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11. 发明专利

DE19927008A1 Semiconductor laser component has inner boundary layers made of two different mixed crystal systems whose band distances are smaller than those of the outer boundary layers 未知
公开(公告)号：DE19927008A1
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：DE19927008
申请日：1999-06-07
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： BUGGE FRANK , ERBERT GOETZ , WENZEL HANS
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/343
摘要： Semiconductor laser component has inner boundary layers (5, 7) made of two different mixed crystal systems whose band distances (Ei1, Ei2) are smaller than those of the outer boundary layers (4, 8). Semiconductor laser component has inner boundary layers (5, 7) made of two different mixed crystal systems whose band distances (Ei1, Ei2) are smaller than those of the outer boundary layers (4, 8). The energetic layers of the conducting and valence band edges of the systems are arranged in such a way that the valence band edges of the n-conducting inner boundary layer (5) lies energetically lower than the valence band edge of the p-conducting inner boundary layer (7). The conducting band edges of the p-conducting inner boundary layer lies energetically higher than the conducting band edge than the conducting band edges of the n-conducting inner boundary layer. The conducting band edge of the n-conducting inner boundary layer lies energetically lower than the conducting band edge of the n-conducting outer boundary layer (4). The valence band edge of the p-conducting inner boundary layer lies energetically higher than the valence band edge of the p-conducting outer boundary layer (8).

12. 发明专利

DE102011086744B3 Diodenlaser und Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasers mit hoher Effizienz 未知
公开(公告)号：DE102011086744B3
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：DE102011086744
申请日：2011-11-21
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： MAASDORF ANDRE , SCHULTZ CHRISTOPH M , WEYERS MARKUS , BROX OLAF , BUGGE FRANK , CRUMP PAUL , ERBERT GOETZ , WENZEL HANS
IPC分类号： H01S5/125
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit hoher Effizienz und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser mit aluminiumhaltigen Schichten und einem zur Stabilisierung der Emissionswellenlänge implementierten Bragg-Gitter zu beschreiben, der im Vergleich zu herkömmlichen Laserdioden eine höhere Leistung und/oder einen höheren Wirkungsgrad aufweist. Die Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass zur Einbringung des Bragg-Gitters eine Aufteilung des Wachstumsprozesses in zwei Teilschritte vorgesehen wird, wobei eine kontinuierliche aluminiumfreie Schicht und eine aluminiumfreie Maskenschicht nach dem ersten Wachstumsprozess kontinuierlich derart aufgebracht werden, dass die aluminiumhaltige Schicht vollständig von der kontinuierlichen aluminiumfreien Schicht überdeckt wird. Daher kann eine Strukturierung außerhalb eines Reaktors erfolgen, ohne dass es zu einer ungewollten Oxidation der aluminiumhaltigen Halbleiterschicht kommt. Anschließend kann die vorstrukturierte Halbleiteroberfläche innerhalb des Reaktors weiter geätzt werden, sodass die Strukturierung bis in die aluminiumhaltige Schicht hinein abgeformt wird. Dabei wird so wenig Sauerstoff in das Halbleiterkristall der aluminiumhaltigen Schichten in der Umgebung des Gitters eingebaut, dass die Leistung und Effizienz eines erfindungsgemäßen Diodenlasers gegenüber einem Diodenlaser ohne die Gitterschichten, der in einem Epitaxieschritt hergestellt worden ist, nicht verringert ist.

13. 发明专利

AT524855T 未知
公开(公告)号：AT524855T
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：AT07802923
申请日：2007-08-27
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： TRAENKLE GUENTHER , ERBERT GOETZ , KLEHR ANDREAS , HOFMANN MARTIN
IPC分类号： H01S1/02

14. 发明专利

DE102009024945A1 Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102009024945A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：DE102009024945
申请日：2009-06-10
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： CRUMP PAUL , ERBERT GOETZ , PIETRZAK AGNIESZKA , WENZEL HANS , BUGGE FRANK , ZORN MARTIN
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/20
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochleistungslaserdiode mit einer vorteilhaften Energieabstrahlung im Fernfeld, d. h. Abstrahlung mit einem schmalen vertikalen Fernfeld. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochleistungslaserdiode und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die trotz relativ geringer Wellenleiterschichtdicken eine Abstrahlung mit geringer Divergenz, bezogen auf das vertikale Fernfeld, aufweist. Dadurch soll insbesondere eine effiziente Einkopplung der Laserstrahlung in optische Systeme, z. B. eine Lichtleitfaser, gewährleistet werden. Erfindungsgemäß weist die aktive Schicht (10) eine Quantentopfstruktur auf, bei der mindestens eine Topfschicht (20) und mindestens zwei Barriereschichten (22) abwechselnd aufeinander geschichtet sind, wobei die jeweils den Wellenleiterschichten (12, 16) nächstgelegenen Barriereschichten (22a, 22b) eine Brechzahl aufweisen, die kleiner oder gleich als die Brechzahl der jeweils angrenzenden Wellenleiterschicht (12, 16) ist.

