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    • 13. 发明申请
    • マグネトロン駆動用電源
    • MAGNETRON驱动电源
    • WO2006126430A1
    • 2006-11-30
    • PCT/JP2006/309814
    • 2006-05-17
    • 松下電器産業株式会社酒井 伸一城川 信夫末永 治雄守屋 英明木下 学
    • 酒井 伸一城川 信夫末永 治雄守屋 英明木下 学
    • H05B6/66
    • H05B6/66
    •  本発明の課題は、安定したインバータ動作と開発効率の良いマグネトロン駆動用電源を供給することである。  本発明によれば、スイッチング素子(12)のエミッタ端子電位(121)と、整流素子(1)のマイナス端子電位(101)の電位差を最小限とすることができ、安定したスイッチング動作と異常電圧検出を実現することができる。また、100V~120Vの定格電圧範囲のマグネトロン駆動用電源と、200V~240Vの定格電圧範囲のマグネトロン駆動用電源の部品配置、とりわけ、アース接続位置(41)、フィラメント出力位置(42)を共通化し、シャーシの統一化などによる開発効率のよい、かつ、電源電圧に応じた最適なマグネトロン駆動用電源を提供することができる。
    • 磁控管驱动电源,实现稳定的逆变器运行,并具有良好的开发效率。 可以使开关元件(12)的发射极端子电位(121)与整流元件(1)的负极电位(101)之间的差异最小化,从而实现稳定的开关和异常电压检测。 额定电压范围为100〜120V,额定电压范围为200〜240V,特别是接地连接位置(41)和灯丝输出位置(42)的磁控管驱动电源的部件配置为 从而提供具有良好开发效率的磁控管驱动电源,这由于例如机箱标准化并且最适合于电源电压。
    • 14. 发明申请
    • マグネトロン駆動用電源
    • 用于驱动磁铁的电源
    • WO2006080258A1
    • 2006-08-03
    • PCT/JP2006/300878
    • 2006-01-20
    • 松下電器産業株式会社酒井 伸一城川 信夫末永 治雄守屋 英明木下 学
    • 酒井 伸一城川 信夫末永 治雄守屋 英明木下 学
    • H05B6/68H05B6/66
    • H05B6/666
    •  本発明の課題は、低コスト、省スペースを具備しつつ無負荷運転時等の異常状態を検出可能とする構成のマグネトロン駆動用電源を提供することである。  本発明のマグネトロン駆動用電源は、マグネトロン(11)に高電圧を供給する高圧トランス(12)と、それを高周波で駆動するスイッチング部(13)と、それに駆動信号を与える第一の制御部(14)と、前記第一の制御部に出力指令を出す第二の制御部(16)と、前記マグネトロンの発振閾値の低下に応じて出力指令を補正する第三の制御部(19)を備え、前記第三の制御部からの信号に応じてパワーダウン制御を行う第一の制御部(14)を備えることで、インバータの制御側で信号を取り扱うことが可能となり、低コスト、省スペースを具備しつつ無負荷運転時等の異常状態を検出可能とすることができる。
    • 提供一种用于驱动磁控管的电源,其具有允许检测诸如空载运行之类的任何异常状态的结构,同时实现低成本并节省空间。 一种用于驱动磁控管的电源,包括用于向磁控管(11)提供高电压的高压变压器(12)。 用于通过高频驱动高压变压器的开关部分(13); 用于向切换部分施加驱动信号的第一控制部分(14); 第二控制部分(16),用于向第一控制部分发出输出命令; 以及第三控制部分(19),用于响应于磁控管的振荡阈值的减小来校正输出命令; 其中,提供响应于来自第三控制部分的信号进行停电控制的第一控制部分(14)允许在逆变器控制侧处理信号,从而允许任何异常状态,例如空载 运行,被检测,同时实现低成本和节省空间。
    • 15. 发明申请
    • 高周波加熱装置
    • 高频加热装置
    • WO2005109957A1
    • 2005-11-17
    • PCT/JP2005/007888
    • 2005-04-26
    • 松下電器産業株式会社末永 治雄守屋 英明酒井 伸一森川 久城川 信夫木下 学
    • 末永 治雄守屋 英明酒井 伸一森川 久城川 信夫木下 学
    • H05B6/68
    • H05B6/666
    •  本発明の課題は、半導体スイッチング素子に熱損失とノイズの発生し難い、しかも限界においてIGBTが確実にONすることのできるインバータ回路を提供することである。  直流電源と、これに並列に接続された2個の半導体スイッチング素子から成る直列接続回路と、前記2個の半導体スイッチング素子の一方の半導体スイッチング素子の両端に接続されるリーケージトランスの1次巻線とコンデンサを有する直列接続回路と、前記2個の半導体スイッチング素子のそれぞれを駆動する駆動手段とから構成される共振型高周波加熱装置であって、所定周波数以下でデッドタイムを一定、所定周波数以上でデッドタイムを急増させる可変デッドタイム作成回路を前記駆動手段内に備え、かつ、スイッチング周波数が高くなったときそのデッドタイムがそれ以上広がらないように限界を設けた。
    • 可以抑制半导体开关元件中的热损失和噪声的发生的逆变器电路,其中IGBT可以在不受限制的情况下导通。 一种谐振型高频加热装置,包括直流电源; 串联连接电路,由和DC电源并联的两个半导体开关元件构成; 串联连接电路,具有电容器和连接在两个半导体开关元件之一上的泄漏变压器的初级绕组; 以及用于驱动两个各个半导体开关元件的驱动装置; 其特征在于,所述驱动装置包括可变死区时间产生电路,用于将频率的死区时间保持在预定值以下,并且对于等于或大于所述预定值的频率的死区时间突然增加,并且其中建立限制以便抑制 当开关频率变高时,死区时间延长。
