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热词
    • 12. 发明申请
    • FURNACE AND METHOD FOR TREATING MATERIAL
    • US20210222331A1
    • 2021-07-22
    • US16755286
    • 2018-10-12
    • ONEJOON GMBH
    • Lars Meinecke
    • D01F9/32F27D1/18
    • The invention relates to a furnace for the treatment of material, in particular for the oxidative treatment of fiber material, in particular for producing carbon fibers, comprising a housing (12) having, a housing inner space (14), which is gas-tight with the exceptions of passage areas (18, 20) for the fibers (22), In the housing hiller space (14) of the housing (12), a process chamber (28) is located. A hot working atmosphere (40) can be generated by means of an atmosphere device (42). The atmosphere device (42) comprises a flow system (46) having flow channels (48), which are arranged in the housing inner space (14) each defining, one flow chamber (50), and are provided with flow passages such that the respective flow chambers (50) are fluidically connected to the process chamber (28) in such a way that hot working atmosphere (40) can he delivered to the process chamber (28) in at least one main flow direction (44) and can be discharged from the process chamber (28). A revision system (72) is provided, through which flow chambers (50) of flow channels (48) are accessible through the housing (12).
    • 14. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON GRAPHIT UND VERTIKALER GRAPHITIERUNGSOFEN
    • WO2021063603A1
    • 2021-04-08
    • PCT/EP2020/073932
    • 2020-08-27
    • ONEJOON GMBH
    • MUCK, MatthiasVERVOORT, Petrus Jacobus
    • C01B32/205G21C1/12G21C5/08
    • Bei einem Verfahren zum Herstellen von Graphit in einem vertikalen Graphitierungsofen mit wenigstens einem Prozessraum (22), der eine Heizzone (28) begrenzt, wird in der Heizzone (28) eine Temperatur von 2.200 °C bis 3.200 °C, insbesondere von 3.000 °C, erzeugt, partikelförmiges graphitierbares Material (14) dem Prozessraum (22) durch einen Zugang (30) zugeführt, graphitierbares Material (14) durch die Heizzone (28) des Prozessraumes (22) hindurch gefördert, in der es zu Graphit graphitiert wird, und erhaltenes Graphit (12) durch einen Ausgang (40) aus dem Prozessraum (22) abgeführt. Dabei wird als Variante A graphitierbares Material (14) verwendet, dessen Partikel eine Partikelgröße von kleiner als 3 mm haben und und/oder als Variante B in der gesamten Heizzone (28) eines bestimmten Prozessraumes (22) eine Materialsäule (94) ausgebildet, wobei graphitierbares Material (14) nach Zuführen durch den Zugang (30) von oben durch eine Einlasszone (24) des Prozessraumes (22) hindurch auf die Materialsäule (94) rieselt, und/oder als Variante C eine Materialsäule (94) in einer Stand-Heizzone (98) eines bestimmten Prozessraumes (22) ausgebildet, die von der Heizzone (28) umfasst ist, wobei graphitierbares Material (14) nach Zuführen durch den Zugang (30) von oben durch eine Fall-Heizzone (96), die ebenfalls von der Heizzone (28) umfasst ist, auf die Materialsäule (94) rieselt, und/oder als Variante D graphitierbares Material (14) in einem oder mehreren Materialbehältern (100) durch einen bestimmten Prozessraum (22) und durch dessen Heizzone (28) gefördert. Außerdem ist ein vertikaler Graphitierungsofen (10) angegeben, der insbesondere bezogen auf die Varianten C und D optimiert ist.
    • 15. 发明专利
    • Anlage zur Behandlung von Werkstücken
    • DE102011116136B4
    • 2021-05-12
    • DE102011116136
    • 2011-10-15
    • ONEJOON GMBH
    • SCHULZE HERBERT
    • H01L21/677B65G49/07H01L31/18
    • Anlage zur Behandlung von Werkstücken mita) einem Gehäuse (14), welches einen Behandlungsraum (16) begrenzt, in dem eine kontrollierte Atmosphäre vorliegt, und eine gasdichte Hülle (20) umfasst, welche die kontrollierte Atmosphäre von der außerhalb der Hülle (20) vorliegenden Atmosphäre trennt;b) einem Fördersystem (22), durch welches Werkstücke (12) durch den Behandlungsraum (16) förderbar sind;c) einer Antriebseinrichtung (44) für das Fördersystem (22) mit einer Abtriebseinheit (46), wobei die Abtriebseinheit (46) durch Koppelmittel (68, 72) mit einer Koppeleinheit (60) des Fördersystems (20) gekoppelt ist; wobeid) die gasdichte Hülle (20) zwischen der Abtriebseinheit (46) und der Koppeleinheit (60) vorhanden ist und die Abtriebseinheit (46) und die Koppeleinheit (60) durch die gasdichte Hülle (20) hindurch berührungslos miteinander gekoppelt sind;e) eine Kühleinrichtung (92) vorhanden ist, durch welche eine Arbeitstemperatur in einem Koppelbereich (42) einstellbar ist, in dem die Kopplung zwischen der Abtriebseinheit (46) und der Koppeleinheit (60) bewirkt wird.
