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热词
    • 13. 发明公开
    • 음 전압 생성기 및 반도체 메모리 장치
    • 负电压发生器和半导体存储器件
    • KR1020120093531A
    • 2012-08-23
    • KR1020110013155
    • 2011-02-15
    • 삼성전자주식회사
    • 송태중김규홍최재승심성훈박인규이찬호최현수정종훈
    • G11C5/14G11C7/12G11C11/419G11C8/12
    • G11C11/419G11C5/145G11C7/12G11C8/12
    • PURPOSE: A negative voltage capacitor and a semiconductor memory device are provided to accurately perform a writing operation by providing the same negative voltages to memory banks with different low sizes. CONSTITUTION: A negative voltage generator(110) includes a plurality of coupling capacitors, selects one among a plurality of the coupling capacitors according to a low size of a memory bank in which data is written, and charges the selected coupling capacitor with the negative voltage. A switching unit(130) selects one bit line among a bit line pair in response to data and connects the selected coupling capacitor to the selected bit line. A high voltage applying unit(150) applies a high positive voltage to an unselected bit line.
    • 目的:提供负电压电容器和半导体存储器件,以通过向具有不同低尺寸的存储体提供相同的负电压来精确地执行写入操作。 构成:负电压发生器(110)包括多个耦合电容器,根据其中写入数据的存储体的低尺寸选择多个耦合电容器中的一个耦合电容器,并且将所选择的耦合电容器与负电压 。 开关单元(130)响应于数据选择位线对中的一个位线,并将所选择的耦合电容器连接到所选择的位线。 高压施加单元(150)向未选位线施加高正电压。
    • 16. 发明授权
    • 무부하 비트 라인 특성을 갖는 선택적 프리챠지 회로
    • 选择性预充电电路具有无位线加载功能
    • KR100630673B1
    • 2006-10-02
    • KR1020010001551
    • 2001-01-11
    • 삼성전자주식회사
    • 박인규정승호
    • G11C7/12
    • 무부하 비트 라인 특성을 갖는 선택적 프리챠지 회로를 개시한다. 반도체 메모리 장치에서, 메모리 셀로/로부터 데이터가 입/출력되는 경로인 비트라인 및 반전된 비트라인을 프리챠지시키는 본 발명에 따른 프리챠지 회로는 비트라인 및 반전된 비트라인을 소정의 전압레벨로 항상 프리챠지시키는 제1프리챠징부, 프리챠지 신호와 펄스드 어드레스 신호를 논리조합하여 펄스가 발생되는 동안 비트라인을 전원 전압(VDD) 레벨로 프리챠지시키는 제2프리챠징부, 어드레스 신호에 응답하여 비트라인 및 반전된 비트라인을 인에이블시키 또는 플로팅시키는 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하고, 비트라인(BL) 및 반전된 비트라인(BLB)이 VDD-2Vt(또는 Vt)로 항상 프리챠지되어 있어 전원 전압(VDD)레벨로 프리챠지시키는 시간을 감소시켜 스피드를 빠르게 하면, 동작은 VDD~VDD-2Vt(또는 Vt)에서 이루어지도록 하여 전력소모는 없애는 무부하 특성을 갖는효과가 있다. 또한, 어드레스 신호에 상응하여 비트라인을 선택적으로 동작시킬 수 있다는 효과가 있다.
    • 18. 发明公开
    • 가변적인 모스 커패시턴스를 이용한 클럭 지연 회로
    • 使用可变MOS电容控制脉冲宽度的时钟延迟电路
    • KR1020040105006A
    • 2004-12-14
    • KR1020030035605
    • 2003-06-03
    • 삼성전자주식회사
    • 박인규주용제
    • G11C11/4091
    • G11C29/12015G11C7/22G11C2207/2272
    • PURPOSE: A clock delay circuit using a variable MOS capacitance is provided to control the delay amount of the clock signal by controlling the test signal or the voltage level of the connection test signal without physically being amended by the layout. CONSTITUTION: A clock delay circuit(200) using a variable MOS capacitance includes a connection line(CL) and a first to a nth MOS capacitors(MCAP1-MCAPn). The connection line connects the input node to input the clock signal and the output node to output the clock signal. The first to the nth MOS capacitors delay the clock outputted through the connection line connected to the connection line. Each of MOS capacitors has various gate capacitances corresponding to the first to the nth test signals.
