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11. 发明专利

DE102010060138A1 Lateraler HEMT und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMT 未知
公开(公告)号：DE102010060138A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：DE102010060138
申请日：2010-10-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： HIRLER FRANZ , RIEGER WALTER , ZUNDEL MARKUS
IPC分类号： H01L29/778

12. 发明专利

DE102006006700B4 未知
公开(公告)号：DE102006006700B4
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：DE102006006700
申请日：2006-02-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , ZUNDEL MARKUS
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/32 , H01L29/739 , H01L29/78

13. 发明专利

DE102006030631A1 Semiconductor component assembly, has trench which extends within semiconductor body starting from side and gate electrode is arranged in trench which is insulated by gate dielectric opposite to semiconductor body 未知
公开(公告)号：DE102006030631A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：DE102006030631
申请日：2006-07-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： ZUNDEL MARKUS , KRISCHKE NORBERT
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/58 , H01L29/739
摘要： The assembly has a trench which extends within the semiconductor body (100) starting from a side (103). The gate electrode (11) is arranged in a trench which is insulated by a gate dielectric (15) opposite to the semiconductor body. A source zone (12) and a drain zone (16) of the conductivity type are formed in the semiconductor body adjacent to the gate dielectric and spaced to each other in a peripheral direction of the trench. A body zone (13) of other conductivity type is arranged between the source zone and the drain zone. An independent claim is also included for the method for manufacturing of semiconductor component assembly.

14. 发明专利

DE102006007053A1 未知
公开(公告)号：DE102006007053A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：DE102006007053
申请日：2006-02-15
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： ZUNDEL MARKUS , KRISCHKE NORBERT
IPC分类号： H01L21/762

15. 发明专利

DE102016106578B4 Integrierte Transistoranordnung mit einer Vielzahl lateraler Transistoren 未知
公开(公告)号：DE102016106578B4
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：DE102016106578
申请日：2016-04-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： WERNER WOLFGANG , ZUNDEL MARKUS , IRSIGLER PETER
IPC分类号： H01L27/085 , H01L29/78
摘要： Transistoranordnung mit:einer Halbleiterschicht (100);einer Vielzahl von Transistoren (1, 21-2n), die jeweils eine Laststrecke und einen Steueranschluss aufweisen, wobei die Laststrecken der Vielzahl von Transistoren (1, 21-2n) in Reihe zwischen einen ersten Lastanschluss (31) und einen zweiten Lastanschluss (32) der Transistoranordnung geschaltet sind, und wobei jeder der Vielzahl von Transistoren (1, 21-2n) zumindest teilweise in der Halbleiterschicht (100) integriert ist;einem Steueranschluss (33) der Transistoranordnung, welcher mit dem Steueranschluss eines ersten Transistors (1) der Vielzahl von Transistoren (1, 21-2n) verbunden ist;wenigstens zwei dotierten Lastanschlussbereichen (211-21n, 221-22n), welche einen ersten Lastanschlussbereich (211) und einen zweiten Lastanschlussbereich (221) umfassen, die in einer lateralen Richtung der Halbleiterschicht (100) beabstandet zueinander angeordnet sind und sich jeweils in einer vertikalen Richtung der Halbleiterschicht (100) erstrecken,wobei sich die Laststrecke eines bestimmten zweiten Transistors (21) der Vielzahl von Transistoren (1, 21-2n) zwischen dem ersten und dem zweiten Lastanschlussbereich (211, 221) erstreckt,wobei der erste Transistor (1) ein Bodygebiet (14), ein in dem Bodygebiet (14) angeordnetes Sourcegebiet (11) und ein Draingebiet (12) aufweist,wobei der erste Lastanschlussbereich (211) das Draingebiet (12) des ersten Transistors (1) und ein Sourcegebiet des bestimmten zweiten Transistors (21) bildet,wobei der zweite Lastanschlussbereich (221) ein Draingebiet des Transistors (21) bildet,wobei der zweite Transistor (21) außerdem ein Driftgebiet (23) aufweist, das zwischen dem Draingebiet und dem Sourcegebiet angeordnet ist,wobei sich der erste Lastanschlussbereich (211) in der vertikalen Richtung der Halbleiterschicht (110) tiefer erstreckt als das Bodygebiet (14) des ersten Transistors (1).

