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11. 发明申请

WO2004022803A1 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法、電子部品の製造方法及び電子光学部品审中-公开
标题翻译：电子部件用金属材料，电子部件，电子设备，金属材料的制造方法，电子部件和电子部件的制造方法
公开(公告)号：WO2004022803A1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：PCT/JP2003/011248
申请日：2003-09-03
申请人：デプト株式会社 , 上野崇
发明人：上野崇
IPC分类号： C22C9/00
CPC分类号： C22C9/00 , H01L23/49866 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/09 , H01L2924/00
摘要：本発明は、電子部品および電子機器またはそれらの製品に使用される金属合金材料、電子および金属材料の加工方法及び電子光学部品に関し、例えば液晶表示素子、各種半導体製品あるいは部品、プリント配線基板、その他のＩＣチップ部品等に適用して、従来に比して低抵抗率であり、更に製造工程中での優位性を保有した安定かつ加工性に優れた電子部品用金属合金材料、この金属材料を使用した電子部品、電子機器を提供する。本発明は、Ｃｕを主成分とし、Ｍｏを0.1～3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1～3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。この金属材料によれば、ＣｕにＭｏを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。
摘要翻译：电子零件; 电子设备; 用于此类产品的金属合金材料; 电子或金属材料的加工方法; 和电子光学部件。例如，可用于液晶显示装置，各种半导体产品和部件，印刷线路板和其他材料如IC芯片部件的用于电子部件的金属合金材料还显示比常规物品低的电阻率，仍然进一步确保了制造工艺的优势，安全可靠的加工性; 和电子零件和电子设备从金属合金材料。主要由Cu组成的合金，含有0.1〜3.0重量％的Mo，总共含有0.1〜3.0重量％的选自Al，Au，Ag，Ti，Ni，Co中的一种或两种以上的元素并且使用Si作为金属材料。在这种金属材料中，将Mo添加到Cu中，以使Mo在Cu晶粒边界中均匀混合，从而可以提高全体Cu的耐候性。

12. 发明申请

WO2005051058A1 回路基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电路板及其制造方法
公开(公告)号：WO2005051058A1
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：PCT/JP2004/017069
申请日：2004-11-17
申请人：デプト株式会社 , 上野崇 , 望月卓
发明人：上野崇 , 望月卓
IPC分类号： H05K3/38
CPC分类号： H05K3/388 , H05K3/108
摘要：【課題】　基板とＣｕ膜との密着性を十分に確保できる回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】　本発明に係る回路基板は、基板１と、前記基板１上に形成されたＣｕ合金薄膜２と、前記Ｃｕ合金薄膜２上に形成された膜厚が３００ｎｍ以上３０μｍ以下のＣｕ鍍金膜３と、を具備し、前記Ｃｕ合金薄膜２は、Ｃｕを主成分とし、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を合計で0.5～5.0ｗｔ％含有してなる合金からなり、膜厚が５ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする。これにより、基板とＣｕ膜との密着性を十分に確保できる。
摘要翻译： [问题]公开了一种电路板，其中可以充分确保衬底和Cu膜之间的粘附。还公开了一种用于制造这种电路板的方法。用于解决问题的手段一种电路板，包括基板（1），形成在基板（1）上的Cu合金薄膜（2）和厚度不小于300nm的Cu镀膜（3）在Cu合金薄膜（2）上形成的不超过30μm的特征在于，Cu合金薄膜（2）由主要含有Cu的合金构成，并且还含有选自以下的至少一种元素： Ti，Mo，Ni，Al和Ag，其总量为0.5-5.0重量％，并且具有不小于5nm且不大于1μm的厚度。通过这样的结构，能够充分确保基板与Cu膜的粘合性。