    • 17. 发明专利
    • Vorrichtung und Verfahren zur thermischen oder thermo-chemischen Behandlung von Material
    • DE102019109767A1
    • 2020-10-15
    • DE102019109767
    • 2019-04-12
    • ONEJOON GMBH
    • ESFEHANIAN ARIAN
    • F27B9/14
    • Eine Vorrichtung zur thermischen oder thermo-chemischen Behandlung, insbesondere zur Kalzinierung, von Material (12), insbesondere von Batterie-Kathodenmaterial (14) umfasst ein Gehäuse (16) und einen in dem Gehäuse (16) befindlichen Prozessraum (20), in dem bei der Behandlung eine Prozessraumatmosphäre (54) herrscht und der ein Förderniveau (116) definiert. Mittels eines Fördersystems (28) sind das Material (12) oder mit dem Material (12) beladene Tragstrukturen (44) auf dem Förderniveau (116) in einer Förderrichtung (30) in und/oder durch den Prozessraum (20) förderbar. Eine Eingangsschleuse (26) definiert ein Einlassniveau (118) und umfasst einen Schleusenraum (62), einen Schleuseneinlass (64) und einen Schleusenauslass (66) sowie einen Einlassförderer (106), welcher derart eingerichtet ist, dass das Material (12) oder mit dem Material (12) beladene Tragstrukturen (44) auf dem Einlassniveau (118) durch den Schleuseneinlass (66) in den Schleusenraum (62) förderbar sind. Das Förderniveau (116) und das Einlassniveau sind (118) voneinander verschieden. Es ist außerdem ein Verfahren zur thermischen oder thermo-chemischen Behandlung, insbesondere zur Kalzinierung, von Material (12), insbesondere von Batterie-Kathodenmaterial (14), angegeben, bei welchem das Material (12) oder mit Material (12) beladene Tragstrukturen (44) auf dem Förderniveau (116) und dem Einlassniveau (118) auf unterschiedlichen Höhen gefördert werden.
    • 18. 发明专利
    • Verfahren zum Herstellen von Graphit und vertikaler Graphitierungsofen
    • DE102019126394A1
    • 2021-04-01
    • DE102019126394
    • 2019-09-30
    • ONEJOON GMBH
    • MUCK MATTHIASVERVOORT PETRUS JACOBUS
    • C01B32/205
    • Bei einem Verfahren zum Herstellen von Graphit in einem vertikalen Graphitierungsofen mit wenigstens einem Prozessraum (22), der eine Heizzone (28) begrenzt, wird in der Heizzone (28) eine Temperatur von 2.200 °C bis 3.200 °C, insbesondere von 3.000 °C, erzeugt, partikelförmiges graphitierbares Material (14) dem Prozessraum (22) durch einen Zugang (30) zugeführt, graphitierbares Material (14) durch die Heizzone (28) des Prozessraumes (22) hindurch gefördert, in der es zu Graphit graphitiert wird, und erhaltenes Graphit (12) durch einen Ausgang (40) aus dem Prozessraum (22) abgeführt. Dabei wird als Variante A graphitierbares Material (14) verwendet, dessen Partikel eine Partikelgröße von kleiner als 3 mm haben und und/oder als Variante B in der gesamten Heizzone (28) eines bestimmten Prozessraumes (22) eine Materialsäule (94) ausgebildet, wobei graphitierbares Material (14) nach Zuführen durch den Zugang (30) von oben durch eine Einlasszone (24) des Prozessraumes (22) hindurch auf die Materialsäule (94) rieselt, und/oder als Variante C eine Materialsäule (94) in einer Stand-Heizzone (98) eines bestimmten Prozessraumes (22) ausgebildet, die von der Heizzone (28) umfasst ist, wobei graphitierbares Material (14) nach Zuführen durch den Zugang (30) von oben durch eine Fall-Heizzone (96), die ebenfalls von der Heizzone (28) umfasst ist, auf die Materialsäule (94) rieselt, und/oder als Variante D graphitierbares Material (14) in einem oder mehreren Materialbehältern (100) durch einen bestimmten Prozessraum (22) und durch dessen Heizzone (28) gefördert. Außerdem ist ein vertikaler Graphitierungsofen (10) angegeben, der insbesondere bezogen auf die Varianten C und D optimiert ist.