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11. 发明申请

US20060108591A1 Method and apparatus for electroluminescence 有权
标题翻译：电致发光的方法和装置
公开(公告)号：US20060108591A1
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：US11086898
申请日：2005-03-22
申请人： Chih Yeh , Shaw Ku , Tahui Wang , Chih Lu
发明人： Chih Yeh , Shaw Ku , Tahui Wang , Chih Lu
IPC分类号： H01L31/12
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/0004
摘要： Methods and apparatuses for causing electroluminescence with charge trapping structures are disclosed. Various embodiments relate to methods and apparatuses for causing electroluminescence with charge carriers of one type provided to the charge trapping structure by a forward biased p-n structure or a reverse biased p-n structure.
摘要翻译：公开了用电荷捕获结构进行电致发光的方法和装置。各种实施方案涉及用于通过正向偏置p-n结构或反向偏置p-n结构提供给电荷俘获结构的一种类型的电荷载体进行电致发光的方法和装置。

12. 发明申请

US20060140000A1 Operation methods for a non-volatile memory cell in an array 有权
标题翻译：阵列中非易失性存储单元的操作方法
公开(公告)号：US20060140000A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：US11020269
申请日：2004-12-27
申请人： Yi Liao , Chih Yeh , Wen Tsai
发明人： Yi Liao , Chih Yeh , Wen Tsai
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0483
摘要： A method of reducing gate disturb in a charge-trapping layer memory cell by applying different Vpass voltages to different sides of a selected wordline. A higher Vpass voltage is used to pass higher source/drain voltage and a lower Vpass voltage is used to pass a lower source/drain voltage. By controlling the Vpass voltages on different sides of a selected wordline, it is possible to reduce a vertical field that is established in a gate region when the Vpass voltages are applied. A reduced vertical field results in suppressed gate disturb. The method also includes a novel bit-line biasing scheme that may further reduce the vertical field and thereby may further suppress gate disturb, particularly in an array of memory cells.
摘要翻译：一种通过在选定字线的不同侧面施加不同的Vpass电压来减少电荷俘获层存储单元中的门扰动的方法。较高的Vpass电压用于传递较高的源极/漏极电压，较低的Vpass电压用于通过较低的源极/漏极电压。通过控制所选字线的不同侧的Vpass电压，可以减小施加Vpass电压时在栅极区域中建立的垂直场。减小的垂直场导致抑制的门扰动。该方法还包括新颖的位线偏置方案，其可以进一步减小垂直场，从而可进一步抑制门扰动，特别是在存储器单元阵列中。

13. 发明申请

US20070218575A1 Method and Apparatus for Electroluminescence 有权
标题翻译：电致发光的方法和装置
公开(公告)号：US20070218575A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：US11749006
申请日：2007-05-15
申请人： Chih Yeh , Shao Ku , Tahui Wang , Chih Lu
发明人： Chih Yeh , Shao Ku , Tahui Wang , Chih Lu
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/0004
摘要： Methods and apparatuses for causing electroluminescence with charge trapping structures are disclosed. Various embodiments relate to methods and apparatuses for causing electroluminescence with charge carriers of one type provided to the charge trapping structure by a forward biased p-n structure or a reverse biased p-n structure.
摘要翻译：公开了用电荷捕获结构进行电致发光的方法和装置。各种实施方案涉及用于通过正向偏置p-n结构或反向偏置p-n结构提供给电荷俘获结构的一种类型的电荷载体进行电致发光的方法和装置。

14. 发明申请

US20070140010A1 Method and Apparatus for Operating a String of Charge Trapping Memory Cells 有权
标题翻译：用于操作电荷陷阱记忆单元串的方法和装置
公开(公告)号：US20070140010A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：US11279720
申请日：2006-04-13
申请人： Chih Yeh , Wen Tsai , Yi Liao
发明人： Chih Yeh , Wen Tsai , Yi Liao
IPC分类号： G11C16/04 , G11C11/34
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C16/10 , G11C16/3445 , G11C16/3459
摘要： An array of charge trapping nonvolatile memory cells is arranged in several columns of cells, each arranged in a series, such as a NAND string. Each cell stores no more than a single charge storage state.
摘要翻译：电荷捕获非易失性存储单元的阵列被布置在几列单元格中，每列单元排列成一串，例如NAND串。每个单元格不存储单个电荷存储状态。

15. 发明申请

US20080019172A1 Gated Diode Nonvolatile Memory Cell Array 有权
标题翻译：门极二极管非易失性存储单元阵列
公开(公告)号：US20080019172A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：US11865616
申请日：2007-10-01
申请人： Yi Liao , Wen Tsai , Chih Yeh
发明人： Yi Liao , Wen Tsai , Chih Yeh
IPC分类号： G11C11/36
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： A gated diode nonvolatile memory cell with a charge storage structure includes a diode structure with an additional gate terminal. Example embodiments include the individual memory cell, an array of such memory cells, methods of operating the memory cell or array of memory cells, and methods of manufacturing the same.
摘要翻译：具有电荷存储结构的门控二极管非易失性存储单元包括具有附加栅极端子的二极管结构。示例性实施例包括单独的存储器单元，这种存储器单元的阵列，操作存储单元或存储单元阵列的方法及其制造方法。

