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    • 12. 发明授权
    • 광 검지기의 P층 캐리어 및 N층 캐리어 진성 반도체 확산방지 방법
    • 光电探测器的P层载流子和N层载流子固有的半导体扩散防止方法
    • KR100654310B1
    • 2006-12-08
    • KR1020050018250
    • 2005-03-04
    • 주식회사삼영에스앤씨
    • 김경호박관선최성옥김봉석김상배
    • H01L31/10
    • 본 발명은 에너지 밴드 갭이 변화된 P층(또는 N층) 에너지 밴드 구조를 가지는 광 검지기의 P층 캐리어 및 N층 캐리어 진성 반도체 확산 방지 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 광 검지기의 P층 캐리어 및 N층 캐리어 진성 반도체 확산 방지 방법은, PIN(또는 NIP) 형태의 광 검지기의 P형 반도체 층(또는 N형 반도체 층)에서 에너지 밴드 갭이 진성 반도체 층의 에너지 밴드 갭보다 크게 하고, P형 반도체 층의 에너지 밴드 갭이 진성 반도체 층으로 갈수록 점진적으로 커지다가 진성 반도체 층에 접하는 영역에서 급격히 줄어들도록 한다. 이와 같은 구조는, 자외선 영역뿐만 아니라 모든 파장 영역의 광 검출기에 활용 가능하고, P형 반도체 층(또는 N형 반도체 층)의 에너지 밴드 갭을 변화하여 P형 반도체 층(또는 N형 반도체 층)에서 생성된 캐리어가 진성 반도체 층으로 확산되는 것을 방지함으로써 발생된 캐리어가 광 검출기의 출력에 해당하는 광전류에 기여하지 못하도록 하고, 동작 속도를 높이고, 필요한 파장 영역의 빛만을 검출할 수 있게 한다.
      광 검지기, 포토다이오드, P형 반도체, N형 반도체, 진성 반도체, 에너지 밴드 갭, PIN, NIP
    • 本发明涉及具有改变能带隙的P层(或N层)能带结构的光电检测器的P层载体和N层载流子本征半导体扩散防止方法。 P层的载体和N层载体的本征半导体防止光学检测器的扩散根据传感器的光的P型半导体层的形式的本发明方法,PIN(或NIP)(或N型半导体层)是本征半导体层的能带隙在 P型半导体层的能带隙朝向本征半导体层逐渐增加,并且在与本征半导体层接触的区域中急剧减小。 这种结构可以用于所有波长区域以及紫外区域中的光检测器,并且可以改变P型半导体层(或N型半导体层)的能带隙, 一个载流子产生通过防止产生载流子扩散到本征半导体层防止到对应于光电检测器的输出处的光电流贡献,提高操作速度,能够检测所要求的波长范围内的唯一的光。