15. 发明专利

DE102004038283B4 未知
公开(公告)号：DE102004038283B4
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：DE102004038283
申请日：2004-08-03
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： GUETHER REINER , PASCHKE KATRIN , FRICKE JOERG , ERBERT GOETZ
IPC分类号： H01S5/065 , G02F1/35 , H01S3/082 , H01S5/40

16. 发明专利

DE102006027126B3 Radiation punctiform focusing device for use in beam shaping optics, has interface defined by solution of system of equations, and optical medium whose refractive index differs from refractive index of materials 未知
$Radiation punctiform focusing device for use in beam shaping optics, has interface defined by solution of system of equations, and optical medium whose refractive index differs from refractive index of materials$
公开(公告)号：DE102006027126B3
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：DE102006027126
申请日：2006-06-02
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： GUETHER REINER , ERBERT GOETZ
IPC分类号： G02B6/32
摘要： The device has an optical medium arranged along an optical axis behind an optical interface (S2). A light emitting surface and the interface are arranged in a paraxial distance to each other, and the interface and a pixel unit (PB) are arranged in another paraxial distance to one another. The interface is defined by solution of system of equations,. A refractive index (n1) of the medium differs from a refractive index (n2) of materials arranged between a rib waveguide (12) and the interface.

17. 发明专利

DE102004052857A1 未知
公开(公告)号：DE102004052857A1
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：DE102004052857
申请日：2004-10-26
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： ERBERT GOETZ , FRICKE JOERG , WENZEL HANS , JOHN WILFRIED , GUETHER REINER
IPC分类号： G02B6/136 , G02B6/12 , G02B6/13

18. 发明专利

DE10200360A1 未知
公开(公告)号：DE10200360A1
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：DE10200360
申请日：2002-01-08
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： BRAUN MATTHIAS , WENZEL HANS , ERBERT GOETZ
IPC分类号： G02B5/18 , H01S5/12 , H01S5/187

19. 发明专利

DE102016115723A1 Wellenleiterstruktur und optisches System mit Wellenleiterstruktur 未知
公开(公告)号：DE102016115723A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：DE102016115723
申请日：2016-08-24
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： MUELLER ANDRE , ERBERT GOETZ , FRICKE JOERG , WENZEL HANS , SUMPF BERND , PASCHKE KATRIN
IPC分类号： H01S5/026
摘要： Die Erfindung betrifft eine Wellenleiterstruktur und ein optisches System mit einer Wellenleiterstruktur. Die erfindungsgemäße Wellenleiterstruktur (100) umfasst einen ersten Wellenleiterbereich (10) mit einer konstanten ersten Breite (w1), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L10) zu führen; einen zweiten Wellenleiterbereich (20), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L20) zu führen, wobei die Längsachse (L10) des ersten Wellenleiterbereichs (10) und die Längsachse (L20) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) eine gemeinsame Längsachse (L10, L20) der Wellenleiterstruktur (100) ausbilden, wobei eine erste Stirnfläche des ersten Wellenleiterbereichs (10) und eine erste Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) zueinander ausgerichtet sind, wobei die Breite der ersten Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) der ersten Breite (w1) entspricht, und sich die Breite (w) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) entlang seiner Längsachse (L20) von der ersten Stirnfläche zu einer zweiten Stirnfläche auf eine zweite Breite (w2) größer als die erste Breite (w1) aufweitet; und ein Gitter (40) mit einer Vielzahl von Stegen (42) und Gräben (44), wobei das Gitter (40) entlang der gemeinsamen Längsachse (L10, L20) im zweiten Wellenleiterbereich (20) angeordnet ist.

20. 发明专利

DE10221952B4 未知
公开(公告)号：DE10221952B4
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：DE10221952
申请日：2002-05-13
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： RESSEL PETER , ERBERT GOETZ
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/028 , H01S5/16 , H01S5/22
摘要： The aim of the invention is to simplify known passivation methods. According to said method, the semi-conductor elements are heated and cleaned in a high vacuum with a gaseous, reactive low-energy medium. A closed, insulating or slightly conductive, transparent protective layer is applied in-situ, said layer being inert in relation to the material on the mirror-type surface and the remaining components of a natural oxide. In a preferred embodiment, the optical semi-conductor elements is a GaAs-based semi-conductor laser, the reactive and low-energy medium is an atomic hydrogen and the protective layer is made of ZnSe.

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