16. 发明申请

US20070133292A1 Method for operating gated diode nonvolatile memory cell 有权
标题翻译：操作门极二极管非易失性存储单元的方法
公开(公告)号：US20070133292A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：US11299310
申请日：2005-12-09
申请人： Yi Liao , Wen Tsai , Chih Yeh
发明人： Yi Liao , Wen Tsai , Chih Yeh
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： H01L27/1021 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C2216/06 , H01L27/115
摘要： A gated diode nonvolatile memory cell with a charge storage structure includes a diode structure with an additional gate terminal. Example embodiments include the individual memory cell, an array of such memory cells, methods of operating the memory cell or array of memory cells, and methods of manufacturing the same.
摘要翻译：具有电荷存储结构的门控二极管非易失性存储单元包括具有附加栅极端子的二极管结构。示例性实施例包括单独的存储器单元，这种存储器单元的阵列，操作存储单元或存储单元阵列的方法及其制造方法。

17. 发明申请

US20070133274A1 Gated diode nonvolatile memory cell array 有权
标题翻译：门极二极管非易失性存储单元阵列
公开(公告)号：US20070133274A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：US11298912
申请日：2005-12-09
申请人： Yi Liao , Wen Tsai , Chih Yeh
发明人： Yi Liao , Wen Tsai , Chih Yeh
IPC分类号： G11C11/36
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： A gated diode nonvolatile memory cell with a charge storage structure includes a diode structure with an additional gate terminal. Example embodiments include the individual memory cell, an array of such memory cells, methods of operating the memory cell or array of memory cells, and methods of manufacturing the same.
摘要翻译：具有电荷存储结构的门控二极管非易失性存储单元包括具有附加栅极端子的二极管结构。示例性实施例包括单独的存储器单元，这种存储器单元的阵列，操作存储单元或存储单元阵列的方法及其制造方法。

18. 发明申请

US20080008005A1 Operation Methods For A Non-Volatile Memory Cell In An Array 有权
标题翻译：阵列中非易失性存储单元的操作方法
公开(公告)号：US20080008005A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：US11856457
申请日：2007-09-17
申请人： Yi LIAO , Chih Yeh , Wen Tsai
发明人： Yi LIAO , Chih Yeh , Wen Tsai
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0483
摘要： A method of reducing gate disturb in a charge-trapping layer memory cell by applying different Vpass voltages to different sides of a selected wordline. A higher Vpass voltage is used to pass higher source/drain voltage and a lower Vpass voltage is used to pass a lower source/drain voltage. By controlling the Vpass voltages on different sides of a selected wordline, it is possible to reduce a vertical field that is established in a gate region when the Vpass voltages are applied. A reduced vertical field results in suppressed gate disturb. The method also includes a novel bit-line biasing scheme that may further reduce the vertical field and thereby may further suppress gate disturb, particularly in an array of memory cells.
摘要翻译：一种通过在选定字线的不同侧面施加不同的Vpass电压来减少电荷俘获层存储单元中的门扰动的方法。较高的Vpass电压用于传递较高的源极/漏极电压，较低的Vpass电压用于通过较低的源极/漏极电压。通过控制所选字线的不同侧的Vpass电压，可以减小施加Vpass电压时在栅极区域中建立的垂直场。减小的垂直场导致抑制的门扰动。该方法还包括新颖的位线偏置方案，其可以进一步减小垂直场，从而可进一步抑制门扰动，特别是在存储器单元阵列中。

19. 发明申请

US20070201269A1 Method and Apparatus for Protection from Over-Erasing Nonvolatile Memory Cells 有权
标题翻译：用于防止过度擦除非易失性存储单元的方法和装置
公开(公告)号：US20070201269A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：US11742398
申请日：2007-04-30
申请人： Yi Liao , Chih Yeh , Wen Tsai , Tao-Cheng Lu
发明人： Yi Liao , Chih Yeh , Wen Tsai , Tao-Cheng Lu
IPC分类号： G11C16/04 , G11C11/34
CPC分类号： G11C16/3404
摘要： Methods and apparatuses for protecting charge trapping memory cells from over-erasing in response to an erase command are disclosed.
摘要翻译：公开了用于保护电荷俘获存储器单元响应于擦除命令的过度擦除的方法和装置。

20. 发明申请

US20070140019A1 Method and apparatus for operating a string of charge trapping memory cells 审中-公开
标题翻译：用于操作电荷俘获存储器单元串的方法和装置
公开(公告)号：US20070140019A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：US11315783
申请日：2005-12-21
申请人： Chih Yeh , Wen Tsai , Yi Liao
发明人： Chih Yeh , Wen Tsai , Yi Liao
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C11/5671 , G11C16/0466
摘要： An array of charge trapping nonvolatile memory cells is arranged in several columns of cells, each arranged in a series, such as a NAND string. Each cell stores no more than a single charge storage state.
摘要翻译：电荷捕获非易失性存储单元的阵列被布置在几列单元格中，每列单元排列成一串，例如NAND串。每个单元格不存储单个电荷存储状态。

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