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11. 发明专利

JP5805470B2 微細ゼオライトの製法有权
标题翻译：细沸石的制备
公开(公告)号：JP5805470B2
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：JP2011188254
申请日：2011-08-31
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：脇原徹 , 多々見純一 , 井原章夫 , 米屋勝利 , 窪田好浩 , 稲垣怜史
IPC分类号： C01B39/02

12. 发明专利

JP6621281B2 チタノシリケートの製造方法有权
公开(公告)号：JP6621281B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2015185499
申请日：2015-09-18
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 大野祐耶
IPC分类号： C01B39/48 , C01B39/06

13. 发明专利

JP2017051900A 触媒とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017051900A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015176976
申请日：2015-09-08
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 福岡拓也
IPC分类号： B01J35/08 , B01J37/04 , B01J37/10 , C01B39/54 , B01J29/85
摘要：【課題】炭素析出耐性および水熱安定性が高いモレキュラーシーブ/ゼオライト複合触媒を提供。【解決手段】コア−シェル構造を有する触媒であって、SSZ−13ゼオライトの結晶粒子からなるコア部101と、コア部101の表面を覆うCHA(チャバサイト)型を有するMAPO(メタロアルミノホスフェート)モレキュラーシーブの結晶粒子からなるシェル部102と、を備えている触媒100。コア部101のSSZ−13の結晶粒子の粒径が1μm以上でありシェル部102が、厚さ200nm以下であるが、コア部101の表面全体を覆う連続膜である触媒100。【選択図】図1

14. 发明专利

JP2016169139A AFX型ゼオライトの製法审中-公开
标题翻译：生产AFX型沸石的方法
公开(公告)号：JP2016169139A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051738
申请日：2015-03-16
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 中澤直人
IPC分类号： C01B39/48
摘要：【課題】高い結晶化度を有するAFX型ゼオライトを製造する方法を提供する。【解決手段】(1)シリカ源、(2)アルミナ源、(3)鋳型としてN,N,N',N'−テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3:5,6−ジピロリジニウム(但し、アルキル基は、同じであっても異なってもよい。)の水酸化物又はハロゲン化物、(4)アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、及び(5)水から成る原料混合物を、水熱処理することから成り、該シリカ源及びアルミナ源中のシリカ(SiO 2 に換算)100モルに対するアルミナ(Alに換算)の量が5〜25モルであるAFX型ゼオライトの製法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高结晶度的AFX型沸石的制造方法。解决方案：提供一种AFX型沸石的制造方法，其特征在于，将由（1）二氧化硅源，（2）氧化铝源，（3）N，N，N'，N'-四烷基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3：5,6-二吡咯烷鎓的氢氧化物或卤化物（条件是烷基可以相同或不同）作为模板，（4）碱金属氢氧化物或碱土金属氢氧化物和（5）水 - 水热处理，其中氧化铝的量（以Al计）为基于二氧化硅源中的100摩尔二氧化硅（以SiO计）和氧化铝源为5〜25摩尔。选择图：无

15. 发明专利

JP2015098417A メソポーラスカーボンの製造方法、及び、それを用いた電気二重層キャパシタ用炭素系電極の製造方法审中-公开
标题翻译：使用其的双电层电容器的碳化硅电极的制造方法和制造方法
公开(公告)号：JP2015098417A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2013239141
申请日：2013-11-19
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：稲垣怜史 , 窪田好浩 , 三木俊宏
IPC分类号： H01G11/24 , H01G11/44 , H01G11/34 , C01B31/02
CPC分类号： Y02E60/13
摘要：【課題】大容量の電気二重層キャパシタを実現し得る、メソポーラスカーボンの新規な製造方法、及び、それを用いた電気二重層キャパシタ用炭素系電極の製造方法を提供する。【解決手段】メソポーラスカーボンの製造方法は、(A)界面活性剤を含むアルカリ水溶液に、炭化反応を促進させるための遷移金属触媒を加え、次に、メソポーラスシリカの原料としてのSi(OC 2 H 5 ) 4 を加えた後、加熱してシリケートへの加水分解及びそれに続くシリカへの脱水縮合を進めてから焼成することで界面活性剤を除去することにより、メソポーラスシリカであるMCM−48を作製する工程と、(B−1)MCM−48を、フルフリルアルコールと酸との混合溶液に含浸させて静置することで予備重合を行う工程と、(B−2)予備重合後に加熱により炭化させてシリカ−カーボン複合体を作製する工程と、(B−3)シリカ−カーボン複合体からMCM−48を除去することでメソポーラスカーボンであるCMK−1を作製する工程とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提供高容量双电层电容器的介孔碳的新颖制造方法和用于双电层电容器的碳基电极的制造方法。解决方案：介孔碳的制造方法包括（A）通过向含有表面活性剂的碱溶液中添加用于促进碳化反应的过渡金属催化剂，然后加入作为介孔碳原料的Si（OCH），制备作为介孔碳的MCM-48的加工，（B-1）通过将MCM-48浸渍到糠醇和酸的混合溶液中并静置（B-2）a进行预聚合的方法（B-1）在预聚合后通过加热进行碳化以制造二氧化硅 - 碳复合物的方法和（B-3）从二氧化碳 - 碳中除去MCM-48的方法复合制造中介碳的CMK-1。

