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11. 发明授权

KR101344795B1 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：用于抗蚀剂下层膜的组合物和使用其的半导体集成电路装置的制造方法
公开(公告)号：KR101344795B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020090136179
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
摘要： 이로써, 본발명은저장안정성및 내에칭성이우수한레지스트하층막을제공하여우수한패턴을전사할수 있는레지스트하층막용조성물및 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공할수 있다.
摘要翻译：因此，本发明可以提供一种贮存稳定性和耐蚀刻性是用于制造设置成优异的转印图案的抗蚀剂采用相同的组合物的下层膜和下层抗蚀剂膜优异的半导体集成电路器件的方法。

12. 发明公开

KR1020110079195A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020110079195A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136179
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , G03F7/091
摘要： PURPOSE: A resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same are provided to easily control the surface of a hydrophilic characteristic or the hydrophobic characteristic by increasing the content of silicon without a silane compound. CONSTITUTION: A resist sublayer composition includes a solvent and an organic silane-based polycondensate containing a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and Y-(Si(OR)_3)_a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or substituted alkylene group. The a is 1 or 2. The Z is selected from a group including hydrogen and C1 to C6 alkyl group.
摘要翻译：目的：提供抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体集成电路的制造方法，通过增加不含硅烷化合物的硅含量，容易地控制亲水性特性或疏水性表面。构成：抗蚀剂亚层组合物包含溶剂和含有由化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自含有取代或未取代的C6〜C30官能团的基团，取代芳环，C1〜C12烷基，Y-（Si（OR）_3）_a。 R为C1至C6烷基。 Y是直链或支链取代或未取代的C1至C20亚烷基或取代的亚烷基。 a为1或2.Z选自包括氢和C 1至C 6烷基的基团。

13. 发明公开

KR1020110079194A 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：光刻胶底层组合物及其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110079194A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136178
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 우창수 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A photo-resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provide to stably form a photo-resist pattern and easily control the surface material characteristic. CONSTITUTION: A photo-resist sublayer composition includes a solvent and a polysiloxane resin represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the x, the y, and the z represents the relative ratio of the (SiO_1.5Y-SiO_1.5)_x repeating unit, the (SiO_2)_y repeating unit, the (XSiO_1.5)_z repeating unit. The e and the f represents the ratio of the number of OH groups and OR groups, which is bonded with the silicon atom in the polysiloxane resin, with respect to the 2x+Y+z of silicon atoms. The R1 is C1 to C6 alkyl group. The X is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group or C3 to C30 hetero aryl group. The Y is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group, C3 to C30 hetero aryl group, C1 to C20 linear or branched substituted or non-substituted akylene group, C1 to C20 alkylene group, C2 to C20 hydrocarbon group with a double bond or a triple bond, and the combination of the same.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体器件的制造方法，以稳定地形成光刻胶图案并容易地控制表面材料特性。构成：光抗蚀剂亚层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂。在化学式1中，x，y和z表示（SiO_1.5Y-SiO_1.5 ）_x重复单元，（SiO_2）_y重复单元，（XSiO_1.5）_z重复单元。 e和f表示与硅原子的2x + Y + z相关的与硅氧烷树脂中的硅原子键合的OH基和OR基的数目的比例。 R1是C1-C6烷基。 X是取代或未取代的C6至C30芳基或C3至C30杂芳基。 Y为取代或未取代的C6至C30芳基，C3至C30杂芳基，C1至C20直链或支链取代或未取代亚烷基，C1至C20亚烷基，C2至C20烃基双键或三键，以及它们的组合。

14. 发明公开

KR1020110077683A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020110077683A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134325
申请日：2009-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤희찬 , 김상균 , 조현모 , 김미영 , 고상란 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A composition for a resist sub layer and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the same are provided to effectively transfer desired patterns and easily control the hydrophilic or hydrophobic surface characteristic. CONSTITUTION: A composition for a resist sub layer includes a solvent and organic silane-based polycondensate containing 10 to 40 mol% of a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing a substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and -Y-SI(OR)3a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched and substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or C1 to C20 alkylene group containing a substituted group which is selected from alkenylene group, alkynylene group, arylene group, a hetero ring group, urea group, isocyanurate, and the combination of the same in a main chain. The a is 1 or 2.
摘要翻译：目的：提供一种抗蚀剂子层用组合物和使用该组合物的半导体集成电路器件的制造方法，以有效地转印所需图案并容易地控制亲水或疏水表面特性。构成：抗蚀剂子层用组合物包含溶剂和含有10〜40摩尔％的化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自包括C6〜含有取代或未取代的芳环，C 1至C 12烷基和-Y-SI（OR）3a的C 30官能团。 R为C1至C6烷基。 Y为直链或支链，取代或未取代的C1至C20亚烷基或含有选自亚烯基，亚炔基，亚芳基，杂环基，脲基，异氰脲酸酯基的取代基的C1至C20亚烷基，以及在主链中的相同的组合。 a是1或2。

