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11. 发明专利

DE102005014722B4 未知
公开(公告)号：DE102005014722B4
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：DE102005014722
申请日：2005-03-31
申请人： DENSO CORP , SUMITOMO MITSUBISHI SILICON
发明人： YAMAUCHI SHOICHI , YAMAGUCHI HITOSHI , MAKINO TOMOATSU , NOGAMI SYOUJI , YAMAOKA TOMONORI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L21/8234 , H01L29/78
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of: forming a trench in a semiconductor substrate; and forming an epitaxial film on the substrate including a sidewall and a bottom of the trench so that the epitaxial film is filled in the trench. The step of forming the epitaxial film includes a final step before the trench is filled with the epitaxial film. The final step has a forming condition of the epitaxial film in such a manner that the epitaxial film to be formed on the sidewall of the trench has a growth rate at an opening of the trench smaller than a growth rate at a position of the trench, which is deeper than the opening of the trench.

12. 发明专利

DE10058446A1 Semiconducting device with radiation structure has connecting components between first and second radiating components and chip with better conductivity than tungsten and molybdenum 未知
公开(公告)号：DE10058446A1
公开(公告)日：2001-05-31
申请号：DE10058446
申请日：2000-11-24
申请人： DENSO CORP
发明人： MAMITSU KUNIAKI , HIRAI YASUYOSHI , NOMURA KAZUHITO , FUKUDA YUTAKA , KAJIMOTO KAZUO , MIYAJIMA TAKESHI , MAKINO TOMOATSU , NAKASE YOSHIMI
IPC分类号： H01L23/051 , H01L23/40 , H01L23/433 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L23/492
摘要： The device has a semiconducting chip (1a,1b) and first and second radiating parts (2,3) thermally and electrically connected to it to carry away heat from it via radiating surfaces (10). First and second connecting components (4) arranged between the first radiating component and the chip and between the chip and the second radiating component are made of a metal better than tungsten and molybdenum at least in electrical or thermal conductivity. Independent claims are also included for the following: a method of manufacturing a semiconducting device and a method of manufacturing an electronic instrument.

13. 发明专利

DE19951752A1 Electrical device, e.g. a thyristor, IGBT or large capacitor diode, has an intermediate contact of two different diameter electrically and thermally conductive components between a heat emitting element and an electrode 未知
公开(公告)号：DE19951752A1
公开(公告)日：2000-05-25
申请号：DE19951752
申请日：1999-10-27
申请人： DENSO CORP
发明人： HIRAI YASUYOSHI , NOMURA KAZUHITO , MAKINO TOMOATSU , YOSHIDA TAKAHIKO , MASAHIRO SHIOZAWAL , ATSUSHI HASHIKAWA , MUNEO YORINAGA
IPC分类号： H01L23/40 , H01L21/52 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/36
摘要： An electrical device, comprising a heat radiating element (1) which transmits electrical signals to an electrode (2) through an intermediate contact (5) comprising two different diameter electrically and thermally conductive components, is new. Independent claims are also included for the following: (i) a similar electrical device in which the intermediate contact (5) comprises a metal foil with structured surfaces and a metal powder in the gaps between the structured surfaces and the heat emitting element and the electrode; (ii) an electrical device comprising a heat radiating element (1) which emits electrical signals and heat during operation, a pair of signal reception electrodes (2) which sandwich and dissipate heat from the heat radiating element, a pair of radiant components (4) which sandwich the electrode pair and a pair of insulating layers positioned between and integral with the surfaces of the electrode pair and the radiant component pair; and (iii) production of the above electrical devices.

14. 发明专利

DE10058446B4 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen 未知
公开(公告)号：DE10058446B4
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：DE10058446
申请日：2000-11-24
申请人： DENSO CORP
发明人： MAMITSU KUNIAKI , HIRAI YASUYOSHI , NOMURA KAZUHITO , FUKUDA YUTAKA , KAJIMOTO KAZUO , MIYAJIMA TAKESHI , MAKINO TOMOATSU , NAKASE YOSHIMI
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/051 , H01L23/28 , H01L23/40 , H01L23/433 , H01L23/488 , H01L25/07
摘要： Eine Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleiterchip (1a, 1b); ersten und zweiten Abstrahlungsbauteilen (2, 3), welche thermisch und elektrisch mit dem dazwischen liegenden Halbleiterchip verbunden sind und eine Abstrahlungsoberfläche (10) zur Abführung von Wärme von dem Halbleiterchip aufweisen; und ersten und zweiten Verbindungsbauteilen (4), welche jeweils zwischen das erste Abstrahlungsbauteil und den Halbleiterchip und zwischen den Halbleiterchip und das zweite Abstrahlungsbauteil gesetzt sind, wobei: die ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile aus einem metallischen Material gefertigt sind, welches gegenüber Wolfram und Molybdän in der elektrischen Leitfähigkeit und der thermischen Leitfähigkeit besser ist, und wobei der Halbleiterchip und die ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile mit einem Kunstharz (9) eingesiegelt sind, welches einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, der annähernd gleich dem der ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile ist, und wobei das Kunstharz (9) jeweils teilweise zwischen dem ersten Abstrahlungsbauteil und dem Halbleiterchip und zwischen dem Halbleiterchip und dem zweiten Abstahlungsbauteil angeordnet ist, um...

