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11. 发明公开

CN111968775A 低含银量5G基站用陶瓷滤波器导电银浆及制备方法和用途无效
公开(公告)号：CN111968775A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010937204.3
申请日：2020-09-08
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：李春宏 , 蒋玉霞 , 康晓丽 , 崔旭东
IPC分类号： H01B1/22 , H01B13/00 , H01P1/20
摘要：本发明涉及一种低含银量5G基站用陶瓷滤波器导电银浆及制备方法和用途；由以下原料按照质量份数组成，导电填料65-82份、环氧树脂8-15份、固化剂3-8份、稀释剂4-12份、增塑剂2-5份。采用本纳米银浆进行喷涂可使5G介质陶瓷滤波器产品表面金属化均匀，银用量少，成本大幅度降低低，电性能及应用性能优越，传导性能稳定。

12. 发明公开

CN117645481A 一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645481A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509459.X
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：李寅川 , 刘显波 , 刘彤 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷技术领域，具体涉及一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法，包括以下步骤：首先通过固相反应制备(Ca0.65Bi0.35)(Ti0.65Zr0.35)O3‑5wt.％Li2TiO3陶瓷粉体，引入0.5wt.％‑3wt.％PTFE至所述陶瓷粉体中，通过冷烧结方法制备。通过冷烧结方法极大的降低了微波介质陶瓷的烧结温度，节约能源、降低成本。

13. 发明公开

CN117645474A 一种陶瓷粉体液相烧结的方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645474A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509901.9
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：李寅川 , 刘显波 , 刘彤 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷技术领域，具体涉及一种陶瓷粉体液相烧结的方法，包括如下步骤：步骤一：将MgO、TiO2和CaO球磨后烘干粉碎过筛然后进行预烧，得到预烧粉体；步骤二：所述预烧粉体中加入烧结助剂后再次进行球磨，球磨后烘干粉碎过筛；步骤三：将过筛后的粉料研磨造粒再压制成型；步骤四：压制成型的坯体烧结后得到微波介质陶瓷。

14. 发明公开

CN117645473A 一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645473A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509782.7
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/465 , C04B35/622
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法，包括如下步骤：S1.将陶瓷材料原料球磨；S2.将步骤S1球磨后的原料先烘干，然后粉碎过筛；3.将步骤S2过筛后的粉料进行预烧；S4.将预烧后的粉料掺杂后进行二次球磨；S5.将步骤S4球磨后的粉料烘干，然后粉碎过筛；S6.将步骤S5过筛后的粉料进行研磨造粒，再压制成型，烧结后制得微波介质陶瓷。本发明的高抗弯强度陶瓷粉体抗弯强度可以达到885MPa，同时断裂韧性8.56MPa·m1/2。

15. 发明公开

CN111995395A 一种制备Zn掺杂CaZrO3微波介质陶瓷的方法失效
公开(公告)号：CN111995395A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010936195.6
申请日：2020-09-08
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：李春宏 , 刘显波 , 康晓丽 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/624 , C04B35/634 , C04B35/64
摘要：本发明公开了一种制备Zn掺杂CaZrO3微波介质陶瓷的方法，步骤包括：(1)将锆酸四丁酯溶于无水乙醇，形成锆酸四丁酯乙醇溶液；(2)将锌的无机盐和钙的无机盐按掺杂比例溶解于无水乙醇形成锌盐、钙盐的混合溶液；(3)按(锌+钙):锆的摩尔比为1:1将锌盐、钙盐的混合溶液缓慢加入锆酸四丁酯乙醇溶液中，并加入分散剂；(4)加入硝酸调节PH值；(5)将溶胶静置，使其充分凝胶化；(6)将凝胶与80℃烘干后，经700℃-900℃热处理得到粉体；(7)向粉体中添加PVA进行造粒，压片机压制成型；(8)于1250℃-1350℃烧结；(9)介电性能测试。本发明降低了CaZrO3微波介质陶瓷的烧结温度，提高其介电性能；使烧结温度从高于1550℃降低至1350℃。

16. 发明公开

CN111995392A 一种低成本5G基站用陶瓷滤波器粉体及其制备方法无效
公开(公告)号：CN111995392A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010936207.5
申请日：2020-09-08
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：李春宏 , 黄佳 , 康晓丽 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/622 , H01P1/20
摘要：本发明公开了一种低成本5G基站用陶瓷滤波器粉体及其制备方法，其化学式为Mg2-3xRe4+2xTi8O24，0.1

