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11. 发明授权

US08431330B2 Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent 有权
标题翻译：用于图案形成的表面处理剂和使用表面处理剂的图案形成方法
公开(公告)号：US08431330B2
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：US13307813
申请日：2011-11-30
申请人： Wataru Hoshino , Hideaki Tsubaki , Masahiro Yoshidome
发明人： Wataru Hoshino , Hideaki Tsubaki , Masahiro Yoshidome
IPC分类号： G03F7/30
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0035 , G03F7/11 , G03F7/40 , Y10T428/24802
摘要： A surface-treating agent for forming a resist pattern, includes: a compound represented by formula (1) as defined in the specification, wherein the surface-treating agent is used in a step between a formation of a first resist pattern on a first resist film and a formation of a second resist film on the first resist pattern to form a second resist pattern, and a pattern-forming method uses the surface-treating agent.
摘要翻译：用于形成抗蚀剂图案的表面处理剂包括：如说明书中所定义的由式（1）表示的化合物，其中所述表面处理剂用于在第一抗蚀剂上形成第一抗蚀剂图案之间的步骤膜和第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂膜以形成第二抗蚀剂图案，并且图案形成方法使用表面处理剂。

12. 发明授权

US08088566B2 Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent 有权
标题翻译：用于图案形成的表面处理剂和使用表面处理剂的图案形成方法
公开(公告)号：US08088566B2
公开(公告)日：2012-01-03
申请号：US12053653
申请日：2008-03-24
申请人： Wataru Hoshino , Hideaki Tsubaki , Masahiro Yoshidome
发明人： Wataru Hoshino , Hideaki Tsubaki , Masahiro Yoshidome
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0035 , G03F7/11 , G03F7/40 , Y10T428/24802
摘要： A surface-treating agent for forming a resist pattern, includes: a compound represented by formula (1) as defined in the specification, wherein the surface-treating agent is used in a step between a formation of a first resist pattern on a first resist film and a formation of a second resist film on the first resist pattern to form a second resist pattern, and a pattern-forming method uses the surface-treating agent.
摘要翻译：用于形成抗蚀剂图案的表面处理剂包括：如说明书中所定义的由式（1）表示的化合物，其中所述表面处理剂用于在第一抗蚀剂上形成第一抗蚀剂图案之间的步骤膜和第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂膜以形成第二抗蚀剂图案，并且图案形成方法使用表面处理剂。

13. 发明申请

US20120076991A1 SURFACE-TREATING AGENT FOR PATTERN FORMATION AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE SURFACE-TREATING AGENT 有权
标题翻译：使用表面处理剂的图案形成和图案形成方法的表面处理剂
公开(公告)号：US20120076991A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：US13307813
申请日：2011-11-30
申请人： Wataru HOSHINO , Hideaki Tsubaki , Masahiro Yoshidome
发明人： Wataru HOSHINO , Hideaki Tsubaki , Masahiro Yoshidome
IPC分类号： B32B3/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0035 , G03F7/11 , G03F7/40 , Y10T428/24802
摘要： A surface-treating agent for forming a resist pattern, includes: a compound represented by formula (1) as defined in the specification, wherein the surface-treating agent is used in a step between a formation of a first resist pattern on a first resist film and a formation of a second resist film on the first resist pattern to form a second resist pattern, and a pattern-forming method uses the surface-treating agent.
摘要翻译：用于形成抗蚀剂图案的表面处理剂包括：如说明书中所定义的由式（1）表示的化合物，其中所述表面处理剂用于在第一抗蚀剂上形成第一抗蚀剂图案之间的步骤膜和第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂膜以形成第二抗蚀剂图案，并且图案形成方法使用表面处理剂。

