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11. 发明专利

TW201442126A 製備應用在倒裝安裝工藝上的半導體器件的方法审中-公开
简体标题：制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法
公开(公告)号：TW201442126A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102114521
申请日：2013-04-24
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 石磊 , SHI, LEI , 趙良 , ZHAO, LIANG , 黃平 , HUANG, PING , 吳平麗 , WU, PING LI
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/73104
摘要：本發明涉及一種半導體器件的製備方法，更確切的說，本發明旨在提供一種在晶圓級的方式上達到製備應用在倒裝安裝工藝上的半導體器件的方法。在晶圓正面覆蓋第一塑封層形成其中的基準線，翻轉晶圓至其背面朝上，在晶圓減薄後在其背面沉積一金屬層，並翻轉晶圓至金屬層朝下，之後在金屬層上粘附一層粘貼膜，沿著基準線實施切割，形成正面帶有頂部塑封層和背面帶有底部金屬層的晶片，以獲得多個半導體器件。同時翻轉粘貼膜和各晶片，並在各頂部塑封層上粘附另一層粘貼膜，剝離各底部金屬層上所粘附的粘貼膜之後，在無翻轉的條件下將半導體器件拾取並安裝至承載基板上以實現倒裝安裝。
简体摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级的方式上达到制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法。在晶圆正面覆盖第一塑封层形成其中的基准线，翻转晶圆至其背面朝上，在晶圆减薄后在其背面沉积一金属层，并翻转晶圆至金属层朝下，之后在金属层上粘附一层粘贴膜，沿着基准线实施切割，形成正面带有顶部塑封层和背面带有底部金属层的芯片，以获得多个半导体器件。同时翻转粘贴膜和各芯片，并在各顶部塑封层上粘附另一层粘贴膜，剥离各底部金属层上所粘附的粘贴膜之后，在无翻转的条件下将半导体器件十取并安装至承载基板上以实现倒装安装。

12. 发明专利

TW201312665A 一種晶圓級的封裝結構及其製備方法审中-公开
简体标题：一种晶圆级的封装结构及其制备方法
公开(公告)号：TW201312665A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW100133173
申请日：2011-09-15
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 黃平 , HUANG, PING , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 魯軍 , LU, JUN , 魯明朕 , LU, MING-CHEN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28
CPC分类号： H01L24/96 , H01L2224/73104 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要：本發明一般涉及一種半導體器件的封裝體及其製備方法，更確切的說，本發明涉及一種在晶圓級封裝技術中，將晶片進行整體封裝而使其並無裸露在塑封料之外的封裝結構及其製備方法。在本發明所提供的晶圓級封裝結構中，利用重分佈技術將分佈在晶片頂面的焊墊重新佈局設計成位於覆蓋晶片的頂部絕緣介質層中的排列焊點，並通過形成在矽襯底中的通孔及通孔中填充的金屬材料，將晶片頂面的一些電極或信號端子連接到位於晶片底面的底面電極金屬層上。並且晶圓級封裝結構中所包含的頂部塑封體與底部塑封體能較好的將晶片無縫隙的密封，形成良好的機械保護和電氣保護。
简体摘要：本发明一般涉及一种半导体器件的封装体及其制备方法，更确切的说，本发明涉及一种在晶圆级封装技术中，将芯片进行整体封装而使其并无裸露在塑封料之外的封装结构及其制备方法。在本发明所提供的晶圆级封装结构中，利用重分布技术将分布在芯片顶面的焊垫重新布局设计成位于覆盖芯片的顶部绝缘介质层中的排列焊点，并通过形成在硅衬底中的通孔及通孔中填充的金属材料，将芯片顶面的一些电极或信号端子连接到位于芯片底面的底面电极金属层上。并且晶圆级封装结构中所包含的顶部塑封体与底部塑封体能较好的将芯片无缝隙的密封，形成良好的机械保护和电气保护。

13. 发明专利

TW201308539A 具有增大焊接接觸面的晶圓級封裝結構及製備方法审中-公开
简体标题：具有增大焊接接触面的晶圆级封装结构及制备方法
公开(公告)号：TW201308539A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101120572
申请日：2012-06-08
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05571 , H01L2224/1184 , H01L2224/13009 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要：本發明涉及一種具有增大焊接接觸面的晶圓級封裝結構及製備方法。先形成一個第一塑封層覆蓋在晶圓的正面，並在晶圓的背面研磨，然後在晶片的背面刻蝕出通孔，之後在通孔中填充金屬形成底部金屬互連結構並在晶片的背面進行金屬化，從而利用底部金屬互連結構將位於晶片背面的電極傳導到晶片的正面。從晶圓背面實施切割形成將晶片分割開的切割槽，並形成覆蓋住晶片背面金屬的另一層第二塑封層，研磨減薄第一塑封層以形成位於晶片正面的頂部塑封層，並在頂部塑封層中形成頂部金屬互連結構，頂部金屬互連結構將位於頂部塑封層上的金屬焊盤電性連接到位於晶片正面的電極上。之後對第二塑封層及切割槽中的塑封料實施切割以分離出多顆晶圓級塑封體。
简体摘要：本发明涉及一种具有增大焊接接触面的晶圆级封装结构及制备方法。先形成一个第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并在晶圆的背面研磨，然后在芯片的背面刻蚀出通孔，之后在通孔中填充金属形成底部金属互链接构并在芯片的背面进行金属化，从而利用底部金属互链接构将位于芯片背面的电极传导到芯片的正面。从晶圆背面实施切割形成将芯片分割开的切割槽，并形成覆盖住芯片背面金属的另一层第二塑封层，研磨减薄第一塑封层以形成位于芯片正面的顶部塑封层，并在顶部塑封层中形成顶部金属互链接构，顶部金属互链接构将位于顶部塑封层上的金属焊盘电性连接到位于芯片正面的电极上。之后对第二塑封层及切割槽中的塑封料实施切割以分离出多颗晶圆级塑封体。