15. 发明授权

KR100930674B1 반도체 도포 및 미세 갭 필용 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 반도체 케페시터 제조방법 失效
标题翻译：用于填充填料的涂料组合物，以及生产电容器的方法
公开(公告)号：KR100930674B1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020080079227
申请日：2008-08-13
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： C07F7/18 , C07F7/08 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号： C07F7/0845 , C08L83/04 , H01L21/02123
摘要： PURPOSE: A compound for applying and filling micro gap in a node separation process is provided to prevent defect such as air void and enables wet etch of hole inner material. CONSTITUTION: A compound for filling gap denoted by the chemical formula 6({{SiO1.5[CH2]l[(CH2)mO]nR2}a(SiO1.5X)b(SiO1.5R4)c(SiO1.5-Y-SiO1.5)d}p(OR7)q) is prepared by condensing a condensation polymer of hydrolysates generated from one or more compound(b) among a compound of the chemical formula 1([R1]3Si-[CH2]l[(CH2)mO]nR2), a compound of the chemical formula 2([R1]3Si-X), a compound of the chemical formula 3([R1]3Si-R4) and a compound of the chemical formula 4([R1]3Si-Y-Si[R5]3) with a compound of the chemical formula 5(R63Si-R1). A composition for applying semiconductor and filling micro gap contains the compound of the chemical formula 6 and 100-10,000 weight parts of solvent per 100 weight parts of the compound of the chemical formula 6. The solvent is alcohols, acetates, esters, glymes, ethers or carboxy ketones.
摘要翻译：目的：提供一种用于在节点分离过程中施加和填充微间隙的化合物，以防止诸如空气空隙的缺陷，并且能够对孔内部材料进行湿蚀刻。构成：由化学式6（{{SiO 1.5 [CH 2] l [（CH 2）m O] n R 2} a（SiO 1.5 X）b（SiO 1.5R 4）c（SiO 1.5-Y -SiO1.5）d} p（OR7）q）是通过将化学式1化合物（[R 1] 3 Si- [CH 2] 1]中的一种或多种化合物（b）产生的水解产物的缩合物缩合，（CH 2）m O] n R 2），化学式2（[R 1] 3 Si-X）的化合物，化学式3（[R 1] 3 Si-R 4）的化合物和化学式4的化合物 ] 3Si-Y-Si [R 5] 3）与化学式5的化合物（R63Si-R1）反应。用于施加半导体和填充微细间隙的组合物包含化学式6的化合物和每100重量份化学式6化合物的100-10,000重量份溶剂。溶剂是醇，乙酸酯，酯，甘醇醚，醚或羧基酮。

16. 发明授权

KR101574085B1 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자 有权
标题翻译：封装材料和包括其的电子器件
公开(公告)号：KR101574085B1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020120133067
申请日：2012-11-22
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 우창수 , 고상란 , 김우한 , 김하늘 , 안치원 , 이은선
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/05 , C08K9/06 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 적어도 1개의플루오르를가지는실란커플링제에의해표면처리되어있는충전재, 말단에규소결합된수소(Si-H)를가지는제1 폴리실록산, 그리고말단에규소결합된알케닐기(Si-Vi)를가지는제2 폴리실록산을포함하는봉지재및 상기봉지재를포함하는전자소자에관한것이다.

17. 发明授权

KR101466273B1 봉지재용 투광성 수지, 상기 투광성 수지를 포함하는 봉지재 및 전자 소자 有权
标题翻译：用于封装材料和封装材料的透明树脂和包括其的电子器件
公开(公告)号：KR101466273B1
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020110142972
申请日：2011-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 차승환 , 고상란 , 김용국 , 김우한 , 김하늘 , 안치원
IPC分类号： C09K3/10 , H05B33/04
CPC分类号： H01L2924/12044
摘要： 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 제1 폴리실록산, 그리고 말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 제2 폴리실록산을 포함하고, 상기 규소 결합된 수소(Si-H)와 상기 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)의 비율(Si-H/Si-Vi)은 1 내지 1.2인 봉지재용 투광성 수지, 상기 투광성 수지를 포함하는 봉지재 및 전자 소자에 관한 것이다.