14. 发明授权

US08642253B2 Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same 有权
标题翻译：用于负色调发展的抗蚀组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：US08642253B2
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：US12941386
申请日：2010-11-08
申请人： Hideaki Tsubaki
发明人： Hideaki Tsubaki
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/30 , C08F220/24 , C08F2220/286 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/325 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： To provide a resist composition for negative tone development, which can form a pattern having a good profile improved in the pattern undercut and moreover, can reduce the line edge roughness and enhance the in-plane uniformity of the pattern dimension, and a pattern forming method using the same.A resist composition for negative tone development, comprising (A) a resin capable of increasing the polarity by the action of an acid to increase the solubility in a positive tone developer and decrease the solubility in a negative tone developer, (B) a compound capable of generating an acid having an acid dissociation index pKa of −4.0 or less upon irradiation with an actinic ray or radiation, and (C) a solvent; and a pattern forming method using the same.
摘要翻译：为了提供负色调显影用抗蚀剂组合物，其能够形成图案底切改善的图案，并且还可以减少线边缘粗糙度并增强图案尺寸的面内均匀性，以及图案形成方法使用相同用于负色调显影的抗蚀剂组合物，包含（A）能够通过酸的作用增加极性的树脂，以增加在正性显色剂中的溶解度并降低在负色调剂中的溶解度的树脂，（B）能够在用光化射线或辐射照射时产生酸解离指数pKa为-4.0以下的酸，和（C）溶剂; 以及使用该图案形成方法的图案形成方法。

15. 发明授权

US08637229B2 Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method 有权
标题翻译：图案形成方法，图案形成方法中使用的多次显影用抗蚀剂组合物，图案形成方法中使用的负显影用显影剂和图案形成方法中使用的负显影用冲洗液
公开(公告)号：US08637229B2
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：US12871969
申请日：2010-08-31
申请人： Hideaki Tsubaki , Shinichi Kanna
发明人： Hideaki Tsubaki , Shinichi Kanna
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/30 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/2024 , G03F7/325
摘要： A pattern forming method, including: (A) coating a substrate with a positive resist composition of which solubility in a positive developer increases and solubility in a negative developer decreases upon irradiation with actinic rays or radiation, so as to form a resist film; (B) exposing the resist film; and (D) developing the resist film with a negative developer; a positive resist composition for multiple development used in the method; a developer for use in the method; and a rinsing solution for negative development used in the method.
摘要翻译：一种图案形成方法，包括：（A）用正性显影剂中的溶解度增加的正性抗蚀剂组合物涂覆基材，并且在用光化学辐射或辐射照射时，在负极显影剂中的溶解度降低，以形成抗蚀剂膜; （B）曝光抗蚀膜; 和（D）用负极显影剂显影抗蚀膜; 该方法中使用的用于多重显影的正性抗蚀剂组合物; 用于该方法的开发人员; 以及用于该方法的负显影用冲洗液。

16. 发明授权

US08637220B2 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition 有权
标题翻译：光敏感或辐射敏感性树脂组合物，以及使用该组合物的抗蚀剂膜和图案形成方法
公开(公告)号：US08637220B2
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：US13172025
申请日：2011-06-29
申请人： Tomotaka Tsuchimura , Hideaki Tsubaki , Toshiya Takahashi
发明人： Tomotaka Tsuchimura , Hideaki Tsubaki , Toshiya Takahashi
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising (A) a guanidine compound having a logP value of 1.2 or more, and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation.
摘要翻译：一种光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，其包含（A）logP值为1.2以上的胍化合物，和（B）在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物。

17. 发明授权

US08476001B2 Pattern forming method 有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：US08476001B2
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：US13162056
申请日：2011-06-16
申请人： Hideaki Tsubaki
发明人： Hideaki Tsubaki
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/0758 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/405
摘要： A pattern forming method, includes: (i) a step of applying a resist composition whose solubility in a positive tone developer increases and solubility in a negative tone developer decreases upon irradiation with an actinic ray or radiation, the resist composition containing a resin capable of increasing a polarity by the action of an acid; (ii) an exposure step; (iii) a step of performing development by using a negative tone developer to form a resist pattern; and (iv) a step of causing a crosslinked layer-forming material to act on the resist pattern to crosslink the resin constituting the resist pattern and the crosslinked layer-forming material, thereby forming a crosslinked layer. According to the present invention, a method for forming a pattern having an effectively micro-dimensioned trench or hole pattern without generation of a scum is provided.
摘要翻译：图案形成方法包括：（i）施加其在正色调显影剂中的溶解度增加的抗蚀剂组合物和在负色调显影剂中的溶解度随着光化射线或辐射照射而降低的步骤，所述抗蚀剂组合物含有能够通过酸的作用增加极性; （ii）曝光步骤; （iii）通过使用负色调剂进行显影以形成抗蚀剂图案的步骤; 和（iv）使交联层形成材料作用于抗蚀剂图案以交联构成抗蚀剂图案的树脂和交联层形成材料，从而形成交联层的步骤。根据本发明，提供了一种形成具有有效的微尺寸沟槽或孔图案而不产生浮渣的图案的方法。

