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    • 12. 发明授权
      US4746621A Planar tungsten interconnect 失效
    • Planar tungsten interconnect
    • 平面钨互连
    • US4746621A
    • 1988-05-24
    • US938498
    • 1986-12-05
    • David C. Thomas , S. Simon Wong
    • David C. Thomas , S. Simon Wong
    • H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/425 , H01L21/443
    • H01L21/76867 , H01L21/32051 , H01L21/76825 , H01L21/76831 , H01L21/76876 , H01L21/76879
    • A planar interconnect using selective deposition of a refractory metal such as tungsten into oxide channels is disclosed. A layer of silicon dioxide as thick as the desired tungsten interconnect is placed on the surface of a substrate such as an integrated circuit wafer. Thereafter, a layer of silicon nitride about 100 nm thick is formed on the silicon dioxide. Channels are formed in the silicon dioxide by patterning and etching the composite dielectric layers. After the photoresist is removed, silicon or tungsten atoms at 40 KeV are implanted in the silicon dioxide channels, the silicon nitride acting as a mask. Typically, a dosage as high as 1.times.10.sup.17 cm.sup.-2 is used. The silicon or tungsten implant allows seeding of the tungsten or other refractory metal. The silicon nitride mask is selectively removed by a hot phosphoric acid solution, and a metal film is then selectively deposited to fill the channels in the silicon dioxide layer, which then forms a level of interconnects. The process is repeated to form vias and subsequent levels of interconnects.
    • 公开了使用将难熔金属如钨选择性沉积到氧化物通道中的平面互连。 将诸如所需钨互连的厚度的二氧化硅层放置在诸如集成电路晶片的衬底的表面上。 此后，在二氧化硅上形成约100nm厚的氮化硅层。 通过图案化和蚀刻复合电介质层，在二氧化硅中形成沟道。 在除去光致抗蚀剂之后，将40KeV的硅或钨原子注入到二氧化硅通道中，氮化硅用作掩模。 通常，使用高达1×10 17 cm -2的剂量。 硅或钨植入物允许接合钨或其它难熔金属。 通过热磷酸溶液选择性地除去氮化硅掩模，然后选择性地沉积金属膜以填充二氧化硅层中的通道，然后形成一定程度的互连。 重复该过程以形成通孔和随后的互连级别。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 15. 发明授权
      US4907066A Planar tungsten interconnect with implanted silicon 失效
    • Planar tungsten interconnect with implanted silicon
    • 与注入硅的平面钨互连
    • US4907066A
    • 1990-03-06
    • US158759
    • 1988-02-22
    • David C. Thomas , S. Simon Wong
    • David C. Thomas , S. Simon Wong
    • H01L21/3205 , H01L21/768
    • H01L21/76879 , H01L21/32051
    • A planar interconnect using selective deposition of a refractory metal such as tungsten into oxide channels is disclosed. A layer of silicon dioxide as thick as the desired tungsten interconnect is placed on the surface of a substrate such as an integrated circuit wafer. Thereafter, a layer of silicon nitride about 100 nm thick is formed on the silicon dioxide. Channels are formed in the silicon dioxide by patterning and etching the composite dielectric layers. After the photoresist is removed, silicon or tungsten atoms at 40 KeV are implanted in the silicon dioxide channels, the silicon nitride acting as a mask. Typically, a dosage as high as 1.times.10.sup.17 cm.sup.-2 is used. The silicon or tungsten implant allows seeding of the tungsten or other retractory metal. The silicon nitride mask is selectively removed by a hot phosphoric acid solution, and a metal film is then selectively deposited to fill the channels in the silicon dioxide layer, which then forms a level of interconnects. The process is repeated to form vias and subsequent levels of interconnects.
    • 公开了使用将难熔金属如钨选择性沉积到氧化物通道中的平面互连。 将诸如所需钨互连的厚度的二氧化硅层放置在诸如集成电路晶片的衬底的表面上。 此后，在二氧化硅上形成约100nm厚的氮化硅层。 通过图案化和蚀刻复合电介质层，在二氧化硅中形成沟道。 在除去光致抗蚀剂之后，将40KeV的硅或钨原子注入到二氧化硅通道中，氮化硅用作掩模。 通常，使用高达1×10 17 cm -2的剂量。 硅或钨植入物允许接种钨或其他回收金属。 通过热磷酸溶液选择性地除去氮化硅掩模，然后选择性地沉积金属膜以填充二氧化硅层中的通道，然后形成一定程度的互连。 重复该过程以形成通孔和随后的互连级别。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 17. 发明授权
      US4654792A Data processing system including data input authorization 失效
    • Data processing system including data input authorization
    • 数据处理系统包括数据输入授权
    • US4654792A
    • 1987-03-31
    • US605298
    • 1984-04-30
    • David C. Thomas
    • David C. Thomas
    • G06F1/00 , G06F21/00 , G06F3/00
    • G06F21/125 , G06F21/123 , G06F2211/007 , G06F2221/2153
    • A data processing system includes means for verifying the authority of data-entry devices to input data and the authenticity of such data. The system includes a central data-processing computer, a plurality of data-entry devices connected to the central computer for providing input data, a central security system, connected to the central computer for identifying the data-entry devices and verifying that such devices are authorized to input data, and a programmable external security device connected to at least one of said authorized data-entry devices. The external security device is programmed by the central security system to exchange user-identifier and user transaction-related data with this data-entry device and with the central security system.
    • 数据处理系统包括用于验证数据输入装置输入数据的权限和这种数据的真实性的装置。 该系统包括中央数据处理计算机，连接到中央计算机以提供输入数据的多个数据输入设备，连接到中央计算机的中央安全系统，用于识别数据输入设备，并验证这些设备是否是 授权输入数据，以及连接到所述授权数据输入设备中的至少一个的可编程外部安全设备。 外部安全设备由中央安全系统编程，以与该数据输入设备和中央安全系统交换用户标识符和与用户事务相关的数据。
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