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11. 发明公开

KR1020170089311A 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造显示装置用阵列基板的方法
公开(公告)号：KR1020170089311A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020160009583
申请日：2016-01-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 유인호 , 김보형 , 남기용
IPC分类号： C23F1/18 , G02F1/1368 , G02F1/1362 , H01L21/3213
摘要： 본발명은표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다. 본발명의식각액조성물로식각시, 초기테이퍼앵글이낮게형성될뿐만아니라식각공정이진행됨에따라약액내 구리이온의농도가증가하여도테이퍼앵글의상승정도가크지않고, 편측식각변화도적은것이특징이다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造显示装置终端板的方法。当蚀刻本发明的蚀刻组合物时，当蚀刻工艺进行时，即使当化学溶液中的铜离子浓度增加时，初始锥角低，并且锥角的上升程度不大并且单侧蚀刻变化小。

12. 发明公开

KR1020170016716A 식각액 조성물 审中-实审
标题翻译：蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020170016716A
公开(公告)日：2017-02-14
申请号：KR1020150110169
申请日：2015-08-04
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 국인설 , 유인호 , 이종문
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F1/136 , C07C53/08 , C07D249/02 , C07D235/04
摘要： 본발명은 (a) 4가세륨(Ce4), (b) 무기산, (c) 유기산및 유기염, (d) 고리형아민화합물, (e) 함불소화합물, (f) 황산화합물, (g) 산화물을포함하는화합물및 (h) 물을포함하는, 금속막식각액조성물을제공한다.

13. 发明公开

KR1020160108946A 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示器的阵列基板的蚀刻溶液组成和制造方法
公开(公告)号：KR1020160108946A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150032428
申请日：2015-03-09
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이승수 , 김보형 , 유인호 , 이종문
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/306
摘要： 본발명은식각액조성물및 이를이용한액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것으로, 보다자세하게는구리계금속막, 티타늄계금속막또는구리계금속막과티타늄계금속막을포함하는다층막식각용식각액조성물, 이를이용한액정표시장치용어레이기판의제조방법및 상기제조방법으로제조된액정표시장치용어레이기판에관한것이다.
摘要翻译：蚀刻液组合物及其制造方法技术领域本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用其的液晶显示装置的阵列基板的制造方法。更具体地，本发明涉及用于蚀刻铜基金属膜的蚀刻溶液组合物，钛基膜或包括铜基金属膜和钛基金属膜的多层膜。本发明还涉及一种使用该阵列基板的液晶显示装置的制造方法以及通过该制造方法制造的液晶显示装置用阵列基板。根据本发明，蚀刻溶液组合物具有改善的金属的时间依赖性和高蚀刻速率。

14. 发明公开

KR1020160107761A 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于蚀刻氧化铝层的蚀刻组合物和使用蚀刻组合物制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020160107761A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030989
申请日：2015-03-05
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 유인호 , 남기용 , 이승수
IPC分类号： C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/30604
摘要： 본발명은인듐산화막의식각액조성물및 이를이용한표시기판의제조방법에관한것이다. 본발명의인듐산화막식각액조성물은환경규제물질인황산을사용하지않으며, 식각후 잔사가발생하지않고, 하부막인 Cu, Ti, Mo, Al의손상없이식각할수 있는것이특징이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于氧化铟膜的蚀刻溶液组合物及其制造方法。用于氧化铟膜的蚀刻溶液组合物不含有作为环境规定物质之一的硫酸，并且防止蚀刻处理后的残留物形成。此外，蚀刻溶液组合物能够在不损坏作为下部膜的铜（Cu），钛（Ti），钼（Mo）和铝（Al）的情况下进行蚀刻）。为此，蚀刻溶液组合物由硝酸，磺酸，防腐蚀剂，环胺化合物和残留水组成。

15. 发明公开

KR1020150107207A 구리막 및 티타늄막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：铜层和钛层的蚀刻溶液组合物及其制备用于液晶显示器的阵列基板的方法
公开(公告)号：KR1020150107207A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020140029753
申请日：2014-03-13
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 유인호 , 국인설
IPC分类号： C23F1/38 , C23F1/34 , C23F1/40
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/44 , G02F1/136286 , G02F2001/136295
摘要： 본 발명은 구리막 및 티타늄막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 과황산염 및 술포-살리실산을 포함함으로써, 친환경적이고 발열제어성능이 우수하며 구리막과 티타늄막으로 구성된 다중 금속막을 빠른 식각 속도로 균일하게 일괄 식각할 수 있고 경시 안정성이 우수한 구리막 및 티타늄막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于铜膜和钛膜的蚀刻溶液组合物及其制备用于使用其的液晶显示器阵列基板的方法。更具体地，本发明涉及一种用于铜膜和钛膜的蚀刻溶液组合物以及使用其制备用于液晶显示器的阵列基板的方法，其中所述蚀刻溶液组合物包括过氧化物和磺基水杨酸作为环境具有良好的加热控制性能; 快速，均匀地并且同时蚀刻由铜膜和钛膜构成的多个金属膜; 并具有时间稳定性。

