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热词
    • 12. 发明授权
    • 전이층을 생략할 수 있는 캔틸레버 벽식구조를 포함하는복합구조
    • 具有悬臂梁式结构的复杂系统,用于省略转移梁和转移板
    • KR100585850B1
    • 2006-06-01
    • KR1020040039735
    • 2004-06-01
    • 주식회사 씨에스구조엔지니어링박형석
    • 김종수박형석
    • E04B1/20
    • 본 발명은 전이층을 생략할 수 있는 캔틸레버 벽식구조를 포함하는 복합구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기둥식 라멘구조 상부에 벽식구조가 결합된 복합구조에서 내벽체를 캔틸레버 형태로 기둥에 접합시켜 캔틸레버 벽체에 작용하는 수직하중을 직접 하부벽체로 전달하지 않고 각 층의 플랫슬래브로 전달되는 수평력에 의한 모멘트와 캔틸레버 벽체의 전단력으로 기둥에 전달하도록 함으로써 하부의 기둥식 라멘구조로 만들기 위해서 상부벽체에 대한 전이층을 생략할 수 있도록 한 캔틸레버 벽식구조를 포함하는 복합구조에 관한 것이다.
      본 발명의 전이층을 생략할 수 있는 캔틸레버 벽식구조를 포함하는 복합구조는 기둥식 라멘구조 상부에 벽식구조가 결합된 복합구조에서, 상기 라멘구조로부터 연장되어 상기 벽식구조의 외부골조로 배치·설계되는 다수개의 기둥; 상기 다수개의 기둥으로 둘러싸인 벽식구조 공간에 층을 형성하면서 설치되는 다수개의 플랫슬래브; 및, 상기 플랫슬래브와 플랫슬래브 사이에 위치하되 벽식구조의 내측으로 향하도록 상기 기둥에 접합·설치되는 캔틸레버 내력 내벽체;를 포함하여 구성된다.
      복합구조, 벽식구조, 캔틸레버, 전이층, 플랫슬래브
    • 13. 实用新型
    • 강봉을 이용한 하중전이용 보의 가설트러스 시스템
    • 采用钢杆的承重梁的混合桁架系统
    • KR200275544Y1
    • 2002-05-11
    • KR2020020006028
    • 2002-02-28
    • 주식회사 씨에스구조엔지니어링
    • 박형석김종수
    • E04G11/50E04G11/48
    • 본 고안은 강봉을 이용한 하중전이용 보의 가설 트러스시스템에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 건물의 하중전이용 보의 시공 시, 상기 하중전이용 보의 자중을 지지하기 위해서 가설지지수단을 다수의 층에 걸쳐 설치하는 대신, 한 개 층에만 트러스형식의 가설재를 설치함으로서, 하중전이용 보 시공에 필요한 가설재 설치비용을 절감할 수 있고, 하중전이용 보의 자중을 하부층의 기둥으로 직접 전달 할 수 있어 보다 효율적인 건물시공이 가능하며, 특히 다수 층에 걸친 가설지지수단을 이용하지 않기 때문에 하부층의 내부 마감공사 등을 조기에 시작할 수 있어 공사의 공기단축 및 공사비절감이 가능한 강봉을 이용한 하중전이용 보의 가설트러스 시스템에 관한 것으로서, 특정 층의 기 시공된 보의 위로 형성된 상부기둥 상부면에, 잭 서포트와 같은 가설지지수단에 의해 지지되는 콘크리트 타설 전의 하중전이용 보; 및 상기 기 시공된 보의 아래로 형성된 하부기둥 사이 및 보의 저면에, 기 시공된 보인 상현재, 하부기둥 사이에 걸쳐 연결되는 강봉인 하현재, 중간재 및 상기 상현재, 하현재,중간재,기둥 과 보의 결합수단를 포함하는 가설트러스로 구성된다.
    • 18. 发明授权
    • 다중 게이트를 적용한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및그 제조 방법
    • 다중게이트를적용한절연게이트바이폴라트랜스스터및그제조방
    • KR100744845B1
    • 2007-08-01
    • KR1020060068375
    • 2006-07-21
    • 고려대학교 산학협력단
    • 성만영이한신박형석
    • H01L29/73
    • An insulated gate bipolar transistor having multiple gates and a method for manufacturing the same are provided to improve a latch up characteristic by removing a hole current path through a trench process and forming then a gate. A first polycrystal silicon gate(210) is formed in a center portion of a cell, and a second polycrystal silicon gate is formed on a sidewall of the edge of the cell. A first electrode(220) of conductor is formed between the first polycrystal silicon gate and the second polycrystal silicon gate. A second electrode(230) made of conductor is formed adjacent to the second polycrystal silicon gate. The first polycrystal silicon gate penetrates an N-type region and a P-type region.
    • 提供具有多个栅极的绝缘栅双极晶体管及其制造方法,以通过去除通过沟槽工艺的空穴电流路径并形成栅极来提高闩锁特性。 第一多晶硅栅极(210)形成在单元的中心部分中,第二多晶硅栅极形成在单元边缘的侧壁上。 在第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极之间形成导体的第一电极(220)。 由导体制成的第二电极(230)与第二多晶硅栅极相邻地形成。 第一多晶硅栅极穿透N型区域和P型区域。
    • 19. 发明授权
    • 다중 트렌치를 적용한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및그 제조 방법
    • 다중트렌치를적용한절연게이트바이폴라트랜스스터및그제조방
    • KR100742779B1
    • 2007-07-26
    • KR1020060068369
    • 2006-07-21
    • 고려대학교 산학협력단
    • 성만영이한신박형석
    • H01L29/70
    • An insulated gate bipolar transistor using a multiple trench is provided to improve a latch-up characteristic by forming an oxide layer after a portion of a bipolar transistor in which a hole current path is formed is removed by a trench process. A polysilicon gate(220) is formed in the center of a cell in one cell pitch. A trench-type insulation region(210) is formed of the sidewall on the edge of the cell. An electrode(230) is formed between the polysilicon gate and the trench-type insulation region, made of a conductor. The polysilicon gate can have such a depth as to penetrate N-type and P-type regions of a high density and reach an N-type region of a low density.
    • 提供使用多沟槽的绝缘栅双极晶体管,以通过沟槽工艺去除在其中形成有空穴电流路径的双极晶体管的一部分之后形成氧化物层来提高闩锁特性。 多晶硅栅极(220)以一个单元间距形成在单元的中央。 沟槽型绝缘区域(210)由单元边缘上的侧壁形成。 在多晶硅栅极和由导体制成的沟槽型绝缘区域之间形成电极(230)。 多晶硅栅极可以具有穿透高密度的N型区域和P型区域并且达到低密度的N型区域的深度。