专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TW201601217A 用於低壓熱處理的光導管結構窗审中-公开
简体标题：用于低压热处理的光导管结构窗
公开(公告)号：TW201601217A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104115272
申请日：2015-05-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 杭特亞倫穆依爾 , HUNTER, AARON MUIR , 麥克詹姆士法西斯 , MACK, JAMES FRANCIS , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 常安中 , CHANG, ANZHONG
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67115 , G02B6/08 , H01L21/2686 , H01L21/67201 , H01L21/68742 , H05B3/0047
摘要：本發明揭露的實施例係關於用於半導體基板的熱處理之光導管結構。在一個實施例中，用於熱處理腔室的光導管窗結構包括透明板及複數個光導管結構，複數個光導管結構於與透明板耦接的透明材料中形成，複數個光導管結構的各個包含反射表面且具有縱軸，該縱軸係以與透明板的平面有實質垂直關係的方式設置。
简体摘要：本发明揭露的实施例系关于用于半导体基板的热处理之光导管结构。在一个实施例中，用于热处理腔室的光导管窗结构包括透明板及复数个光导管结构，复数个光导管结构于与透明板耦接的透明材料中形成，复数个光导管结构的各个包含反射表面且具有纵轴，该纵轴系以与透明板的平面有实质垂直关系的方式设置。

12. 发明专利

TW201426876A 在處理腔室中提供及導引熱能之設備审中-公开
简体标题：在处理腔室中提供及导引热能之设备
公开(公告)号：TW201426876A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102137006
申请日：2013-10-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：強生喬瑟夫 , JOHNSON, JOSEPH , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 喬爾林約翰 , GERLING, JOHN , 亞伯拉罕馬修 , ABRAHAM, MATHEW , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 奈納尼阿尼許 , NAINANI, ANEESH
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：本文提供用於提供熱能至一處理腔室的設備。該設備可包括：該處理腔室的一處理腔室主體；一固態源陣列，該固態源陣列具有複數個固態源，該固態源陣列設置於一第一基板上，以提供熱能至該處理腔室來加熱一靶材元件，該靶材元件設置於該處理腔室主體中；以及至少一反射體，該至少一反射體設置於該第一基板上並且鄰近於該等複數個固態源的一或多個固態源，以將該等複數個固態源的該一或多個固態源所提供的熱能導引朝向該靶材元件。
简体摘要：本文提供用于提供热能至一处理腔室的设备。该设备可包括：该处理腔室的一处理腔室主体；一固态源数组，该固态源数组具有复数个固态源，该固态源数组设置于一第一基板上，以提供热能至该处理腔室来加热一靶材组件，该靶材组件设置于该处理腔室主体中；以及至少一反射体，该至少一反射体设置于该第一基板上并且邻近于该等复数个固态源的一或多个固态源，以将该等复数个固态源的该一或多个固态源所提供的热能导引朝向该靶材组件。

13. 发明专利

TW201344797A 於快速熱處理腔室中瞬間退火滯留時間之減少失效
简体标题：于快速热处理腔室中瞬间退火滞留时间之减少
公开(公告)号：TW201344797A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102105557
申请日：2013-02-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李濟平 , LI, JIPING , 柯莫布萊克 , KOELMEL, BLAKE , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 亞德霍沃夫甘R , ADERHOLD, WOLFGANG R.
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , F27B17/0025 , H01L21/67115
摘要：本發明一般與用於在快速熱處理期間冷卻基板的方法有關。該方法一般包括將基板放置在腔室中並對基板施熱。在基板的溫度增加至所需溫度之後，即使該基板快速冷卻。藉由增加通過該腔室之氣體的流動速率即可幫助基板快速冷卻。藉由將基板放置在冷卻板材的鄰近近側，即可進一步幫助基板之快速冷卻。冷卻板材是經由位於基板與冷卻板材之間的氣體所增進之傳導來移除基板的熱量。冷卻板材與基板之間的距離可經調整，以於基板與冷卻板材之間產生紊流，該紊流可進一步幫助熱自基板移除。在基板完全冷卻之後，自該腔室移除基板。
简体摘要：本发明一般与用于在快速热处理期间冷却基板的方法有关。该方法一般包括将基板放置在腔室中并对基板施热。在基板的温度增加至所需温度之后，即使该基板快速冷却。借由增加通过该腔室之气体的流动速率即可帮助基板快速冷却。借由将基板放置在冷却板材的邻近近侧，即可进一步帮助基板之快速冷却。冷却板材是经由位于基板与冷却板材之间的气体所增进之传导来移除基板的热量。冷却板材与基板之间的距离可经调整，以于基板与冷却板材之间产生紊流，该紊流可进一步帮助热自基板移除。在基板完全冷却之后，自该腔室移除基板。

