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11. 发明专利

JP2014183218A Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program 有权
标题翻译：制造半导体器件，基板处理器件和程序的方法
公开(公告)号：JP2014183218A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2013057100
申请日：2013-03-19
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： HIROSE YOSHIRO , MIZUNO KANEKAZU , YANAGIDA KAZUTAKA , OKUBO SEIGO
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve and accurately control carbon concentration in a thin film.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a thin film containing silicon, oxygen, and carbon on a substrate by performing a cycle including a step of supplying a material gas containing silicon, carbon, and a halogen element and having an Si-C bond, and a catalyst gas to a substrate and a step of supplying an oxidation gas and the catalyst gas to the substrate a prescribed number of times.
摘要翻译：要解决的问题：提高并准确地控制薄膜中的碳浓度。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括：通过执行包括以下步骤的循环，在衬底上形成含有硅，氧和碳的薄膜的步骤：向基板供给含有硅，碳和卤素元素并具有Si-C键的原料气体和催化剂气体的步骤，以及将氧化气体和催化剂气体向基板供给规定次数的步骤。

12. 发明专利

JP2014141678A Additive mixture for bactericidal and anticorrosive addition of fuels 审中-公开
标题翻译：杀菌剂和杀虫剂添加剂的添加剂混合物
公开(公告)号：JP2014141678A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：JP2014037251
申请日：2014-02-27
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： BEILFUSS WOLFGANG , GRADTKE RALF , JENNIFER KNOPF , KRULL INGO
IPC分类号： C10L1/233 , C09K15/08 , C10L1/183 , C10L1/232
CPC分类号： C10L10/04 , A01N35/00 , A01N43/76 , C09K15/30 , C10L1/14 , C10L1/1608 , C10L1/1616 , C10L1/18 , C10L1/1824 , C10L1/1832 , C10L1/1855 , C10L1/19 , C10L1/22 , C10L1/2227 , C10L1/223 , C10L1/232 , C10L1/233 , C10L2200/0259 , C10L2230/081 , C10L2230/083 , C10M141/06 , C10M2203/104 , C10M2207/026 , C10M2207/046 , C10M2207/289 , C10M2215/102 , C10M2215/22 , C10M2215/221 , C10M2215/223 , C10M2215/224 , C10M2215/225 , C10N2230/12 , C10N2230/16 , C10N2270/02 , A01N25/22 , A01N2300/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an additive mixture suitable for bactericidal and anticorrosive addition of fuels which comprise renewable raw materials such as biodiesel.SOLUTION: An additive mixture comprises a) N,N'-methylenebis(5-methyloxazolidine), b) an antioxidant selected from 2,6-di-tert-butylphenol and 2,6-di-tert-butyl-p-cresol (BHT), and c) N,N-bis(2-ethylhexyl)((1,2,4-triazol-1-yl)methyl)amine.
摘要翻译：要解决的问题：提供适合于杀菌和防腐添加燃料的添加剂混合物，其包括可再生原料如生物柴油。溶液：添加剂混合物包含a）N，N'-亚甲基双（5-甲基恶唑烷），b）选自2,6-二叔丁基苯酚和2,6-二叔丁基对甲酚（BHT）的抗氧化剂，和c）N，N-双（2-乙基己基）（（1,2,4 - 三唑-1-基）甲基）胺。

