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11. 发明申请

WO2016050432A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体芯片和半导体芯片的各种
公开(公告)号：WO2016050432A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/069958
申请日：2015-09-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOTSCHKE, Tobias , OFF, Jürgen , PERZLMAIER, Korbinian
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02639 , C30B25/04 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist, die mit Saphir gebildet ist, - Aufbringen eines Maskenmaterials (2) auf die Aufwachsfläche (1a) des Aufwachssubstrats (1), - Strukturieren des Maskenmaterials (2) zu einer mehrfach zusammenhängenden Maskenschicht (21) durch Einbringen von Öffnungen (22) in das Maskenmaterial (2), wobei am Boden (23) zumindest mancher der Öffnungen (22) die Aufwachsfläche (1a) freigelegt wird, - Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) in die Öffnungen (22) und auf die Maskenschicht (21), - Vereinzeln zumindest der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder Halbleiterchip (10) laterale Abmessungen (L) aufweist und die lateralen Abmessungen (L) groß sind gegen einen mittleren Abstand (A) der Öffnungen (22) zur nächstliegenden Öffnung.
摘要翻译：提供了一种制造多个半导体芯片（10），其包括以下步骤的方法： - 提供其与蓝宝石形成在生长衬底（1），具有生长面（1a）中， - 将掩模材料（2）至生长基底的生长表面（1A）（1）， - 通过在掩模材料（2）提供的开口（22），图案化所述掩模材料（2）多连通掩模层（21），其中，至少一些所述开口的底部（23）（22）生长表面（1A）被暴露， - （3）在开口（22）和所述掩模层（21）上施加半导体层序列， - 分离出至少半导体层序列（3）的多个半导体芯片（10），其中每一个半导体芯片（10）具有相对于所述开口（22）到最近的开口的平均距离（a）的横向尺寸（L）和横向尺寸（L）都大。

12. 发明申请

WO2014111298A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014111298A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/EP2014/050238
申请日：2014-01-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , PETER, Matthias , WEBER, Michaela , GOTSCHKE, Tobias , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/50 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120, 125). Die Konversionsstruktur (120, 125) weist Konversionsbereiche (121, 126, 221) zum Konvertieren der erzeugten Lichtstrahlung auf, zwischen denen nichtkonvertierende Bereiche (122, 127, 222) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子半导体芯片包括具有用于产生光辐射和一个转换结构（120，125）的有源区（135）的半导体层序列（130）。转换结构（120，125）包括转换区域（121，126，221），用于将nichtkonvertierende区域（122，127，222）被布置在它们之间产生的光辐射。本发明还涉及一种制造光电半导体芯片的方法。

13. 发明授权

EP2519980B1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 有权转让
公开(公告)号：EP2519980B1
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：EP10798567.3
申请日：2010-12-27
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/06 , H01L33/38

14. 发明申请

WO2018077855A1 HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：半导体层和用于制造半导体层的方法
公开(公告)号：WO2018077855A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/EP2017/077126
申请日：2017-10-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BERGBAUER, Werner , LAHOURCADE, Lise , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Die Halbleiterschichtenfolge (100) umfasst eine erste nitridische Verbindungshalbleiterschicht (1), eine Zwischenschicht (10), eine zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) und eine aktive Schicht (4), die in dieser Reihenfolge übereinander und nacheinander gewachsen sind und direkt aneinander angrenzen, wobei die Zwischenschicht (10) eine AlGaN-Schicht mit einem Al-Gehalt von mindestens 5 % aufweist oder daraus besteht. Die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) weist einen geringeren Anteil an Al als die AlGaN-Schicht auf, sodass sich die relaxierten Gitterkonstanten der AlGaN-Schicht und der zweiten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (2) unterscheiden. Die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) und die aktive Schicht (4) sind auf der Zwischenschicht (10) gitterangepasst aufgewachsen, wodurch zumindest in der Zwischenschicht (10) oder in der zweiten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (2) eine Verspannung des Kristallgitters auftritt. Die aktive Schicht (4) weist eine oder mehrere Schichten aus AlInGaN auf und in jeder dieser Schichten aus AlInGaN beträgt der In-Gehalt höchstens 12 %.
摘要翻译：
半导体层序列（100）包括：第一氮化物半导体层（1），中间层（10），（2）和有源层（4）中，与以该顺序导航用途制备其他的第二氮化物化合物半导体层并且依次生长并彼此直接相邻，其中所述中间层（10）包含Al含量为至少5％的AlGaN层或由其组成。第二氮化物化合物半导体层（2）具有的Al的比AlGaN层的比例较低，因此在AlGaN层的弛豫晶格常数和第二氮化物化合物半导体层（2）不同。第二氮化物化合物半导体层（2）和有源层（4）是晶格匹配的生长的中间层（10），由此至少在所述中间层（10）或上述第二氮化物化合物半导体层（2）中的晶格的应变发生的时间。有源层（4）包括一层或多层AlInGaN，并且在AlInGaN的这些层中的每一层中，In含量至多为12％。