14. 发明专利

TW201327708A 快速熱處理腔室审中-公开
简体标题：快速热处理腔室
公开(公告)号：TW201327708A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101139939
申请日：2012-10-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：莫立茲克爾克 , MORITZ, KIRK , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67248
摘要：本發明的實施例大體上關於RTP腔室。該腔室大體上包括腔室主體與腔室蓋。該腔室主體包括基材支座，該基材支座具有多個區塊的電阻式加熱器，以加熱定位在該支座上的基材。該腔室主體也視情況包括用於緩和熱應力的冷卻通道以及配置在該腔室主體中的熱絕緣襯裡，以容納熱處理期間生成的熱。該腔室蓋包括蓋主體以及反射板，該蓋主體具有穿過該蓋主體的開口，該反射板配置在該開口內。複數個高溫計定位在該反射板內，以遍及該基材在複數個位置測量與基材支座的該等區塊相對應的基材的溫度。每一區塊的溫度經調整以回應來自複數個高溫計的訊號。
简体摘要：本发明的实施例大体上关于RTP腔室。该腔室大体上包括腔室主体与腔室盖。该腔室主体包括基材支座，该基材支座具有多个区块的电阻式加热器，以加热定位在该支座上的基材。该腔室主体也视情况包括用于缓和热应力的冷却信道以及配置在该腔室主体中的热绝缘衬里，以容纳热处理期间生成的热。该腔室盖包括盖主体以及反射板，该盖主体具有穿过该盖主体的开口，该反射板配置在该开口内。复数个高温计定位在该反射板内，以遍及该基材在复数个位置测量与基材支座的该等区块相对应的基材的温度。每一区块的温度经调整以回应来自复数个高温计的信号。

15. 发明专利

TW202015095A 用於處理基板的背側之方法及工具审中-公开
简体标题：用于处理基板的背侧之方法及工具
公开(公告)号：TW202015095A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108133596
申请日：2016-11-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 史林尼法森史瓦米奈森T , SRINIVASAN, SWAMINATHAN T.
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3105 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L23/00 , H01L29/32
摘要：一般來說，本文所揭示之實施例與用於處理基板的底表面以抵消基板上的熱應力之方法及裝置有關。可將校正應變施加至基板的底表面，校正應變可補償基板的頂表面上之非期望的應變及變形。可藉由任意結合沉積、佈植、熱處理及蝕刻等方法在基板的背側上形成經特別設計的膜，以產生能補償基板的非所欲變形之應變。藉由局部改變氮化矽膜或碳膜的氫含量可導致局部應變。可藉由印刷、微影術或自組裝技術可形成結構。可藉由期望的應力地圖來決定對膜之層的處理，且所述處理可包括退火、佈植、熔融或其它熱處理。
简体摘要：一般来说，本文所揭示之实施例与用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力之方法及设备有关。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上之非期望的应变及变形。可借由任意结合沉积、布植、热处理及蚀刻等方法在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形之应变。借由局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可借由印刷、微影术或自组装技术可形成结构。可借由期望的应力地图来决定对膜之层的处理，且所述处理可包括退火、布植、熔融或其它热处理。

16. 发明专利

TWI653357B 改良的熱處理腔室有权
简体标题：改良的热处理腔室
公开(公告)号：TWI653357B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104106542
申请日：2015-03-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 杭特亞倫穆依爾 , HUNTER, AARON MUIR
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02

17. 发明专利

TW201802991A 半導體處理腔室审中-公开
简体标题：半导体处理腔室
公开(公告)号：TW201802991A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106112003
申请日：2017-04-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 比傑鎂瑞 , BEHDJAT, MEHRAN , 莫錢尼拉吉 , MERCHANT, NIRAJ , 麥克艾力斯特道格拉斯R , MCALLISTER, DOUGLAS R. , 姚東明 , IU, DONGMING , 陳廣龍 , CHAN, KONG LUNG SAMUEL , 華瑞恰克拉拉 , HAWRYLCHAK, LARA
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67017 , H01L21/6719
摘要：描述了一種半導體處理裝置，該半導體處理裝置具有：一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室；一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合；一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶；一氣體活化器，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該氣體活化器具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口；一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區，各加熱區具有一嵌式加熱構件；一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
简体摘要：描述了一种半导体处理设备，该半导体处理设备具有：一主体，具有一壁，该壁定义该主体内的两个处理腔室；一通路，经由该壁而在该两个处理腔室之间形成一流体耦合；一盖，可移除地耦合至该主体，该盖具有与该通路流体连通的一门户；一气体活化器，在该等处理腔室外面耦合至该盖，该气体活化器具有与该盖的该门户流体连通的一出口；一基板支架，安置在各处理腔室中，各基板支架具有至少两个加热区，各加热区具有一嵌式加热构件；一气体分布器，面向各基板支架地耦合至该盖；及一热控制构件，在各气体分布器的一边缘处耦合至该盖。