13. 发明专利

JP2017078532A 酸素製造システム及び酸素製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017078532A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015206122
申请日：2015-10-20
申请人：レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
发明人： HIROSE KENJI , NAGATA DAISUKE , MORIYA KYOSUKE , KAJIKAWA TAKESHI
IPC分类号： F25J3/04
CPC分类号： F25J3/0409 , F25J3/04066 , F25J3/04206 , F25J3/04284 , F25J3/044 , F25J3/04872 , F25J3/04963 , F25J2200/94 , F25J2205/04 , F25J2230/52 , F25J2240/42 , F25J2245/02 , F25J2245/50 , F25J2250/10 , F25J2250/50 , F25J2250/52
摘要：【課題】窒素製造プロセスへの影響を抑え、高純度の酸素ガス及び液体酸素の少なくとも一方を効率的に製造する酸素製造システムの提供。【解決手段】窒素製造装置Fと酸素製造装置を組み合わせた酸素製造システムであり、酸素製造装置が、冷却加圧空気を導入する容器Aと、下部に凝縮−蒸発器を有する精留塔Cとを備え、容器底部に貯液された液体を導出する第1流路22と、第1流路22から導出した液体の一部を精留塔上部に導入する第2流路24と、窒素製造装置Fから酸素リッチ液化空気の一部を導出し精留塔中間段に導入する第3流路32と、第1流路22から分岐した液体の一部を窒素製造装置Fに寒冷源として導入する第4流路23と、精留塔C底部A側からの理論段数が5〜10段の範囲内の位置から凝縮−蒸発器Bにおいて液化空気の凝縮熱により気化した酸素ガスを導出する第5流路33とを備える酸素製造システム1000。【選択図】図2

14. 发明专利

JP2014062008A H2se purification 审中-公开
标题翻译： H2SE净化
公开(公告)号：JP2014062008A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：JP2012206944
申请日：2012-09-20
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： NATHAN STAFFORD , UDISCHAS RICHARD J
IPC分类号： C01B19/04 , B01J20/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of purifying HSe by removing HS and HO.SOLUTION: By passing a HSe-containing gas through an AW-500 molecular sieve, the amount of HS in the HSe-containing gas is reduced to less than 10 ppmv. By passing the HSe-containing gas through a 4A molecular sieve, the amount of HO in the HSe-containing gas is reduced to less than 20 ppmv. The HSe-containing gas is passed through the 4A molecular sieve before passed through the AW-500 molecular sieve.
摘要翻译：要解决的问题：提供通过除去HS和HO来净化HSe的方法。解决方案：通过使含HSe的气体通过AW-500分子筛，含HSe的气体中的HS的量减少到小于 10 ppmv。通过使含HSe的气体通过4A分子筛，含HSe的气体中的HO的量减少到小于20ppmv。含HSe的气体在通过AW-500分子筛之前通过4A分子筛。

15. 发明专利

JP2014059053A Method and device for controlling pressure in hydrogen tank 审中-公开
标题翻译：用于控制氢气压力的方法和装置
公开(公告)号：JP2014059053A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2013159989
申请日：2013-07-31
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： HERVE BARTHELEMY
IPC分类号： F17C13/12 , F17C13/00
CPC分类号： F17C1/00 , F17C2201/035 , F17C2201/054 , F17C2203/0643 , F17C2203/0648 , F17C2205/0332 , F17C2221/012 , F17C2223/0123 , F17C2223/036 , F17C2250/032 , F17C2250/0408 , F17C2250/043 , F17C2250/0439 , F17C2250/072 , F17C2260/042 , F17C2270/0171 , G05D16/2013 , Y02E60/321 , Y02P90/45 , Y10T137/0379 , Y10T137/0396 , Y10T137/6416 , Y10T137/7761
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for controlling the pressure in a hydrogen tank in order to remove the risk of the tank being embrittled by the hydrogen and cracking.SOLUTION: There is provided the method for controlling the pressure in a transportable cryogenic tank 1, especially a tank mounted on a transportable platform 2 capable of being moved by a truck, the tank being made of steel and containing a pressurized liquid hydrogen. The method comprises at least one of the following: continuously or periodically measuring the temperature in the tank and continuously or periodically measuring the level of the liquid in the tank. When the measured temperature exceeds a set upper temperature threshold Ts lying between -140°C and -160°C, and, respectively, when the liquid level in the tank drops below a set liquid level threshold, the pressure in the tank is limited to a value less than or equal to a set pressure threshold Pmax lying between 1.5 and 3 bar.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于控制氢气罐中的压力的方法和装置，以便消除由于氢气和裂纹而使罐变脆的风险。解决方案：提供了一种用于控制可运输的压力的方法低温罐1，特别是安装在可由卡车运动的可移动平台2上的罐，该罐由钢制成并且容纳加压液体氢。该方法包括以下中的至少一个：连续或周期性地测量罐中的温度并且连续地或周期性地测量罐中液体的水平。当测量温度超过设在-140°C至-160°C之间的设定的上限温度T T，而当液体液位低于设定的液位阈值时，罐内的压力限制在小于或等于1.5至3巴之间的设定压力阈值Pmax的值。