17. 发明公开

CN117645482A 一种高介电性能陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645482A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509848.2
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高介电性能陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg1‑xTiO3‑CoyCa1‑yZrO3。本发明通过Zn掺杂取代MgTiO3中的Mg，Co掺杂取代CaZrO3中的Ca，提升其烧结性能、改善介电性能，制备出高介电性能微波介质陶瓷粉。

18. 发明公开

CN117645479A 一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645479A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311510125.4
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg0.95‑xCa0.05ZrO3。本发明用Zn替换MgZrO3中的Mg，提高其烧结性能，降低烧结温度，并得到了一种新的材料体系。

19. 发明授权

CN116477941B 一种人工玉陶及其制备方法有权
公开(公告)号：CN116477941B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310420438.4
申请日：2023-04-19
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：崔旭东 , 刘彤 , 刘显波 , 王正上 , 李寅川 , 刘龙波
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/638
摘要：本发明提供一种人工玉陶及其制备方法，属于人工玉陶技术领域，以重量份计包括ZrO2 70‑85份，Y2O3 10‑17份，TiO2 2‑7份，ZnO 1‑5份，MgO0.2‑0.7份，La2O3 0.2‑0.7份，CaO 0.2‑0.7份，PVA 1‑1.5份，CMC 0.5‑1.2份，聚丙烯酸钠1‑3份。通过配方设计优化，使产品多晶结构细密、无裂纹，提升产品的硬度和透明度，获得玉质感和品质更高的人工玉陶。(56)对比文件CN 109734303 A,2019.05.10CN 109956747 A,2019.07.02CN 110436921 A,2019.11.12CN 113480309 A,2021.10.08CN 114133242 A,2022.03.04CN 114144389 A,2022.03.04CN 114573340 A,2022.06.03CN 114656260 A,2022.06.24CN 114787102 A,2022.07.22EP 3339262 A1,2018.06.27JP 2004059374 A,2004.02.26JP 2012096977 A,2012.05.24JP 2014218421 A,2014.11.20JP H0380153 A,1991.04.04US 2016081777 A1,2016.03.24US 2020062653 A1,2020.02.27US 2021403387 A1,2021.12.30US 2022135486 A1,2022.05.05US 4915625 A,1990.04.10US 6893993 B1,2005.05.17WO 2013105064 A1,2013.07.18杨新民.二氧化锆合成宝石产业现状和发展.稀有金属快报.2007,(第01期),全文.黄勇,何锦涛,马天.氧化锆陶瓷的制备及其应用.稀有金属快报.2004,(第06期),全文.任永国;刘自强;杨凯;周焕忠;顾幸勇.氧化锆材料种类及应用.中国陶瓷.2008,(第04期),全文.吴萧龙等.高密度无色合成立方氧化锆的宝石学特征及密度成因《.宝石和宝石学杂志（中英文）》.2023,第25卷(第3期),全文.何雪梅等.立方氧化锆宝石研究《.矿物岩石地球化学通报》.1989,(第3期),全文.王继尧;穆洪运;谭书禹;李征鹏;郝明阳.一种快速无损鉴定合成立方氧化锆的方法.中国宝玉石.2019,(第06期),全文.张志祥;斯琴高娃;翁根花;李伟;哈斯.浅谈人工宝石.西部资源.2013,(第05期),全文.刘强;杨秋红;赵广根;陆神州;张浩佳.二氧化钛含量对铈稳定立方氧化锆陶瓷的性能影响.无机化学学报.2013,(第04期),全文.李祯;岳建设;李尔波;杨得草.常压烧结致密氧化锆陶瓷.咸阳师范学院学报.2018,(第06期),全文.

20. 发明公开

CN117497991A 一种微波介质陶瓷滤波器干压成型方法审中-实审
公开(公告)号：CN117497991A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311509845.9
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： H01P11/00 , H01P1/20
摘要：本发明涉及高性能陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷滤波器干压成型方法，包括如下步骤：步骤一：将CZT粉体和有机载体混合均匀，通过喷雾造粒后获得造粒粉料；其中，CZT粉体为CaO、ZrO2和TiO2混合形成；步骤二：将造粒粉料干压成型，得到坯体；步骤三：对坯体进行烧结得到陶瓷滤波器主体。通过干压成型避免二次加工，提升了生产效率，降低了生产成本，提升了微波介质陶瓷的介电性能。

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