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    • 15. 发明授权
    • Driving drop ejectors
    • 驱动液滴喷射器
    • US08807679B2
    • 2014-08-19
    • US12991897
    • 2009-05-01
    • Paul A. Hoisington
    • Paul A. Hoisington
    • B41J29/38B41J2/045H01L41/09
    • B41J2/04588B41J2/04541B41J2/0455B41J2/04581H01L41/0973
    • Methods, systems, and apparatus, for drop ejection, specifically, for driving drop ejectors using n-type double-diffused metal oxide semiconductor (NDMOS) transistors with sputtered piezoelectric transducers. In general, in one aspect, an apparatus includes a n-type double-diffused metal oxide semiconductor transistor. The apparatus also includes a piezoelectric transducer. A first surface of the piezoelectric transducer is coupled to the n-type double-diffused metal oxide semiconductor transistor. The apparatus also includes a first waveform generator configured to generate an ejector waveform to apply to a second surface of the piezoelectric transducer. The ejector waveform includes at least a positive pulse and a negative pulse. The apparatus also includes a second waveform generator configured to generate a control waveform to apply to the n-type double-diffused metal oxide semiconductor transistor to selectively actuate the piezoelectric transducer.
    • 用于液滴喷射的方法,系统和装置,具体地,用于使用具有溅射压电换能器的n型双扩散金属氧化物半导体(NDMOS)晶体管驱动液滴喷射器。 通常,在一个方面,一种装置包括n型双扩散金属氧化物半导体晶体管。 该装置还包括压电换能器。 压电换能器的第一表面耦合到n型双扩散金属氧化物半导体晶体管。 该装置还包括第一波形发生器,其被配置为产生喷射器波形以施加到压电换能器的第二表面。 喷射器波形至少包括一个正脉冲和一个负脉冲。 该装置还包括第二波形发生器,其被配置为产生施加到n型双扩散金属氧化物半导体晶体管以选择性地致动压电换能器的控制波形。