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    • 11. 发明授权
    • Semiconductor device
    • 半导体器件
    • US08181882B2
    • 2012-05-22
    • US12572710
    • 2009-10-02
    • Yuki HataKoichiro Kamata
    • Yuki HataKoichiro Kamata
    • G06K19/06
    • G06K19/0723G06K19/0701G06K19/0715H01L27/12H01L27/1214H01L27/13H01Q1/2225H01Q1/248
    • The semiconductor device includes an antenna 101, a rectifier circuit 102, a first protection circuit 107, and a second protection circuit 108. The antenna 101 generates AC voltage. The rectifier circuit 102 rectifies the AC voltage and generates internal voltage Vin. The first protection circuit 107 includes a first diode 201 and a second diode 202. The second protection circuit 108 includes a capacitor 203 and a transistor 204. In the case where the absolute value of the AC voltage generated in the antenna 101 is larger than a certain value, the first protection circuit 107 cuts the surplus. The second protection circuit 108 functions in the case where the level of the internal voltage Vin generated in the rectifier circuit 102 is high. By changing resonant frequency, the second protection circuit 108 can decrease the number of signals input to the semiconductor device.
    • 半导体器件包括天线101,整流电路102,第一保护电路107和第二保护电路108.天线101产生交流电压。 整流电路102对AC电压进行整流,并产生内部电压Vin。 第一保护电路107包括第一二极管201和第二二极管202.第二保护电路108包括电容器203和晶体管204.在天线101中产生的AC电压的绝对值大于 一定值,第一保护电路107切断剩余。 在整流电路102中产生的内部电压Vin的电平为高的情况下,第二保护电路108起作用。 通过改变谐振频率,第二保护电路108可以减少输入到半导体器件的信号的数量。