    • 目的:提供使用可变MOS电容的时钟延迟电路,通过控制测试信号或连接测试信号的电压电平来控制时钟信号的延迟量,而不会被布局物理地修改。 构成:使用可变MOS电容的时钟延迟电路(200)包括连接线(CL)和第一至第N MOS电容器(MCAP1-MCAPn)。 连接线连接输入节点输入时钟信号和输出节点输出时钟信号。 第一个到第n个MOS电容延迟通过连接到连接线的连接线输出的时钟。 每个MOS电容器具有对应于第一至第N测试信号的各种栅极电容。
    • 19. 发明授权
    • 깊이 이미지 기반 3차원 객체 표현 장치 및 방법
    • 깊이이미지기반3차원객체표현장치및방법
    • KR100446635B1
    • 2004-09-04
    • KR1020020067970
    • 2002-11-04
    • 삼성전자주식회사
    • 박인규지르코프알렉산드라올레고비치한만진
    • G06T13/40G06T17/00
    • G06T15/205G06T15/405G06T17/005
    • 깊이 이미지 기반 3차원 객체 표현 장치 및 방법이 개시된다. 일군의 깊이 이미지 기반 표현(Depth Image-Based Representation : DIBR)은 깊이 이미지 포맷(DepthImage), 옥트리 이미지(OctreeImage) 포맷, 및 포인트 텍스쳐(PointTexture) 포맷을 가지며 종래의 다각형 3차원 표현의 대안으로 채택될 수 있다. 깊이 이미지는 객체를 자신의 참조 이미지들의 집합과 대응하는 깊이맵에 의해 표현한다. 옥트리 이미지는 동일한 데이터를 간결한 참조 이미지의 집합과 복셀 이미지에 상응하는 인덱스의 트리인 계층적 옥트리 구조의 복셀 모델로 변환한다. 포인트텍스쳐는 객체를 규칙적인 2차원 격자상으로 투영함으로써 3차원 색상 점들의 집합으로 표현한다. 깊이 이미지와 옥트리 이미지는 애니메이션 버전을 가지며, 이 때, 참조 이미지들은 동영상으로 대체된다. DIBR 포맷은 3차원 스캐닝과 다중 소스 비디오 데이터로부터 3차원 모델 생성하는 것이 매우 용이하다. MPEG-4 프레임워크에 의해 주요 DIBR 포맷으로부터 3차원 모델을 효과적으로 취급하는 유연한 도구를 구성할 수 있다.
    • 提供了一系列用于使用深度图像表示三维对象的节点结构。 这些节点结构可以用于传统多边形3D表示的MPEG-4 AFX。 家庭的主要格式是DepthImage,PointTexture和OctreeImage。 DepthImage通过其参考图像和相应深度图的联合表示对象。 PointTexture将对象表示为通过投影到常规2D网格参数化的一组着色点。 OctreeImage将相同的数据转换为分层八叉树结构的体素模型,一组紧凑的参考图像和一个体素图像对应索引树。 DepthImage和OctreeImage具有动画版本,其中参考图像被视频流替换。 DIBR格式非常适用于3D距离扫描和多源视频数据的3D模型构建。 MPEG-4框架允许构建主要DIBR格式的各种表示形式,为3D模型的有效工作提供了灵活的工具。 DIBR格式的压缩是通过将图像(视频)压缩技术应用于深度图和参考图像(视频流)来实现的。
    • 20. 发明公开
    • 반도체 메모리 장치
    • 半导体存储器件,其中未检测到位线对
    • KR1020040076143A
    • 2004-08-31
    • KR1020030011492
    • 2003-02-24
    • 삼성전자주식회사
    • 박인규
    • G11C7/00
    • G11C7/12G11C7/1006G11C7/22G11C2207/104G11C2207/229
    • PURPOSE: A semiconductor memory device is provided to reduce power consumption during a write operation. CONSTITUTION: The semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell array blocks each comprising a plurality of memory cells connected between a plurality of word line pairs and a plurality of bit line pairs. As to each memory cell array blocks, a column selection circuit comprises a plurality of first transmission transistors transmitting data only between a bit line pair and a write bit line pair selected among the plurality of bit line pairs in response to a plurality of write control signals, and a plurality of second transmission transistors transmitting data only between the selected bit line pair and a sense bit line pair in response to a plurality of read control signals. And a precharge and write control circuit precharges and equalizes the sense bit line pair in response to a precharge enable signal during a precharge operation, and generates the plurality of read control signals in response to a write enable signal and a plurality of column selection signals during a read operation, and generates the plurality of write control signals in response to a block selection signal and the write enable signal and the precharge enable signal and the plurality of column selection signals during a write operation.
    • 目的:提供半导体存储器件,以减少写操作期间的功耗。 构成:半导体存储器件包括多个存储单元阵列块,每个存储单元阵列块包括连接在多个字线对和多个位线对之间的多个存储单元。 对于每个存储单元阵列块,列选择电路包括多个第一透射晶体管,其响应于多个写入控制信号而仅在位线对和在多个位线对中选择的写位线对之间传输数据 以及响应于多个读取控制信号而在选择的位线对和感测位线对之间传输数据的多个第二传输晶体管。 并且预充电和写入控制电路在预充电操作期间响应于预充电使能信号对感测位线对进行预充电和均衡,并且响应于写使能信号和多个列选择信号而在多个读控制信号期间产生多个读控制信号 读操作,并且在写操作期间响应于块选择信号和写使能信号和预充电使能信号和多个列选择信号而产生多个写控制信号。