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11. 发明专利

TW201813453A 對稱電漿處理腔室审中-公开
简体标题：对称等离子处理腔室
公开(公告)号：TW201813453A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106137301
申请日：2012-09-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡度希詹姆士D , CARDUCCI,JAMES D. , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI,HAMID , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA,AJIT , 陳誌剛 , CHEN,ZHIGANG , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN,ANDREW , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR.,DOUGLAS A. , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMANSWAMY,KARTIK , 羅夫沙西德 , RAUF,SHAHID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS,KENNETH S.
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要：本發明提供一種對稱電漿處理腔室。本發明實施例提供允許極其對稱的電、熱和氣體傳導通過腔室的腔室設計。藉由提供這種對稱，形成在腔室內的電漿自然地在設置在腔室的處理區域中的基板的表面上具有改進的均勻性。此外，其他腔室的附加情況（諸如提供操縱上下電極之間以及在氣體入口和被處理的基板之間的間隙的能力）相較於習知的系統允許對電漿處理和均勻性更好的控制。
简体摘要：本发明提供一种对称等离子处理腔室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过腔室的腔室设计。借由提供这种对称，形成在腔室内的等离子自然地在设置在腔室的处理区域中的基板的表面上具有改进的均匀性。此外，其他腔室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的基板之间的间隙的能力）相较于习知的系统允许对等离子处理和均匀性更好的控制。

12. 发明专利

TW201334634A 用於產生均勻電漿的帶有輪廓的磁體遮蔽件之電子束電漿源审中-公开
简体标题：用于产生均匀等离子的带有轮廓的磁体屏蔽件之电子束等离子源
公开(公告)号：TW201334634A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101138299
申请日：2012-10-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：貝拉卡羅 , BERA, KALLOL , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 朵夫雷歐尼德 , DORF, LEONID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA, AJIT , 李瑞蓋瑞 , LERAY, GARY
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3233 , H05H1/46 , H05H7/001
摘要：一種利用電子束源以產生電漿之電漿反應器，且電子束源具有可配置磁體遮蔽件。
简体摘要：一种利用电子束源以产生等离子之等离子反应器，且电子束源具有可配置磁体屏蔽件。

13. 发明专利

TW201325324A 電漿處理設備及其蓋組件（二）审中-公开
简体标题：等离子处理设备及其盖组件（二）
公开(公告)号：TW201325324A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW102107016
申请日：2012-09-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡度希詹姆士D , CARDUCCI, JAMES D. , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI, HAMID , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA, AJIT , 陳誌剛 , CHEN, ZHIGANG , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR., DOUGLAS A. , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMANSWAMY, KARTIK , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要：本發明提供一種對稱電漿處理腔室。本發明實施例提供允許極其對稱的電、熱和氣體傳導通過腔室的腔室設計。藉由提供這種對稱，形成在腔室內的電漿自然地在設置在腔室的處理區域中的基板的表面上具有改進的均勻性。此外，其他腔室的附加情況(諸如提供操縱上下電極之間以及在氣體入口和被處理的基板之間的間隙的能力)相較於習知的系統允許對電漿處理和均勻性更好的控制。
简体摘要：本发明提供一种对称等离子处理腔室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过腔室的腔室设计。借由提供这种对称，形成在腔室内的等离子自然地在设置在腔室的处理区域中的基板的表面上具有改进的均匀性。此外，其他腔室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的基板之间的间隙的能力)相较于习知的系统允许对等离子处理和均匀性更好的控制。

14. 发明专利

TW201320145A 具有剖面式電子束析取網格以產生均勻電漿的電子束電漿源审中-公开
简体标题：具有剖面式电子束析取网格以产生均匀等离子的电子束等离子源
公开(公告)号：TW201320145A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101138450
申请日：2012-10-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朵夫雷歐尼德 , DORF, LEONID , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 米斯拉尼龐 , MISRA, NIPUN , 卡度希詹姆士D , CARDUCCI, JAMES D. , 李瑞蓋瑞 , LERAY, GARY , 拉馬斯瓦米卡帝克 , RAMASWAMY, KARTIK
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/3233 , H01J2237/06366
摘要：依賴電子束作為電漿源的電漿反應器在電子束源中使用剖面式電子束析取網格以改良均勻性。
简体摘要：依赖电子束作为等离子源的等离子反应器在电子束源中使用剖面式电子束析取网格以改良均匀性。