16. 发明公开

KR1020150059210A 식각액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于制造使用该显示装置的显示装置的方法和方法
公开(公告)号：KR1020150059210A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130142280
申请日：2013-11-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김선일 , 김인배 , 박홍식 , 정종현 , 국인설 , 이석준 , 남기용 , 박영철 , 유인호 , 윤영진
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1262
摘要： 식각액은식각액의총 중량을기준으로, 과황산염 0.5 내지 20 중량%; 불소화합물 0.01 내지 2 중량%; 무기산 1 내지 10 중량%; 아졸화합물 0.5 내지 5 중량%; 전자공여화합물 0.1 내지 5 중량%; 염소화합물 0.1 내지 5 중량%; 구리염 0.05 내지 3 중량%; 유기산또는유기산염 0.1 내지 10 중량%; 및잔부의물을포함한다. 상기식각액을사용하면, 식각시석출물을발생시키지않을수 있다.
摘要翻译：基于总重量的蚀刻剂包括：0.5-20wt％的过硫酸盐; 0.01〜2重量％的氟化合物; 1-10重量％的无机酸; 0.5-5重量％的唑类化合物; 0.1-5重量％的电子释放化合物; 0.1-5重量％的氯化合物; 0.05-3重量％的铜盐; 0.1-10重量％的有机酸或有机酸盐; 和剩余部分的水。如果使用蚀刻剂，则在蚀刻中可能不会产生沉淀。

17. 发明公开

KR1020140013310A 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 审中-实审
标题翻译：使用金属接线和薄膜晶体管阵列板的蚀刻和制造方法
公开(公告)号：KR1020140013310A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020120079973
申请日：2012-07-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김인배 , 정종현 , 김선일 , 박홍식 , 이왕우 , 정재우 , 국인설 , 김상태 , 박영철 , 심경보 , 유인호 , 윤영진 , 이석준 , 이준우 , 장상훈 , 진영준
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/44
CPC分类号： C22F1/18 , C09K13/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28008 , H01L21/32 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H05K3/067
摘要： Provided is an etchant composition. According to an embodiment of the present invention specification, an etchant composition comprises: 0.5-20 wt% of pursulfate; 0.5-0.9 wt% of ammonium fluoride; 1-10 wt% of inorganic acid; 0.5-5 wt% of ring type amine compound; 0.1-10 wt% of sulfonic acid; 5-10 wt% of organic acid or its base; and water which makes the total weight to be 100 wt%. The etchant composition etches a metal film containing copper and titanium to form a metal wire or to be used for manufacturing a thin film transistor array panel. [Reference numerals] (AA) Comparative example 3; (BB) Example 1
摘要翻译：提供了一种蚀刻剂组合物。根据本发明说明书的一个实施方案，蚀刻剂组合物包含：0.5-20wt％的过硫酸盐; 0.5-0.9重量％的氟化铵; 1-10重量％的无机酸; 0.5-5重量％的环型胺化合物; 0.1-10重量％的磺酸; 5-10重量％的有机酸或其碱; 和总重量为100重量％的水。蚀刻剂组合物蚀刻含有铜和钛的金属膜以形成金属线或用于制造薄膜晶体管阵列面板。（附图标记）（AA）比较例3; （BB）实施例1

18. 发明公开

KR1020130046295A 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020130046295A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020110110797
申请日：2011-10-27
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 윤영진 , 유인호
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/1362 , C09K13/04 , G02F1/13439
摘要： PURPOSE: A method for fabricating an LCD array substrate is provided to minimize the content of peracetic acid by using etchant composition, and to prevent the overheat of chain decomposition reaction due to exclusion of hydrogen peroxide. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the substrate. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A source/drain electrode is formed on the semiconductor layer. A pixel electrode connected to the drain electrode is formed. An etchant composition includes peracetic acid 0.5-5 %, a fluorine-containing compound 0.01-2 %, and water. The electrode is formed by using the etchant composition.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造LCD阵列基板的方法，以通过使用蚀刻剂组合物来最小化过乙酸的含量，并且防止由于排除过氧化氢而引起的链分解反应的过热。构成：在基板上形成栅电极。在基板上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成半导体层。在半导体层上形成源极/漏极。形成连接到漏电极的像素电极。蚀刻剂组合物包括0.5-5％的过乙酸，0.01-2％的含氟化合物和水。通过使用蚀刻剂组合物形成电极。