13. 发明申请

WO2004103893A1 微細構造体及びその製造方法审中-公开
标题翻译：精细结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2004103893A1
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：PCT/JP2004/006937
申请日：2004-05-21
申请人：デプト株式会社 , 三菱化学株式会社 , 上野崇 , 望月卓 , 中村振一郎 , 三上昌義
发明人：上野崇 , 望月卓 , 中村振一郎 , 三上昌義
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B81B1/00 , B82Y10/00 , H01L41/332
摘要： A method for preparing a fine structure, wherein a laminated structure having two or more of metal and inorganic oxide layers is subjected to reactive ion etching, the surface of a film composed of the oxide or a laminate of the oxide and the metal is activated to effect a chemical reaction, and a fine structure having a hollow portion is formed on a substrate through the deposition of the product of the reaction.
摘要翻译：制备精细结构的方法，其中具有两个或更多个金属和无机氧化物层的层压结构进行反应离子蚀刻，由氧化物或氧化物和金属的层压体构成的膜的表面被激活以发生化学反应，通过沉积反应产物，在基板上形成具有中空部分的精细结构。

14. 发明申请

WO2007097079A1 自発光材料、カラーフィルター用材料、カラーフィルターの製造方法及び表示装置审中-公开
标题翻译：自发光材料，彩色滤光片材料，彩色滤光片和显示装置的生产工艺
公开(公告)号：WO2007097079A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/JP2006/323339
申请日：2006-11-22
申请人：デプト株式会社 , 望月卓 , 小田伸浩 , 上野崇
发明人：望月卓 , 小田伸浩 , 上野崇
IPC分类号： G02B5/20
CPC分类号： C09K11/7794 , G02B5/206
摘要：　カラーフィルター内の発光材料が発光することでバックライト等の外部光源を用いず、外部光源を用いないことで消費電力を大幅に削減できる表示装置に用いられる自発光材料を提供する。本発明に係る自発光材料は、カラーフィルターの顔料層あるいは染料層の内部に添加して自発光させる無機材料であることを特徴とする。すなわち、この自発光材料は、カラーフィルターの顔料層あるいは染料層の内部に自発光させる無機材料を添加し、その添加量や添加材料の大きさに応じて発光光度をコントロールすることが出来るものである。
摘要翻译：用于显示装置的自发光材料，其通过滤色器中的发光材料的发光，实现不使用诸如背光的外部光源，并且由于不使用外部光源而实质上削减了功率消耗。提供了一种自发光材料，其特征在于：将无机材料结合在滤色器的染料层或颜料层内，以引发自发光。因此，通过除了能够在滤色器的染料层或颜料层内引起自发光的无机材料，调节其添加量和添加剂材料的范围，自发光材料实现了发射光强度的控制。

15. 发明申请

WO2005069706A1 回路基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电路板及其制造方法
公开(公告)号：WO2005069706A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2004/017070
申请日：2004-11-17
申请人：デプト株式会社 , 上野崇 , 望月卓
发明人：上野崇 , 望月卓
IPC分类号： H05K3/38
CPC分类号： H05K1/09 , H05K1/0242 , H05K3/386 , H05K2201/0355
摘要：【課題】　基板とＣｕ合金箔との密着性を十分に確保でき、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】　本発明に係る回路基板は、基板２とＣｕ合金箔１が張り合わされた回路基板であって、前記Ｃｕ合金箔１は、Ｃｕを主成分とし、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を合計で0.5～5.0ｗｔ％含有してなる合金からなることを特徴とする。
摘要翻译：【问题】在抑制由于皮肤效应引起的信号的传播损失的同时，能够确保基板和Cu合金箔之间的充分的粘附性的电路板及其制造方法。解决问题的手段电路板是通过接合基板（2）和Cu合金箔（1）而制成的，其特征在于，所述Cu合金箔（1）由主要包含Cu并且含有0.5至5.0的合金形成总共含有选自Ti，Mo，Ni，Al和Ag中的至少一种元素的wt％。