18. 发明授权

US08017298B2 Method of forming patterns 有权
标题翻译：形成图案的方法
公开(公告)号：US08017298B2
公开(公告)日：2011-09-13
申请号：US12137371
申请日：2008-06-11
申请人： Hideaki Tsubaki
发明人： Hideaki Tsubaki
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/26 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10S430/114 , Y10S430/146
摘要： A method of forming patterns includes (a) coating a substrate with a resist composition for negative development to form a resist film having a receding contact angle of 70 degrees or above with respect to water, wherein the resist composition for negative development contains a resin capable of increasing the polarity by the action of an acid and becomes more soluble in a positive developer and less soluble in a negative developer upon irradiation with an actinic ray or radiation, (b) exposing the resist film via an immersion medium, and (c) performing development with a negative developer.
摘要翻译：一种形成图案的方法包括（a）用负显影用抗蚀剂组合物涂布基材以形成相对于水的后退接触角为70度或更高的抗蚀剂膜，其中用于负显影的抗蚀剂组合物含有能够通过酸的作用增加极性，并且在通过光化射线或辐射照射时变得更可溶于正极显影剂并且在阴极显影剂中较少溶解，（b）通过浸渍介质曝光抗蚀剂膜，和（c）用负面的开发人员进行开发。

19. 发明授权

US07700261B2 Positive photosensitive composition and a pattern-forming method using the same 有权
标题翻译：正型光敏组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：US07700261B2
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：US12055359
申请日：2008-03-26
申请人： Kunihiko Kodama , Kaoru Iwato , Hideaki Tsubaki , Norihiko Taguchi
发明人： Kunihiko Kodama , Kaoru Iwato , Hideaki Tsubaki , Norihiko Taguchi
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/26 , C08F220/28 , Y10S430/111
摘要： A positive photosensitive composition comprises: (A) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic ray or radiation; and (B) a resin that increases its solubility in an alkali developer by action of an acid, wherein the resin (B) has a repeating unit that has an acid-decomposable group and is represented by formula (I): wherein Xa1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom; Ry1 and Ry2 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group; Rx represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms, or a cycloalkyl group; and Z represents an alkylene group.
摘要翻译：正型光敏组合物包含：（A）在用光化射线或辐射照射时产生酸的化合物; 和（B）通过酸的作用增加其在碱性显影剂中的溶解度的树脂，其中树脂（B）具有具有酸分解性基团并由式（I）表示的重复单元：其中Xa1表示氢原子，烷基，氰基或卤素原子; Ry1和Ry2各自独立地表示烷基或环烷基; Rx表示具有2个以上碳原子的烷基或环烷基; Z表示亚烷基。

20. 发明授权

US08632942B2 Method of forming patterns 有权
标题翻译：形成图案的方法
公开(公告)号：US08632942B2
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：US13306174
申请日：2011-11-29
申请人： Hideaki Tsubaki
发明人： Hideaki Tsubaki
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/32 , G03F7/20 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0392 , G03F7/325
摘要： A method of forming patterns includes (a) coating a substrate with a resist composition for negative development to form a resist film having a receding contact angle of 70 degrees or above with respect to water, wherein the resist composition for negative development contains a resin capable of increasing the polarity by the action of an acid and becomes more soluble in a positive developer and less soluble in a negative developer upon irradiation with an actinic ray or radiation, (b) exposing the resist film via an immersion medium, and (c) performing development with a negative developer.
摘要翻译：一种形成图案的方法包括（a）用负显影用抗蚀剂组合物涂布基材以形成相对于水的后退接触角为70度或更高的抗蚀剂膜，其中用于负显影的抗蚀剂组合物含有能够通过酸的作用增加极性，并且在通过光化射线或辐射照射时变得更可溶于正极显影剂并且在阴极显影剂中较少溶解，（b）通过浸渍介质曝光抗蚀剂膜，和（c）用负面的开发人员进行开发。

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