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    • 11. 发明专利
    • Halbleitermodul, Halbleitervorrichtung und Fahrzeug
    • DE112013007390B4
    • 2020-06-25
    • DE112013007390
    • 2013-08-29
    • MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    • KAWASE TATSUYAMIYAMOTO NOBORUISHIHARA MIKIOFUJINO JUNJIIMOTO YUJIYOSHIMATSU NAOKI
    • H01L23/36
    • Halbleitermodul (27), aufweisend:eine Basisplatte (1), die eine fixierte Oberfläche und eine abstrahlende Oberfläche, welche eine der fixierten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche ist, aufweist;ein isolierendes Substrat (3), das mit der fixierten Oberfläche der Basisplatte (1) verbunden ist;erste und zweite leitfähige Muster (4, 5) auf dem isolierenden Substrat (3);einen Halbleiter-Chip (7 bis 10) auf dem ersten leitfähigen Muster (4);ein Verdrahtungsteil (12, 40), das den Halbleiter-Chip (7 bis 10) mit dem zweiten leitfähigen Muster (5) verbindet; undein Harz (16, 43, 44), das die fixierte Oberfläche der Basisplatte (1), das isolierende Substrat (3), das erste und zweite leitfähige Muster (4, 5), den Halbleiter-Chip (7 bis 10) und das Verdrahtungsteil (12, 40) einschließt,wobei die Basisplatte (1) ein Metallteil (19) und ein verstärkendes Teil (20) aufweist, das in dem Metallteil (19) vorhanden ist und einen Youngschen Modul aufweist, der größer ist als ein Youngscher Modul des Metallteils (19),wobei der lineare Ausdehnungskoeffizient des Harzes (16, 43, 44) zwischen dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Metallteils (19) und dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des verstärkenden Teils (20) liegt und wobei das Material des verstärkenden Teils (20) eine Keramik ist.
    • 14. 发明专利
    • Halbleitervorrichtung
    • DE102014213084B4
    • 2018-05-09
    • DE102014213084
    • 2014-07-04
    • MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    • NAGAI MIHOIMOTO YUJIUSUI OSAMU
    • H01L23/473F28F3/02H05K7/20
    • Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Halbleiterelement (1);eine Basisplatte (2) mit einer oberen Oberfläche, auf der das Halbleiterelement (1) angebracht ist;eine Kühlrippe (3), die an einer unteren Oberfläche der Basisplatte (2) angeordnet ist;einen Mantel (4), der in einer abdichtenden Weise an der unteren Oberfläche der Basisplatte (2) angeordnet ist, wobei der Mantel (4) die Kühlrippe (3) umgibt;eine Verteilertrennwand (7), die separat vom Mantel (4) ausgebildet ist und am Mantel (4) an der Unterseite der Kühlrippe (3) im Mantel (4) befestigt ist, wobei die Verteilertrennwand (7) einen Verteiler (5) und einen Strömungspfad (6) bildet, um eine Kühlmittelströmung zur Kühlrippe (3) zu bewirken; undeinen Verteilerteiler (16), der separat vom Mantel (4) ausgebildet ist und in dem Mantel (4) in einer Position angeordnet ist, die einem Unterteilungsabschnitt (17) entspricht, der einen Bereich in der Basisplatte (2), in dem die Kühlrippe (3) angeordnet ist, in mehrere Bereiche unterteilt.
    • 18. 发明专利
    • Leistungshalbleitervorrichtung
    • DE102015212831B4
    • 2021-08-26
    • DE102015212831
    • 2015-07-09
    • MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    • ASADA SHINSUKEYOSHIMATSU NAOKIIMOTO YUJIISHIYAMA YUSUKEFUJINO JUNJI
    • H01L23/488H01L25/07
    • Leistungshalbleitervorrichtung, umfassend:- ein isolierendes Substrat (1);- ein Halbleiterelement (2), das eine Unterseite, die auf das isolierende Substrat (1) gebondet ist, und eine Oberseite mit einer Elektrode (2a) aufweist;- ein Gehäuse (4), das einen Behälterkörper mit einer Bodenfläche bildet, die durch eine Fläche des isolierenden Substrats (1) definiert ist, an welches das Halbleiterelement (2) gebondet ist;- ein plattenartiges Verdrahtungselement (5) mit einem ersten Bereich, der in das Gehäuse (4) integriert ist, und einem zweiten Bereich, der oberhalb der Elektrode (2a) des Halbleiterelements (2) im Behälterkörper positioniert ist und sich seitwärts erstreckt; und- ein Dichtelement (9), das in den Behälterkörper gefüllt ist, um das Verdrahtungselement (5) im Behälterkörper abzudecken, wobei:- der zweite Bereich des Verdrahtungselements (5) mit einem Vorsprungbereich (5b), der zur Elektrode (2a) des Halbleiterelements (2) vorragt und mit der Elektrode (2a) mittels eines Lots (6) verbunden ist, und einer Durchgangsöffnung (5c) versehen ist, die durch den zweiten Bereich in Dickenrichtung durch den Vorsprungbereich (5b) verläuft, und- ein Lötstopplack (10) benachbart zu einem Außenumfang des Vorsprungbereichs (5b) des Verdrahtungselements (5) vorgesehen ist.