    • 16. 发明申请
    • インバータ制御回路及び高周波誘電加熱装置
    • 逆变器控制电路和高频感应加热装置
    • WO2007148527A1
    • 2007-12-27
    • PCT/JP2007/061388
    • 2007-06-05
    • 松下電器産業株式会社木下 学末永 治雄安井 健治酒井 伸一城川 信夫守屋 英明
    • 木下 学末永 治雄安井 健治酒井 伸一城川 信夫守屋 英明
    • H02M7/48H05B6/68
    • H02M7/537H02H7/1213H02M1/32H05B6/683Y02B40/143
    • It is possible to prevent occurrence of a trouble such as the moding phenomenon accompanied by a magnetron output increase after the power down control and further improve reliability of a high-voltage induction heating device. When the temperature of a thermistor (T1) is lowered after the power down control, its resistance value is increased and the potential Vpc at the point PC is also increased. When the potential Vpc becomes higher than Vc3 which is the other input voltage of a comparator (C3), the input voltage of a comparator (C1) becomes 3V. If the temperature of the thermistor (T1) is further lowered and the potential Vpc becomes higher than Vc2 which is the other input potential of a comparator (C2), charge accumulation to an electric field capacitor (CO1) and the potential at the point SS start to increase. If the potential at the point SS continues to increase and exceeds 3V, the output of a comparator (C4) becomes "1" and the output of the NAND gate becomes "0". A movable contact (K1) is switched to a second fixed terminal b and the input voltage to the comparator (C1) starts to increase.
    • 能够防止在掉电控制之后发生伴随磁控管输出增加的变形现象等故障,进一步提高高压感应加热装置的可靠性。 在断电控制后,当热敏电阻(T1)的温度降低时,其电阻值增加,点PC处的电位Vpc也增加。 当电位Vpc变得高于作为比较器(C3)的另一个输入电压的Vc3时,比较器(C1)的输入电压变为3V。 如果热敏电阻(T1)的温度进一步降低,并且电位Vpc变得高于作为比较器(C2)的另一个输入电位的Vc2,则对电场电容器(CO1)的电荷积累和点SS处的电位 开始增加 如果点SS处的电位继续增加并超过3V,则比较器(C4)的输出变为“1”,NAND门的输出变为“0”。 可动触点(K1)切换到第二固定端子b,并且比较器(C1)的输入电压开始增加。
    • 18. 发明申请
    • 高周波加熱装置
    • 高频加热装置
    • WO2005107326A1
    • 2005-11-10
    • PCT/JP2005/007697
    • 2005-04-22
    • 松下電器産業株式会社末永 治雄守屋 英明酒井 伸一森川 久松倉 豊継城川 信夫
    • 末永 治雄守屋 英明酒井 伸一森川 久松倉 豊継城川 信夫
    • H05B6/68
    • H05B6/666H02M3/33569
    •  本発明の課題は、起動から定常に切り替わった瞬間に入力電流のオーバーシュートを抑えることができ、したがって、IGBTおよびマグネトロンの損傷を防止できる高周波加熱装置を提供することである。  交流電源の入力電流と基準電流との差から制御信号を作成する制御信号作成回路と、交流電源を整流して得られる整流電圧/整流電流を前記制御信号作成回路の制御信号によって補正する周波数変調信号作成回路と、周波数変調信号作成回路の出力を受信するデッドタイム作成回路を備えた高周波加熱装置において、制御信号作成回路と周波数変調信号作成回路との間に、制御信号の値をさらに引き下げることのできる機能を有する制御信号変換回路を備えるようにした。
    • 一种高频加热装置,其中在从激活变为稳态的时刻,可以抑制输入电流的过冲,因此可以防止IGBT和磁控管的损坏。 一种高频加热装置,包括控制信号发生电路,用于根据交流电源的输入电流和参考电流的差产生控制信号; 频率调制信号发生电路,用于通过使用来自控制信号发生电路的控制信号,校正AC电源获得的整流电压/整流电流; 以及用于接收来自所述调频信号发生电路的输出的死区时间产生电路; 其特征在于,具有进一步减小控制信号的值的控制信号变换电路被连接在控制信号发生电路和调频信号发生电路之间。