14. 发明专利

TWI545703B 堆疊式雙晶片封裝結構及其製備方法有权
简体标题：堆栈式双芯片封装结构及其制备方法
公开(公告)号：TWI545703B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101149216
申请日：2012-12-21
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：何約瑟 , HO, YUEH-SE , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

15. 发明专利

TWI512851B 帶有厚底部基座的晶圓級封裝器件及其製備方法有权
简体标题：带有厚底部基座的晶圆级封装器件及其制备方法
公开(公告)号：TWI512851B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102116599
申请日：2013-05-10
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/97 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/83

16. 发明专利

TWI509770B 集成堆疊式多晶片的半導體器件及其制備方法有权
简体标题：集成堆栈式多芯片的半导体器件及其制备方法
公开(公告)号：TWI509770B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102146696
申请日：2013-12-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 魯軍 , LU, JUN , 張曉天 , ZHANG, XIAOTIAN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 魯明朕 , LU, MING CHEN , 趙良 , ZHAO, LIANG , 龔玉平 , GONG, YUPING , 連國峰 , LIAN, GUO FENG
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

17. 发明专利

TW201526127A 多晶片器件及其封裝方法审中-公开
简体标题：多芯片器件及其封装方法
公开(公告)号：TW201526127A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102146692
申请日：2013-12-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN , 石磊 , SHI, LEI , 趙良 , ZHAO, LIANG , 潘贇 , PAN, YUN
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明涉及一種多晶片器件及其的制備方法，提供一晶片安裝單元，具有彼此分割開的第一、第二基座及多個引腳，將一第一晶片粘附至第一基座的頂面，利用導電結構將第一晶片正面的一部分焊墊電性連接至第二基座頂面的靠近第一基座的區域上，其中連接至第二基座的導電結構具有被鍵合在第二基座頂面上的端部，然後再在第二基座的頂面塗覆粘合材料以將一第二晶片粘附至第二基座的頂面。
简体摘要：本发明涉及一种多芯片器件及其的制备方法，提供一芯片安装单元，具有彼此分割开的第一、第二基座及多个引脚，将一第一芯片粘附至第一基座的顶面，利用导电结构将第一芯片正面的一部分焊垫电性连接至第二基座顶面的靠近第一基座的区域上，其中连接至第二基座的导电结构具有被键合在第二基座顶面上的端部，然后再在第二基座的顶面涂覆粘合材料以将一第二芯片粘附至第二基座的顶面。

19. 发明专利

TW201340191A 一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法审中-公开
简体标题：一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法
公开(公告)号：TW201340191A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101109846
申请日：2012-03-22
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 黃平 , HUANG, PING , 何約瑟 , HO, YUEH-SE
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明一般涉及一種超薄晶片的製備方法，更確切的說，本發明旨在提供一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法以實現製備超薄晶片。本發明先行在晶圓的正面覆蓋一支撐結構，之後於晶圓的背面進行研磨，並在減薄後的晶圓的背面的中心區域沉積一層金屬層，並且減薄後的晶圓的背面位於金屬層的邊緣與晶圓的邊緣之間的區域構成一環形帶。利用穿透攝影設備在環形帶區域內對切割線進行探測，用於探測切割線在水準方向上從金屬層下方延伸至環形帶下方的延伸部分，同時利用切割刀沿著任意一條切割線兩端的所述延伸部分所構成的直線對減薄後的晶圓以及金屬層進行切割。
简体摘要：本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法以实现制备超薄芯片。本发明先行在晶圆的正面覆盖一支撑结构，之后于晶圆的背面进行研磨，并在减薄后的晶圆的背面的中心区域沉积一层金属层，并且减薄后的晶圆的背面位于金属层的边缘与晶圆的边缘之间的区域构成一环形带。利用穿透摄影设备在环形带区域内对切割线进行探测，用于探测切割线在水准方向上从金属层下方延伸至环形带下方的延伸部分，同时利用切割刀沿着任意一条切割线两端的所述延伸部分所构成的直线对减薄后的晶圆以及金属层进行切割。

20. 发明专利

TWI536471B 利用熱壓焊球在晶圓級塑封工藝中實現超薄晶片的方法有权
简体标题：利用热压焊球在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法
公开(公告)号：TWI536471B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101101663
申请日：2012-01-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：魯軍 , LU, JUN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 黃平 , HUANG, PING , 龔玉平 , GONG, YUPING , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 張曉天 , ZHANG, XIAOTIAN , 魯明朕 , LU, MING-CHEN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/4007 , H01L2224/40245 , H01L2924/00012

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