16. 发明专利

JP6749594B2 チタノシリケートの製造方法有权
公开(公告)号：JP6749594B2
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：JP2017059760
申请日：2017-03-24
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 大野祐耶 , 池原悠哉
IPC分类号： C01B39/48 , C01B39/06

17. 发明专利

JPWO2018061827A1 ゼオライトとその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018061827A1
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017033474
申请日：2017-09-15
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 中澤直人
IPC分类号： C01B39/48
摘要：本発明のゼオライトは、粉末X線回折法による測定で、少なくとも下記表1に示す格子面間隔d(Å)を含むX線回折パターンを有する。【表1】

18. 发明专利

JP6442329B2 高Si/Al比のCHA型ゼオライトの製法有权
公开(公告)号：JP6442329B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015049109
申请日：2015-03-12
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 福岡拓也
IPC分类号： B01J32/00 , B01J29/70 , B01D53/94 , C01B39/48

19. 发明专利

JP2017057126A チタノシリケートの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017057126A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015185499
申请日：2015-09-18
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 大野祐耶
IPC分类号： C01B39/48 , C01B39/06
摘要：【課題】四塩化チタンガスを用いずに、TiがMCM−68の骨格に導入されてなるチタノシリケートを得ることを可能とする、チタノシリケートの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のチタノシリケートの製造方法は、アルミノシリケートの骨格内のアルミニウムの一部を、チタンに置き換えてなるチタノシリケートの製造方法であって、シリカ源、アルミナ源、アルカリ源、ヨウ化物、水、およびTi源の混合物を水熱合成により結晶化させる第一工程と、結晶化した前記混合物を焼成する第二工程とを備え、前記混合物に含有されるシリコンとチタンのモル比(Si/Ti)を21以上300以下とすることを特徴とする。【選択図】図5

20. 发明专利

JP2016169118A 高Si/Al比のCHA型ゼオライトの製法审中-公开
标题翻译：生产具有高Si / Al比的CHA型沸石的方法
公开(公告)号：JP2016169118A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049109
申请日：2015-03-12
申请人：国立大学法人横浜国立大学
发明人：窪田好浩 , 稲垣怜史 , 福岡拓也
IPC分类号： B01J32/00 , B01J29/70 , B01D53/94 , C01B39/48
摘要：【課題】従来、フルオライド法以外の方法では、Si/Al比が110以上のCHA型ゼオライト結晶は製造されていない。フルオライド法に依らずに、Si/Al比が110以上、特に140以上のCHA型ゼオライトを製造することのできる方法を提供する。【解決手段】原料混合物を温度が140~200℃の条件で水熱処理することから成る、Si/Al比が110以上のCHA型ゼオライトを製造する方法であって、この原料混合物のSi/Alが200以上であり、この原料混合物が種結晶としてSi/Al比が80以上のCHA型ゼオライトを、シリカ源(SiO 2 に換算)に対して0.1〜5重量%含む、CHA型ゼオライトの製法である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够生产Si / Al比为110以上，特别是140以上的CHA型沸石的方法，而不依赖于氟化法，因为CHA型沸石晶体具有Si / Al比 110以上的氟化物以外的方法不是通过氟化物法以外的方法制造的。本发明提供一种能够制造Si / Al比为110以上的CHA型沸石的方法，其包括使原料混合物在140〜200℃的温度下进行水热处理，其中原料混合物的Si / Al比为200以上，含有0.1〜5重量％的具有Si / Al比的CHA型沸石基于二氧化硅源的晶种（以SiO计）为80以上的晶种。选择图：无

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