16. 发明专利

JP2007321184A Sputtering target, its production method, organic pigment-dispersed type thin film and its production method 审中-公开
标题翻译：溅射目标，其生产方法，有机颜料分散型薄膜及其生产方法
公开(公告)号：JP2007321184A
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：JP2006151134
申请日：2006-05-31
申请人： Dept Corp , デプト株式会社
发明人： ODA NOBUHIRO
IPC分类号： C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing an organic pigment dispersed type thin film having high adhesion to a substrate and solvent resistance without damaging the color development of organic pigment by dispersing the organic pigment into a metal oxide. SOLUTION: Metal powder with low hardness composed of metal comprising at least one selected from Sn, In, Al and Zn, and organic pigment powder are prepared, each powder is mixed, so as to form a powdery mixture, the powdery mixture is subjected to compacting by cold isostatic pressing or dry isostatic pressing, so as to produce a sputtering target, and, using the sputtering target, reaction sputtering of causing reaction with oxygen is performed by direct current discharge, thus an organic pigment dispersed type thin film is formed on a substrate. In the organic pigment dispersed type thin film, the organic pigment is dispersed into a metal oxide. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决方案：提供一种生产有机颜料分散型薄膜的方法，该有机颜料分散型薄膜具有对基材的高粘附性和耐溶剂性，而不会通过将有机颜料分散在金属氧化物中而损害有机颜料的显色。解决方案：制备由包含选自Sn，In，Al和Zn中的至少一种的金属组成的低硬度的金属粉末和有机颜料粉末，将各粉末混合以形成粉末混合物，将粉末混合物通过冷等静压或干等静压进行压实，以制造溅射靶，并且使用溅射靶，通过直流放电进行与氧反应的反应溅射，因此有机颜料分散型薄膜形成在基板上。在有机颜料分散型薄膜中，有机颜料分散在金属氧化物中。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

17. 发明专利

JP2006193783A Metal material for electronic component, electronic component, electronic device, process for processing metal material, process for manufacturing electronic component and electronic optical component 审中-公开
标题翻译：电子元件用金属材料，电子元件，电子设备，金属材料加工工艺，制造电子元件和电子元件的方法
公开(公告)号：JP2006193783A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：JP2005006579
申请日：2005-01-13
申请人： Dept Corp , デプト株式会社
发明人： UENO TAKASHI , ODA NOBUHIRO , KOJIMA SHUHEI
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B13/00 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/48 , H01L23/52
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stable metal alloy material for electronic components showing an excellent workability, an advantage in manufacturing step and a low resistivity compared to those of conventional ones which is applied to, e.g., a liquid crystal display element, various semiconductor products or components, a printed wiring board, other IC chip components, etc., and electric component using this, and electronic device, a process for processing the electronic metal material and an electronic optical component.
SOLUTION: An alloy which essentially comprises Cu, contains 0.1 to 7.0 wt% W and comprises 0.1 to 3.0 wt% in total of one or more elements chosen from the group consisting of Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co and Si is applied as the metal material. The metal material improves the overall weather resistance of Cu by adding W to Cu and evenly incorporating Mo into Cu grain boundary.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种稳定的用于电子部件的金属合金材料，其显示出优异的可加工性，制造步骤的优点和与常规的电阻率相比较的低电阻率，其应用于例如液晶显示元件，各种半导体产品或组件，印刷线路板，其它IC芯片组件等，以及使用其的电气部件，以及电子设备，用于处理电子金属材料和电子光学部件的工艺。解决方案：基本上包含Cu的合金含有0.1至7.0重量％的W，并且包含总共0.1至3.0重量％的选自Al，Au，Ag，Ti，Ni，Co中的一种或多种元素并施加Si作为金属材料。金属材料通过向Cu中添加W并均匀地将Mo并入Cu晶界来提高Cu的总体耐候性。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