19. 发明公开

KR1020120093499A 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：用于蚀刻氧化物层的非氢化蚀刻剂和使用非劣化的蚀刻剂制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020120093499A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020110013098
申请日：2011-02-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김선일 , 최신일 , 박지영 , 김상갑 , 권오병 , 김동기 , 김상태 , 박영철 , 유인호 , 윤영진 , 이석준 , 이준우 , 임민기 , 장상훈 , 진영준
IPC分类号： C09K13/06 , H01L51/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L51/0023 , H01L2251/308 , C09K13/06 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: A non-halogen etchant of an indium oxide layer is provided to minimize damages to a lower during process etching an indium oxide layer which is an upper layer even if a copper layer or an aluminum layer is formed in the lower layer of the indium oxide layer. CONSTITUTION: A non-halogen etchant of an indium oxide layer comprises nitric acid, sulfuric acid, corrosion inhibitor comprising ammonium(NH4^+), a cyclic amine compound, and water. A manufacturing method of a display substrate comprises: a step of forming a switching element(SW) comprising a gate electrode(GE), a source electrode(SE), and a drain electrode(DE) on a substrate(110); a step of forming an indium oxide layer(INL1) on a substrate on which the switching element is formed; a step of forming a first pixel electrode(PE1), which contacts to the drain electrode by patterning the indium oxide layer by using the non-halogen etchant.
摘要翻译：目的：提供氧化铟层的非卤素蚀刻剂，以便即使在铟的下层中形成铜层或铝层，也可以在蚀刻作为上层的氧化铟层的工艺中蚀刻较低的损伤氧化层。构成：氧化铟层的非卤素蚀刻剂包括硝酸，硫酸，包含铵（NH 4+），环胺化合物和水的腐蚀抑制剂。显示基板的制造方法包括：在基板（110）上形成包括栅极（GE），源电极（SE）和漏电极（DE）的开关元件（SW）的步骤; 在形成有开关元件的基板上形成氧化铟层（INL1）的工序; 形成第一像素电极（PE1）的步骤，其通过使用非卤素蚀刻剂图案化氧化铟层而与漏电极接触。

20. 发明公开

KR1020110045418A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：光电组合物和使用光电组合物制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020110045418A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020090101988
申请日：2009-10-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 박정민 , 이정수 , 장원영 , 이은상 , 유인호 , 김성현
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/00 , G03F7/022 , G03F7/038 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F7/0007 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , H01L27/1214 , Y10S438/948 , G03F7/0385
摘要： PURPOSE: A photo-resist composition and a method for manufacturing a display substrate using the same are provided to strip a photo-resist pattern and minimize the generation possibility of cracks in the photo-resist pattern. CONSTITUTION: A photo-resist composition includes an alkaline soluble resin, a dissolution inhibitor containing a quinine diazide-based compound, a first additive containing a benzenol-based compound, a second additive containing acrylic copolymer, and an organic solvent. The benzenol-based compound is represented by chemical formula 1. The acrylic copolymer is represented by chemical formula 2. In the chemical formula 1, R1, R2, and R3 are respectively hydrogen, hydroxyl group, C1 to C1 alkyl group, or C1 to C10 alkyl hydroxyl group. One of the R1 to R3 is hydroxyl group. In the chemical formula 2, R4 to R6 is respectively hydrogen atom or C1 to C3 alkyl group. R7 represents hydrogen atom substituted or non-substituted C1 to C6 hydro carbon, and R8 represents benzyl group or phenyl group. m, n, and k are respectively natural number of 1 to 99. m+n+k is 100.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的显示基板的制造方法，以剥离光致抗蚀剂图案并使光致抗蚀剂图案中的裂纹的产生可能性最小化。构成：光致抗蚀剂组合物包括碱溶性树脂，含有奎宁重氮化合物的溶解抑制剂，含有苯酚类化合物的第一添加剂，含有丙烯酸共聚物的第二添加剂和有机溶剂。苯酚类化合物由化学式1表示。丙烯酸共聚物由化学式2表示。在化学式1中，R 1，R 2和R 3分别为氢，羟基，C 1至C 1烷基或C 1至 C10烷基羟基。 R1至R3之一是羟基。在化学式2中，R 4至R 6分别为氢原子或C 1至C 3烷基。 R 7表示氢原子取代或未取代的C1〜C6氢碳，R8表示苄基或苯基。 m，n和k分别为1〜99的自然数。m + n + k为100。

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