15. 发明专利

TW201318484A 於工作件處理區域中用於產生電漿離子之頂部電子束源审中-公开
简体标题：于工作件处理区域中用于产生等离子离子之顶部电子束源
公开(公告)号：TW201318484A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101138105
申请日：2012-10-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID
IPC分类号： H05H1/24 , H05H3/06
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32541
摘要：一種電漿反應器具有用於在處理區域中處理工作件之主要腔室，該處理區域限定在頂部頂板與工作件支撐表面之間，反應器具有頂部電子束源，該頂部電子束源產生經由主要腔室之頂板流動至處理區域中的電子束。
简体摘要：一种等离子反应器具有用于在处理区域中处理工作件之主要腔室，该处理区域限定在顶部顶板与工作件支撑表面之间，反应器具有顶部电子束源，该顶部电子束源产生经由主要腔室之顶板流动至处理区域中的电子束。

16. 发明专利

TWI383468B 半導體設備中的射頻功率傳輸系統失效
简体标题：半导体设备中的射频功率传输系统
公开(公告)号：TWI383468B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW098119954
申请日：2009-06-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳誌剛 , CHEN, ZHIGANG , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 拉馬斯瓦米卡帝克 , RAMASWAMY, KARTIK
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32706 , H01J37/32091

17. 发明专利

TW201205639A 用於調整電偏斜的電漿處理裝置與襯管組件 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND LINER ASSEMBLY FOR TUNING ELECTRICAL SKEWS 审中-公开
简体标题：用于调整电偏斜的等离子处理设备与衬管组件 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND LINER ASSEMBLY FOR TUNING ELECTRICAL SKEWS
公开(公告)号：TW201205639A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122473
申请日：2011-06-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：卡杜祺詹姆斯D , 陳誌剛 , 羅夫沙西德 , 柯林斯肯尼士S
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32082 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01L21/67069 , Y10T428/13
摘要：本發明揭示一種電漿處理裝置,該電漿處理裝置包含腔室蓋、腔室主體及支撐組件。該腔室主體界定處理容積,該處理容積用於含有電漿,該腔室主體用於支撐該腔室蓋。該腔室主體由腔室側壁、底壁及襯管組件組成。該腔室側壁及該底壁界定處理容積,該處理容積用於含有電漿。該襯管組件設置在該處理容積內部,該襯管組件包含兩個或兩個以上狹槽,該等狹槽在襯管組件上形成,該等狹槽用於提供軸向對稱的射頻電流路徑。該支撐組件支撐基板,以在該腔室主體內部進行處理。本發明使用具有若干對稱狹槽的襯管組件,可防止該襯管組件的電磁場產生方位角不對稱現象。
简体摘要：本发明揭示一种等离子处理设备,该等离子处理设备包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积,该处理容积用于含有等离子,该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积,该处理容积用于含有等离子。该衬管组件设置在该处理容积内部,该衬管组件包含两个或两个以上狭槽,该等狭槽在衬管组件上形成,该等狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板,以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件,可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。

18. 发明专利

TW201127226A 用於電漿處理的RF饋電結構 RF FEED STRUCTURE FOR PLASMA PROCESSING 审中-公开
简体标题：用于等离子处理的RF馈电结构 RF FEED STRUCTURE FOR PLASMA PROCESSING
公开(公告)号：TW201127226A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099124951
申请日：2010-07-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳誌剛 , 羅夫沙西德 , 柯林肯尼S , 薩理納斯馬丁傑夫 , 巴那沙莫 , 托多羅法倫帝N
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
摘要：本發明提供用於電漿處理的裝置。在一些實施例中，RF饋電結構包括將RF功率耦合到多個對稱佈置的堆疊的第一RF線圈元件的第一RF饋電器；圍繞所述第一RF饋電器同軸地設置且與該第一RF饋電器電氣絕緣的第二RF饋電器，該第二RF饋電器將RF功率耦合到多個對稱佈置的堆疊的第二RF線圈元件，其中該第二RF線圈元件相對於該第一RF線圈元件同軸地設置。在一些實施例中，電漿處理裝置包括第一RF線圈；相對於該第一RF線圈同軸地設置的第二RF線圈；耦合到該第一RF線圈以提供RF功率到其上的第一RF饋電器；以及相對於該第一RF饋電器同軸地設置且與該第一RF饋電器電氣絕緣的第二RF饋電器，該第二RF饋電器耦合到該第二RF線圈以提供RF功率到其上。
简体摘要：本发明提供用于等离子处理的设备。在一些实施例中，RF馈电结构包括将RF功率耦合到多个对称布置的堆栈的第一RF线圈组件的第一RF馈电器；围绕所述第一RF馈电器同轴地设置且与该第一RF馈电器电气绝缘的第二RF馈电器，该第二RF馈电器将RF功率耦合到多个对称布置的堆栈的第二RF线圈组件，其中该第二RF线圈组件相对于该第一RF线圈组件同轴地设置。在一些实施例中，等离子处理设备包括第一RF线圈；相对于该第一RF线圈同轴地设置的第二RF线圈；耦合到该第一RF线圈以提供RF功率到其上的第一RF馈电器；以及相对于该第一RF馈电器同轴地设置且与该第一RF馈电器电气绝缘的第二RF馈电器，该第二RF馈电器耦合到该第二RF线圈以提供RF功率到其上。