18. 发明专利

JPWO2004103893A1 微細構造体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2004103893A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：JP2005506363
申请日：2004-05-21
申请人：デプト株式会社 , 三菱化学株式会社
发明人：上野　崇 , 崇上野 , 卓望月 , 卓望月 , 中村　振一郎 , 振一郎中村 , 昌義三上 , 昌義三上
IPC分类号： B82B3/00 , B01J19/00 , B81B1/00 , B81C1/00 , B82B1/00 , C01B31/02 , H01L21/3065 , H01L41/22 , H01L41/332
CPC分类号： B82Y30/00 , B81B1/00 , B82Y10/00 , H01L41/332
摘要：本発明は、金属層および無機酸化物層を少なくとも2層以上有する積層構造に対して、反応性イオンエッチングを用いることにより、酸化物あるいは酸化物と金属の積層にて構成され膜の表面状態を活性化させて化学的に反応を起こすことにより、反応生成物の堆積を活用して基板上に中空部を有する微細な構造体を形成する。

19. 发明专利

JP2006045666A Sputtering target for thin film formation, dielectric thin film, optical disk, and method for producing the dielectric thin film 审中-公开
标题翻译：用于薄膜形成的溅射靶，介质薄膜，光盘，以及用于生产电介质薄膜的方法
公开(公告)号：JP2006045666A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：JP2005156967
申请日：2005-05-30
申请人： Dept Corp , Pioneer Electronic Corp , デプト株式会社 , パイオニア株式会社
发明人： HOSODA YASUO , HIGUCHI TAKANOBU , UENO TAKASHI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/26 , G11B11/105 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J11/38 , H01J11/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the diffusion of water and oxygen from a dielectric protective film by eliminating free oxygen from a thin oxide film without detriment to the characteristics of the film as a dielectric protective film. SOLUTION: A thin film of a mixed oxide comprising niobium oxide and silicon oxide or comprising niobium oxide and titanium oxide is used as a dielectric material for forming a dielectric protective film for an optical disk etc. In a desirable example, a target comprising niobium oxide as a main component and 1 to 30 wt.% of silicon oxide is used in the formation of an oxide thin film by sputtering. In this case, the oxide thin film is formed desirably in a nitrogen atmosphere. A nitrogen-containing oxide thin film is made by sputtering an oxygen-deficient target in the presence of a small amount of added nitrogen. By this way, it is possible to make a thin film having low reducibility and consequent high barrier properties as well as properties equivalent to those of a perfect oxide. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：通过从薄氧化膜中除去游离氧而不损害作为介电保护膜的特性的特性，防止水和氧从介电保护膜扩散。解决方案：使用包含氧化铌和氧化硅或包含铌氧化物和氧化钛的混合氧化物的薄膜作为用于形成用于光盘的介电保护膜的电介质材料等。在期望的示例中，靶以氧化铌作为主要成分，通过溅射形成氧化物薄膜，使用1〜30重量％的氧化硅。在这种情况下，希望在氮气气氛中形成氧化物薄膜。通过在少量添加的氮的存在下溅射缺氧靶来制造含氮氧化物薄膜。通过这种方式，可以制备具有低还原性和随之而来的高阻隔性以及与完全氧化物相当的性质的薄膜。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

20. 发明专利

JP2004091907A Electronic component, its manufacturing process, metal material for the electronic component, its processing process, electronic device and electronic optical component 有权
公开(公告)号：JP2004091907A
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：JP2002258690
申请日：2002-09-04
申请人： Dept Corp , デプト株式会社
发明人： UENO TAKASHI
IPC分类号： G02F1/1343 , C22C9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/498 , H01L23/532 , H05K1/09
CPC分类号： C22C9/00 , H01L23/49866 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/09 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stable metal alloy material for electronic components showing an excellent workability, an advantage in manufacturing step and a low resistivity compared to those of conventional ones which is applied to, e.g. a liquid crystal display element, various semiconductor products or components, a printed wiring board, other IC chip components, etc., an electronic component using this, an electronic device, a process for processing the electronic metal material and an electronic optical component.
SOLUTION: An alloy which essentially comprises Cu, contains 0.1-3.0 wt.% Mo and comprises 0.1-3.0 wt.% in total of one or more elements chosen from the group consisting of Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co and Si is applied as the metal material. The metal material improves the overall weather resistance of Cu by adding Mo to Cu and evenly incorporating Mo into Cu grain boundary.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

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