18. 发明专利

TW201721723A 旋轉基板雷射退火审中-公开
简体标题：旋转基板激光退火
公开(公告)号：TW201721723A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105123162
申请日：2016-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 薛瑪雪恩克 , SHARMA, SHASHANK , 凱德拉雅狄瓦卡N , KEDLAYA, DIWAKAR N. , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324
CPC分类号： G21K5/10 , H01L21/67115
摘要：本揭示的實施例涉及基板的熱處理。更具體而言，在此所描述的實施例涉及尖波閃光退火(flash on spike annealing)處理及適合執行這種處理的設備。在一個實施例中，熱處理裝置可包括燈輻射源、雷射源，及設置在燈輻射源及雷射源之間的反射板材。一或更多個孔可形成於反射板材中，且雷射源可經定位以相鄰於反射板材，使得從雷射源發射的雷射光束傳播通過一或更多個孔。在一個實施例中，反射板材可為幾乎圓形的，且一或更多個孔可近似於反射板材的扇形區。
简体摘要：本揭示的实施例涉及基板的热处理。更具体而言，在此所描述的实施例涉及尖波闪光退火(flash on spike annealing)处理及适合运行这种处理的设备。在一个实施例中，热处理设备可包括灯辐射源、激光源，及设置在灯辐射源及激光源之间的反射板材。一或更多个孔可形成于反射板材中，且激光源可经定位以相邻于反射板材，使得从激光源发射的激光光束传播通过一或更多个孔。在一个实施例中，反射板材可为几乎圆形的，且一或更多个孔可近似于反射板材的扇形区。

19. 发明专利

TW201709360A 用於改良浸透效能之具塗層的基材支撐邊緣環审中-公开
简体标题：用于改良浸透性能之具涂层的基材支撑边缘环
公开(公告)号：TW201709360A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105127279
申请日：2012-07-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR
IPC分类号： H01L21/58 , C09K21/02
CPC分类号： H01L21/68757 , H01L21/67115 , H01L21/68735 , Y10S269/909
摘要：本發明的實施例提供用於支撐基材的基材支撐邊緣環。一個實施例中，提供一種基材支撐環。該基材支撐環包含環狀主體。該環狀主體包含：外條帶，該外條帶從外環狀側壁徑向向內延伸；以及基材支撐區域，該基材支撐區域從外條帶的內側部分向內延伸，其中該環狀主體包含暴露的第一材料，且該基材支撐區域的至少一部分被一塗層覆蓋，該塗層包含有別於第一材料的第二材料。
简体摘要：本发明的实施例提供用于支撑基材的基材支撑边缘环。一个实施例中，提供一种基材支撑环。该基材支撑环包含环状主体。该环状主体包含：外条带，该外条带从外环状侧壁径向向内延伸；以及基材支撑区域，该基材支撑区域从外条带的内侧部分向内延伸，其中该环状主体包含暴露的第一材料，且该基材支撑区域的至少一部分被一涂层覆盖，该涂层包含有别于第一材料的第二材料。

20. 发明专利

TW201611163A 用於熱腔室應用及熱製程之光管陣列审中-公开
简体标题：用于热腔室应用及热制程之光管数组
公开(公告)号：TW201611163A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124085
申请日：2015-07-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , G02B6/00 , H05B3/0047
摘要：描述一種處理腔室。處理腔室包含具有內部體積的腔室、耦接至腔室的光管陣列以及輻射熱源，光管陣列包括壁構件，壁構件界定腔室之內部體積之邊界，其中光管陣列包含複數個光管結構，輻射熱源包括與該複數個光管結構中之各者光學通訊的複數個能量源。
简体摘要：描述一种处理腔室。处理腔室包含具有内部体积的腔室、耦接至腔室的光管数组以及辐射热源，光管数组包括壁构件，壁构件界定腔室之内部体积之边界，其中光管数组包含复数个光管结构，辐射热源包括与该复数个光管结构中之各者光学通信的复数个能量源。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式