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    • 11. 发明申请
    • 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法
    • 薄膜压电振荡器,薄膜压电器件及其制造方法
    • WO2004001964A1
    • 2003-12-31
    • PCT/JP2003/007857
    • 2003-06-20
    • 宇部興産株式会社山田 哲夫西村 浩介長尾 圭吾
    • 山田 哲夫西村 浩介長尾 圭吾
    • H03H9/17
    • H03H9/562H03H3/02H03H9/02094H03H9/02102H03H9/02157H03H9/564H03H9/568H03H9/585H03H9/588
    • ビアホール22を有する基板12と、その上に絶縁体層13を介して形成された下部電極15、圧電体膜16及び上部電極17からなる圧電積層構造体14とを含み、ビアホール22に対応して複数の薄膜圧電共振器210,220が形成されている薄膜圧電デバイス。圧電積層構造体14は、ビアホール22に面して位置するダイアフラム23とそれ以外の支持領域とからなり、薄膜圧電共振器210,220は下部電極15により電気的に接続されている。薄膜圧電共振器210,220のダイアフラム23の中心1,2を通過する基板面内の直線が支持領域を通過する線分の長さD1と、薄膜圧電共振器210,220のダイアフラム中心間の距離D0との比率D1/D0が0.1~0.5である。ビアホール22は、深彫り型反応性イオンエッチング法により形成される。
    • 一种薄膜压电装置,包括具有通孔(22)的基板(12)和由下电极(15),压电膜(16)和形成的上电极(17)构成的压电层叠结构(14) 经由绝缘层(13)在所述基板(12)上。 为通孔(22)形成多个薄膜压电振荡器(210,220)。 压电层叠结构(14)包括位于面向通孔(22)的隔膜(23)和与其相邻的支撑区域。 薄膜压电振荡器(210,220)通过下电极(15)电连接。 当通过薄膜压电振荡器(210,220)的隔膜(23)的中心(1,2)的基板平面中的直线具有穿过支撑区域的段的长度D1和 薄膜压电振子(210,220)的膜片的中心为D0,比率D1 / D0为0.1〜0.5。 通孔(22)通过深刻型反应离子蚀刻法形成。
    • 14. 发明专利
    • ポリイミド前駆体溶液組成物及びそれを用いたポリイミド膜の製造方法
    • 聚酰亚胺前体溶液组合物及其制备聚酰亚胺膜的方法
    • JP2016155979A
    • 2016-09-01
    • JP2015036379
    • 2015-02-26
    • 宇部興産株式会社
    • 寺田 武史長尾 圭吾
    • C08G73/10
    • 【課題】耐熱性や機械的特性などに優れたポリイミド膜を製造することができる、高濃度かつ低溶液粘度のポリイミド前駆体溶液組成物を提供すること。 【解決手段】芳香族テトラカルボン酸ジエステルからなる芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とを含有するポリイミド前駆体溶液組成物であって、 前記芳香族テトラカルボン酸成分は、50モル%以上が3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ジエステルからなり、 前記芳香族ジアミン成分は、p−フェニレンジアミンと4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを含み、芳香族ジアミン成分中のパラフェニレンジアミンの割合が50モル%以上であり、 イミダゾール類を含むことを特徴とする、ポリイミド前駆体溶液組成物。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供具有高浓度和低溶液粘度的聚酰亚胺前体溶液组合物,其可以产生耐热性,机械特性等优异的聚酰亚胺膜。溶液:提供一种聚酰亚胺前体溶液组合物, 包括芳族四羧酸组分和包含芳族四羧酸二酯的芳族二胺组分,其中50mol%或更多的芳族四羧酸组分包含3,3',4,4'-联苯四羧酸二酯,芳族二胺组分 包含对苯二胺和4,4'-二氨基二苯醚,芳族二胺组分中对苯二胺的比例为50mol%,组成包括咪唑。选择图:无