15. 发明专利

DE10066445B4 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur 未知
公开(公告)号：DE10066445B4
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：DE10066445
申请日：2000-11-24
申请人： DENSO CORP
发明人： MAMITSU KUNIAKI , HIRAI YASUYOSHI , NOMURA KAZUHITO , FUKUDA YUTAKA , KAJIMOTO KAZUO , MIYAJIMA TAKESHI , MAKINO TOMOATSU , NAKASE YOSHIMI
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/051 , H01L23/40 , H01L23/433 , H01L23/492 , H01L25/07
摘要： Eine Halbleitervorrichtung, mit: einem Halbleiterchip (501a, 501b) mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche; einem ersten Abstrahlungsbauteil (503) mit einem konvexen Abschnitt (506), der mit der ersten Oberfläche des Halbleiterchips über ein erstes Verbindungsbauteil (502) mit thermischer Leitfähigkeit in Verbindung steht; und einem zweiten Abstrahlungsbauteil (504), welches mit der zweiten Oberfläche des Halbleiterchips über ein zweites Verbindungsbauteil (502) mit thermischer Leitfähigkeit in Verbindung steht; einer Steuerelektrode, die auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips vorhanden ist; einem Leiterrahmen (509), der elektrisch mit der Steuerelektrode verbunden ist, wobei das erste Abstrahlungsbauteil oder das zweite Abstrahlungsbauteil einen vorstehenden Abschnitt (507a, 507b) auf einer Seite in Richtung des Halbleiterchips weisend hat; der vorstehende Abschnitt fest in eine Bohrung (512a, 512b) eingeführt ist, welche in dem Leiterrahmen ausgebildet ist, um das erste Abstrahlungsbauteil oder das zweite Abstrahlungsbauteil festzulegen; und wobei ein Abstandshalter (513) in einem Raum angeordnet...

16. 发明专利

DE10257203A1 未知
公开(公告)号：DE10257203A1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：DE10257203
申请日：2002-12-06
申请人： DENSO CORP
发明人： MIURA SHOJI , MAKINO TOMOATSU , SUZUKI FUMINARI
IPC分类号： H01L29/861 , H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/16 , H03K17/695 , H03K17/082
摘要： A load drive circuit, disposed to drive an inductive load, includes a reflux closed circuit connected to the load. A flywheel diode is placed in the reflux closed circuit. A MOS transistor, disposed to turn on/off current to drive the load, is connected in parallel to the flywheel diode. A capacitor is disposed to connect its both ends to a gate and a drain of the MOS transistor, while a resistor is disposed to connect its both ends to the gate and a source of the MOS transistor. During a recovery operation of the flywheel diode, with the help of the capacitor and resistor, a gate-to-source voltage of the MOS transistor is pulled up to a value over a threshold for a predetermined period of time. Pulling up the gate-to-source voltage results in a softened recovery characteristic of the flywheel diode, suppressing recovery surges.

17. 发明专利

DE69402586T2 未知
公开(公告)号：DE69402586T2
公开(公告)日：1997-10-09
申请号：DE69402586
申请日：1994-02-18
申请人： DENSO CORP
发明人： KAJIMOTO KAZUO , MAKINO TOMOATSU , MAKINO YASUAKI , AOYAMA SEIKI
IPC分类号： F02D41/34 , G01D5/14 , G01D5/16 , G01D5/244 , G01D5/245 , G01D5/249
摘要： A position detector which provides improved reference position detecting precision by stabilizing the output signal from magnetoelectric transducers in a reference position part. A rotor (2) has a magnetized surface (5) alternately provided with different magnetic poles and a reference positional part (5a) in which magnetic poles provided on the magnetized surface (5) are partly omitted. A rotational angle sensor (6) has MR elements (7A and 7B) laid out thereon in opposition to the magnetized surface (5) of the rotor (2) to output the voltage signal VS according to the magnetic field intensity in the magnetized surface (5) due to the rotation of the rotor (2). A waveform processing circuit (11) and a pulse signal processing signal (12) shape the waveform of the voltage signal (VS) from the rotational angle sensor (6), and also generate the rotational angle pulse signal (Ne) and a reference position pulse signal (G) according to the waveform reforming signal. The reference positional part (5a) is arranged so that the magnetic field intensity therein can be within the saturation magnetic field region of the Mr elements (7A and 7B).

