长转换物质（6）之间的选择反射层（8）。反射器允许第一波长的通过并反射第二波长。

20. 发明公开

EP1535376A2 OPTISCH GEPUMPTE STRAHLUNGSEMITTIERENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 有权
标题翻译：光激励辐射半导体器件和方法及其
公开(公告)号：EP1535376A2
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：EP03794787.6
申请日：2003-08-13
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , LUFT, Johann , LUTGEN, Stephan , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04
CPC分类号： H01S5/18316 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/18305 , H01S5/4056
摘要： The invention relates to a semiconductor optical pumping device for radiation emission comprising a semiconductor body which is provided with at least one pumping radiation source (20) and a quantum pit surface emitting structure (11). Said pumping radiation source (20) and quantum pit structure (11) are monolithically integrated. The pumping radiation source (20) produces pumping radiation (2) which is used for the optical pumping of the quantum pit structure (11). A cavity for injecting the pumping radiation (2) into a quantum pit structure (9) is formed in the semiconductor body between the pumping radiation source (20) and the quantum pit structure (11). The method for producing the inventive device is also disclosed.

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