16. 发明专利

DE102016106580A1 Integrierte Transistoranordnung mit einer Vielzahl vertikaler Transistoren 未知
公开(公告)号：DE102016106580A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE102016106580
申请日：2016-04-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： ZUNDEL MARKUS , IRSIGLER PETER , WERNER WOLFGANG
IPC分类号： H01L27/085 , H01L21/8232 , H01L25/065
摘要： Es wird eine Transistoranordnung offenbart. Die Transistoranordnung weist einen Halbleiterkörper mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten auf, welche zwischen einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche des Halbleiterkörpers übereinander gestapelt sind; eine Vielzahl von Transistoren, welche jeweils eine Laststrecke und einen Steueranschluss aufweisen. Die Laststrecken der Vielzahl von Transistoren sind in Reihe zwischen einen ersten Lastanschluss und einen zweiten Lastanschluss der Transistoranordnung geschaltet. Jeder der Vielzahl von Transistoren ist zumindest teilweise in einer entsprechenden der Vielzahl von Halbleiterschichten integriert und die Transistoranordnung weist einen Steueranschluss auf, welcher mit dem Steueranschluss eines ersten Transistors der Vielzahl von Transistoren verbunden ist.

17. 发明专利

DE102007054222B4 Halbleiterbauteil mit Trench-Transistoren und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils 未知
公开(公告)号：DE102007054222B4
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：DE102007054222
申请日：2007-11-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , ZELSACHER RUDOLF , BACHER ERWIN
IPC分类号： H01L21/765 , H01L21/336
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das Nachfolgendes umfasst: – Ausformen von Einschnitten in einer ersten Seite eines Halbleitermaterials; – Ausformen einer dicken Oxidschicht auf den Einschnitten und auf der ersten Seite; – Maskieren eines Teils der ersten Seite und der Einschnitte unter Verwendung einer ersten Maske; – Dotieren des Halbleitermaterials durch Implantation durch die dicke Oxidschicht, während die erste Maske vorhanden ist; – Entfernen mindestens eines Teils der dicken Oxidschicht, während die erste Maske verbleibt und danach – Ausformen einer dünnen Oxidschicht auf der ersten Seite.

18. 发明专利

DE102013103099A1 Feldeffekt-Halbleitervorrichtung mit verringerten Spannungen und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102013103099A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：DE102013103099
申请日：2013-03-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： SEDLMAIER STEFAN , ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , BAUMGARTL JOHANNES , MAUDER ANTON , SIEMIENIEC RALF , BLANK OLIVER , HUTZLER MICHAEL
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/765
摘要： Es ist eine Feldeffekt-Halbleitervorrichtung vorgesehen. Die Feldeffekt-Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterkörper (40) mit einer eine vertikale Richtung definierenden ersten Oberfläche (101) auf. In einem vertikalen Querschnitt weist die Feldeffekt-Halbleitervorrichtung ferner einen vertikalen Graben (50) auf, der sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (40) erstreckt. Der vertikale Graben (50) umfasst eine Feldelektrode (1), einen Hohlraum (15), der zumindest teilweise von der Feldelektrode (1) umgeben ist, und eine Isolationsstruktur (3, 31, 32), welche die Feldelektrode (1) im Wesentlichen umgibt. Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen einer Feldeffekt-Halbleitervorrichtung vorgesehen.

19. 发明专利

DE102013102571A1 HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GELADENER STRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE102013102571A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：DE102013102571
申请日：2013-03-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： HIRLER FRANZ , ZUNDEL MARKUS
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L29/792
摘要： Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst ein Grabengebiet (102), das sich von einer Oberfläche (103) in eine Driftzone (104) eines Halbleiterkörpers (101) erstreckt. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst zudem eine dielektrische Struktur (110), die sich entlang einer lateralen Seite des Grabengebiets (102) erstreckt, wobei ein Teil der dielektrischen Struktur (110) eine geladene und isolierende Struktur (110b) ist. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine Gateelektrode (113) im Grabengebiet sowie ein Bodygebiet (105) eines vom Leitfähigkeitstyp der Driftzone (104) verschiedenen Leitfähigkeitstyps. Die geladene und isolierende Struktur (110b) grenzt an die Driftzone (104), an das Bodygebiet (105) und an die dielektrische Struktur an. Außerdem grenzt die geladene und isolierende Struktur (110b) an eine Unterseite eines Gatedielektrikums (110d) der dielektrischen Struktur (110) an oder ist unterhalb hiervon angeordnet.

20. 发明专利

DE102006030631B4 Halbleiterbauelementanordnung mit einem Leistungsbauelement und einem Logikbauelement 未知
公开(公告)号：DE102006030631B4
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：DE102006030631
申请日：2006-07-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA
发明人： ZUNDEL MARKUS , KRISCHKE NORBERT
IPC分类号： H01L27/08 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78

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