15. 发明申请

WO2016146376A1 BAUELEMENT MIT EINER MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：具有更多量子阱结构COMPONENT
公开(公告)号：WO2016146376A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/054312
申请日：2016-03-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , LEHNHARDT, Thomas , PETER, Matthias , ASAKO, Hirai , OFF, Jürgen , DRECHSEL, Philipp , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2228 , H01S5/309 , H01S5/3216 , H01S5/34
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnete aktive Zone (3) aufweist, wobei die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die von der p-leitenden Halbleiterschicht zur n-leitenden Halbleiterschicht hin eine Mehrzahl von p-seitigen Barriereschichten (32p) mit dazwischenliegenden Quantentopfschichten (31) und eine Mehrzahl von n-seitigen Barriereschichten (32n) mit dazwischenliegenden Quantenschichten (31) aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge seitens der p-leitenden Halbleiterschicht sind Vertiefungen (4) gebildet, die Flanken aufweisen, wobei die Quantentopfschichten und/oder die n-sowie p-seitigen Barriereschichten zumindest bereichsweise konform zu den Flanken der Vertiefungen verlaufen. Die inseitigen Barriereschichten weisen eine größere mittlere Schichtdicke auf als die p-seitigen Barriereschichten.
摘要翻译：它与半导体层序列，设备（10），其包括p型半导体层中指定（1）中，n型半导体层（2）和，设置在所述p型半导体层和n型半导体层有源区（3）之间，其中，所述有源区域包括p型半导体层向多个p侧的阻挡层（32P）与中间量子阱层（31）的n型半导体层的多量子阱结构和多个n侧阻挡层（32N）具有中间量子层（31）。在由p型半导体层的凹陷的半导体层序列（4）被形成为具有侧面，其中，所述量子阱层和/或n和p侧的阻挡层至少部分地延伸符合凹部的侧壁。所述inseitigen阻挡层具有平均厚度比所述p侧势垒层大。

16. 发明申请

WO2015189088A1 HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：半导体芯片和一种用于生产半导体芯片
公开(公告)号：WO2015189088A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/062446
申请日：2015-06-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (10) angegeben, bei dem es sich insbesondere um einen optoelektronischen Halbleiterchip handelt, der ein strukturiertes Substrat (30) aufweist, das an einer Oberfläche (31) eine Struktur von Vertiefungen (32) aufweist, die unterseitig jeweils durch einen glatten Endbereich (34) begrenzt werden, oder eine Struktur von Erhebungen (33) aufweist, die oberseitig jeweils durch einen glatten Endbereich (34) begrenzt werden, wobei die Endbereiche (34) zueinander lateral beabstandet angeordnet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种半导体芯片（10），这是，特别地，具有在其表面上的结构化基底（30）（31）的凹陷（32）的图案，通过在每种情况下，下侧的光电子半导体芯片平滑端部（34）所限制，或突出的结构（33），由一个光滑的端部（34），其中，所述端部部分（34）相互横向间隔开的在每种情况下的顶侧限定。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片的方法。