19. 发明专利

TW201017810A 半導體設備中射頻電力傳輸系統 RF POWER DELIVERY SYSTEM IN A SEMICONDUCTOR APPARATUS 失效
简体标题：半导体设备中射频电力传输系统 RF POWER DELIVERY SYSTEM IN A SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW201017810A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098119954
申请日：2009-06-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳誌剛 , 羅夫沙西德 , 拉馬斯瓦米卡帝克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32706 , H01J37/32091
摘要：本發明之實施例係提供一種設備，該設備係提供在製程腔室內的良好RF均一性。在一實施例中，該設備包括一基板支撐組件、一終端及一介電絕緣體。基板支撐組件具有一中央通道，而中央通道係沿著一中心軸形成。提供有一RF傳輸線，而該RF傳輸線具有一實質垂直部分以及一實質水平部分。其中終端係耦接至RF傳輸線的實質水平部分。介電絕緣體係環繞RF傳輸線的實質水平部分。介電絕緣體具有一第一開口，而終端係通過第一開口。
简体摘要：本发明之实施例系提供一种设备，该设备系提供在制程腔室内的良好RF均一性。在一实施例中，该设备包括一基板支撑组件、一终端及一介电绝缘体。基板支撑组件具有一中央信道，而中央信道系沿着一中心轴形成。提供有一RF传输线，而该RF传输线具有一实质垂直部分以及一实质水平部分。其中终端系耦接至RF传输线的实质水平部分。介电绝缘体系环绕RF传输线的实质水平部分。介电绝缘体具有一第一开口，而终端系通过第一开口。

20. 发明专利

TW200948211A 使用外部電路之等離子體均勻性的電子控制 ELECTRICAL CONTROL OF PLASMA UNIFORMITY USING EXTERNAL CIRCUIT 审中-公开
简体标题：使用外部电路之等离子体均匀性的电子控制 ELECTRICAL CONTROL OF PLASMA UNIFORMITY USING EXTERNAL CIRCUIT
公开(公告)号：TW200948211A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098107185
申请日：2009-03-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：貝拉卡羅 , 羅夫沙西德 , 芭拉克利斯納阿傑 , 柯林斯肯尼士S , 拉馬斯瓦米卡提克 , 塙廣二
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32009 , H01J37/32045 , H01J37/32091
摘要：本發明揭示用於控制電漿均勻性的方法及設備。蝕刻基材時，非均勻電漿可導致基材的不均勻蝕刻。阻抗電路可減輕不均勻電漿以允許更均勻蝕刻。阻抗電路可佈置在腔室壁與接地、噴淋頭與接地、及陰極罐與接地間。阻抗電路可包含一電感器及一電容器之一或多數。電感器之電感及電容器的電容可預定以確保電漿係均勻。此外，電感及電容可在處理期間或製程步驟間調整以適合特定製程的需要。
简体摘要：本发明揭示用于控制等离子均匀性的方法及设备。蚀刻基材时，非均匀等离子可导致基材的不均匀蚀刻。阻抗电路可减轻不均匀等离子以允许更均匀蚀刻。阻抗电路可布置在腔室壁与接地、喷淋头与接地、及阴极罐与接地间。阻抗电路可包含一电感器及一电容器之一或多数。电感器之电感及电容器的电容可预定以确保等离子系均匀。此外，电感及电容可在处理期间或制程步骤间调整以适合特定制程的需要。

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