18. 发明授权

KR101466149B1 광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물, 봉지재 및 광학기기 有权
标题翻译：用于光学设备和光学设备的可固化的聚硅氧烷组合物
公开(公告)号：KR101466149B1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：KR1020130163102
申请日：2013-12-24
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김영호 , 고상란 , 김우한 , 유홍정 , 이은선 , 김하늘 , 백윤희 , 송두리 , 신동주 , 안치원
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/5415 , C08G77/04 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 화학식 1로 표현되는 적어도 1종의 제1 실록산 화합물, 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제2 실록산 화합물, 그리고 말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제3 실록산 화합물을 포함하는 광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물, 상기 광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물을 경화하여 얻은 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 광학기기에 관한 것이다.
[화학식 1]
(R
1 R
2 R
3 SiO
1
/2 )
M1 (R
4 R
5 SiO
2
/2 )
D1 (R
6 R
7 SiO
2
/2 )
D2 (R
8 SiO
2
/2 -Y
1 -SiO
2
/2 R
9 )
D3 (R
10 SiO
3
/2 )
T1 (R
11 SiO
3
/2 )
T2 (R
12 SiO
3
/2 )
T3 (SiO
3
/2 -Y
2 -SiO
3
/2 )
T4 (SiO
4
/2 )
Q1
상기 화학식 1에서, R
1 내지 R
12 , Y
1 , Y
2 , M1, D1, D2, D3, T1, T2, T3, T4 및 Q1은 명세서에서 정의한 바와 같다.

19. 发明授权

KR101266290B1 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：在光刻胶下涂覆的硬掩模组合物及其使用的集成电路器件的制造方法
公开(公告)号：KR101266290B1
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020080137420
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭 , 정인선
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
摘要： 본발명의레지스트하층막용하드마스크조성물은 250 nm 이하의파장에서흡광하고우수한코팅성과겔성디펙이없는특징을가지며, 하드마스크특성이우수하여재료층에훌륭한패턴을전사할수 있다.

20. 发明公开

KR1020120078614A 봉지재용 투광성 수지, 상기 투광성 수지를 포함하는 봉지재 및 전자 소자 有权
标题翻译：用于封装材料和封装材料的透明树脂和包括其的电子器件
公开(公告)号：KR1020120078614A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110142972
申请日：2011-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 차승환 , 고상란 , 김용국 , 김우한 , 김하늘 , 안치원
IPC分类号： C09K3/10 , H05B33/04
CPC分类号： H01L2924/12044
摘要： PURPOSE: A transparent resin for encapsulant resin is provided to improve physical properties of a transparent resin, thereby increasing processability, while preventing the degradation of luminous efficiency. CONSTITUTION: A transparent resin for encapsulant resin comprises a first polysiloxane having silicon-bonded hydrogen(Si-H) in terminal, and a second polysiloxane having a silicon-bonded alkenyl group(Si-Vi) in terminal. The ratio(Si-H/Si-Vi) of alkenyl group(Si-Vi) to the silicon-bonded hydrogen(Si-H) is 1-1.2. The sealant is obtained by curing the transparent resin for encapsulant. The encapsulant has transmittancy(T) of 80-100% in 450nm wavelength, and has reduction of transmittancy(ΔT) after heating at 120°C for 500 hours is lower than 15%.
摘要翻译：目的：提供用于密封树脂的透明树脂，以改善透明树脂的物理性能，从而提高加工性能，同时防止发光效率的降低。构成：用于密封树脂的透明树脂包括末端具有硅键合氢（Si-H）的第一聚硅氧烷和末端具有硅键合烯基（Si-Vi）的第二聚硅氧烷。烯基（Si-Vi）与硅键合氢（Si-H）的比（Si-H / Si-Vi）为1-1.2。通过固化用于密封剂的透明树脂获得密封剂。密封剂在450nm波长下具有80-100％的透光率（T），并且在120℃加热500小时后，透射率（ΔT）降低低于15％。

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