17. 发明申请

WO2015124495A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产氮化物半导体层
公开(公告)号：WO2015124495A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053004
申请日：2015-02-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OFF, Jürgen , PETER, Matthias , LEHNHARDT, Thomas , BERGBAUER, Werner
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02645 , H01L21/02658
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Nitrid- Verbindungshalbleiterschicht beschrieben,umfassend die Schritte: - Abscheiden einer ersten Keimschicht (1), die ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial umfasst, auf ein Substrat (10), - zumindest teilweises Desorbieren des Nitrid- Verbindungshalbleitermaterials der ersten Keimschicht von dem Substrat (10), - Abscheiden einer zweiten Keimschicht (2), die ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial umfasst, und - Aufwachsen der Nitrid-Verbindungshalbleiterschicht (3), die ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, auf die zweite Keimschicht (2).
摘要翻译：描述了一种用于制造氮化物化合物半导体层的方法，包括以下步骤： - 沉积（1），包括衬底（10）上的氮化物化合物半导体材料的第一晶种层， - 至少部分地解吸所述第一籽晶层的氮化物半导体材料在基板（10）的， - 沉积第二籽晶层（2）包括一氮化物半导体材料，和 - （3）包括第二晶种层上的氮化物半导体材料的氮化物化合物半导体层生长（2）。

18. 发明申请

WO2014173825A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
标题翻译：用中间层半导体部件
公开(公告)号：WO2014173825A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057947
申请日：2014-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , PETER, Matthias , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , GOTSCHKE, Tobias , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/22
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge mit einer p-dotierten Schicht, mit einer n-dotierten Schicht und mit einer zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordneten aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die n-dotierte Schicht wenigstens GaN aufweist, wobei in der n-dotierten Schicht eine Zwischenschicht angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht Al x Ga 1-x N aufweist, wobei 0
摘要翻译：本发明涉及一种方法，以及具有的光电子半导体器件用p型掺杂层的层序列，用n型掺杂层和具有设置在所述n型掺杂层和用于产生电磁辐射的p掺杂层有源区，其中间 n型掺杂层的至少的GaN，其中的中间层被设置在n掺杂层，其中所述中间层的AlxGa1-XN，其中0

19. 发明申请

WO2011018273A1 ELEKTRISCH GEPUMPTER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：电泵浦光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011018273A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/059291
申请日：2010-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.
摘要翻译：在电泵浦光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括所述至少两个辐射活性量子阱（2），其中所述辐射 - 活性量子阱（2）或由InGaN构成。此外，光电子半导体芯片（1）包括至少两个覆盖层（4）包含或由AlGaN构成。（4）所述覆盖层中的每一个分配给所述辐射活性量子阱（2）中的一个。外层（4）分别在相关联的辐射活性量子的p侧孔（2）。良好的放射线活性量子之间的距离（2）和相关联的层（4）为至多1.5纳米。

20. 发明申请

WO2011009923A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT EINER QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译： WITH A量子阱结构光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2011009923A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060658
申请日：2010-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
发明人： PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/347 , H01S5/343 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt.
摘要翻译：本发明提供含有由第一组分和从第一部件的第二部件不同的方向上的半导体材料的光电子半导体本体。半导体本体具有一个n型层（1）和p型层（5）之间的量子阱结构。量子阱结构由以下元件组成：单量子阱层（31）或层（3）由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）的，其中，每两个相邻的量子阱层（31）之间包括阻挡层的堆叠（32）被布置成两个量子阱层（31）相邻; 形成在n型层上的n侧间隙层（2）（1）和所述单一量子阱层（31）或层堆叠（3）邻近; 和p侧帽层（4），其被布置在所述p型层（5）和单量子阱层（31）或层堆叠之间（3）和所述层堆叠（3）或单量子阱层（31 ）毗邻。

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