18. 发明专利

DE10066441B4 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen 未知
公开(公告)号：DE10066441B4
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：DE10066441
申请日：2000-11-24
申请人： DENSO CORP
发明人： MAMITSU KUNIAKI , HIRAI YASUYOSHI , NOMURA KAZUHITO , FUKUDA YUTAKA , KAJIMOTO KAZUO , MIYAJIMA TAKESHI , MAKINO TOMOATSU , NAKASE YOSHIMI
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/051 , H01L23/18 , H01L23/40 , H01L23/433 , H01L23/492 , H01L25/07
摘要： Eine Halbleitervorrichtung, mit: ersten und zweiten Halbleiterchips (1a, 1b); und ersten und zweiten Abstrahlungsbauteilen (3, 4), welche über ein Verbindungsbauteil (4) thermisch und elektrisch mit den ersten und zweiten Halbleiterchips in Verbindung stehen, welche zwischen ihnen liegen und eine Abstrahlungsoberfläche (10) aufweisen zur Abstrahlung von Wärme von den ersten und zweiten Halbleiterchips, wobei das erste Abstrahlungsbauteil erste und zweite vorstehende Abschnitte (2a) hat, welche in Richtung der ersten und zweiten Halbleiterchips vorstehen; erste und zweite vordere Endabschnitte der ersten und zweiten vorstehenden Abschnitte thermisch und elektrisch mit den ersten und zweiten Halbleiterchips über die Verbindungsbauteile in Verbindung stehen, die ersten und zweiten Halbleiterchips und die ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile mit einem Kunstharz (9) eingesiegelt sind, welches einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, der annähernd gleich demjenigen der ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile ist, und das Kunstharz (9) jeweils teilweise zwischen dem ersten Abstrahlunsbauteil und den Halbleiterchips und...

19. 发明专利

DE10257203B4 Lastansteuerungsschaltung unter Verwendung einer Freilaufdiode 未知
公开(公告)号：DE10257203B4
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：DE10257203
申请日：2002-12-06
申请人： DENSO CORP
发明人： MIURA SHOJI , MAKINO TOMOATSU , SUZUKI FUMINARI
IPC分类号： H01L29/861 , H03K17/16 , H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/082 , H03K17/695
摘要： Schaltungsanordnung zum Anschluss an eine induktive Last (52), mit: einer Freilaufdiode (57); einem MOS-Transistor (58), welcher zu der Freilaufdiode (57) parallel geschaltet ist; einem Kondensator (59), dessen erstes Ende direkt mit dem Gate und dessen zweites Ende direkt mit dem Drain des MOS-Transistors (58) verbunden sind; einem Widerstand (60), dessen erstes Ende direkt mit dem Gate des MOS-Transistors (59) und dessen zweites Ende direkt mit der Source des MOS-Transistors (58) verbunden ist; und mit Mitteln (53–56), die durch Zusammenwirken mit dem Kondensator (59) und dem Widerstand (6) die Gate/Source-Spannung des MOS-Transistorsg für eine vorbestimmte Zeitdauer während eines Erholungsvorgangs der Freilaufdiode (57) auf einen Wert oberhalb der Schwellenwertspannung des MOS-Transistors (58) angehoben wird.

20. 发明专利

DE19951752B4 Elektrische Druckkontaktvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE19951752B4
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：DE19951752
申请日：1999-10-27
申请人： DENSO CORP
发明人： HIRAI YASUYOSHI , NOMURA KAZUHITO , MAKINO TOMOATSU , YOSHIDA TAKAHIKO , MASAHIRO SHIOZAWA , ATSUSHI HASHIKAWA , MUNEO YORINAGA
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/485 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L23/48
摘要： Eine elektrische Druckkontaktvorrichtung mit einem Wärme abstrahlenden Element (1) zur Ausgabe elektrischer Signale und zur Abstrahlung von Wärme während des Betriebs; und einem Elektrodenbauteil (2), welches mit dem Wärme abstrahlenden Element mit einem dazwischen geschalteten Kontaktzwischenbauteil (5) kontaktiert ist zum Abgriff des elektrischen Signals von dem Wärme abstrahlenden Element über das Kontaktzwischenbauteil, wobei das Kontaktzwischenbauteil nur gebildet ist aus ersten (5a) und zweiten Bauteilen (5b), von denen jedes elektrische Leitfähigkeit und thermische Leitfähigkeit hat und aus einem oder mehreren Materialien aus der nachfolgenden Gruppe ausgewählt ist: Au, Ag, Al, Cu, Pt, Ni, Ti, C, Cr, Mo, W und Zusammensetzungen dieser Materialien, und wobei die ersten Baueile (5a) erste Partikelteile in Partikelform mit einem ersten durchschnittlichen Durchmesser und die zweiten Bauteile (5b) zweite Partikelteile in Partikelform mit einem zweiten durchschnittlichen Durchmesser kleiner als der erste durchschnittliche Durchmesser aufweisen und in Spalte oder Lücken eingefügt sind, welche zwischen...

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