16. 发明专利

JP2013138210A Method for low-temperature heat cleaning 有权
标题翻译：低温热清洗方法
公开(公告)号：JP2013138210A
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：JP2012284252
申请日：2012-12-27
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI , SHIGEMOTO TAKAMITSU , JEAN-MARC GIRARD
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B7/0035
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for removing undesired substances from the surface in a semiconductor manufacturing process chamber.SOLUTION: Gas mixture 102 containing fluorine source 103 and oxygen source 104 is preprocessed to include an active fluorine type. Preprocessed mixture 106 is stored in a gas storage device 107 for the moment, and then introduced into a semiconductor process chamber 100. Prior to introduction of the preprocessed gas, temperature in the chamber 100 is lowered to the normal operation temperature or below. Undesired substances are removed or eliminated by chemical reaction with the preprocessed gas mixture without generating plasma in the chamber 100 or generating high temperature conditions.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在半导体制造工艺室中从表面除去不想要的物质的方法和装置。解决方案：包含氟源103和氧源104的气体混合物102被预处理以包括活性氟类型。预处理混合物106暂时存储在气体存储装置107中，然后被引入到半导体处理室100.在引入预处理气体之前，将室100中的温度降低到正常工作温度或更低。通过与预处理气体混合物的化学反应除去或消除不期望的物质，而不在室100中产生等离子体或产生高温条件。

17. 发明专利

JP2014236055A エッチング方法有权
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP2014236055A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013115577
申请日：2013-05-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
发明人： MORIYA SHUJI , ANDO ATSUSHI , SONOBE ATSUSHI , CHRISTOPHER TURPIN
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/3065 , H01L21/67207
摘要：【課題】プラズマを用いないドライエッチングにより、高エッチングレートおよび高選択比で被処理基板のシリコン部分をエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。【解決手段】被処理基板Wの表面に存在するシリコン部分を選択的にエッチングするエッチング方法は、チャンバー40内に被処理基板Wを配置し、チャンバー40内にFNOガスおよびF2ガスを、不活性ガスであるN2ガスで希釈して供給し、FNOガスおよびF2ガスを被処理基板Wの表面のシリコン部分と反応させる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过不使用等离子体的干蚀刻以高蚀刻速率和高选择率来蚀刻待处理基板的硅部分的蚀刻方法。解决方案：在选择性地蚀刻存在于要被处理的基板W的表面上的硅部分，将待处理的基板W设置在室40中，将FNO气体和Fgas用作为惰性气体的Ngas稀释以供应到室40中，FNO气体和Fgas与待处理的基板W的表面上的硅部分反应。

18. 发明专利

JP2014234335A シラン化合物の製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：硅烷化合物生产设备和生产方法
公开(公告)号：JP2014234335A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013118004
申请日：2013-06-04
申请人：レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
发明人： TOMITA SHINJI , HIROSE KENJI
IPC分类号： C01B33/04
摘要：【課題】大掛かりな蒸留塔(精留塔)を必要とせず、エネルギー効率が高く、極低温の冷媒の使用量が少なく、かつ複数のシラン化合物を連続的に安定した分離・精製が可能なシラン化合物の製造装置および製造方法を提供すること。【解決手段】給送された複数のシラン化合物を含む原料が導入される第1精留塔1と、第1精留塔1の塔頂部1aから導出された低次シランを含む第1気相成分が導入され、冷却されて気液分離される第1コールドトラップ2と、第1精留塔1の塔底部1bから導出された高次シランを主成分とする第1液相成分が導入される第2精留塔3と、第2精留塔3の塔頂部3aから導出された第2気相成分が導入され、冷却されて気液分離される第2コールドトラップ4と、を備える。第1コールドトラップ2は、設定温度が順次低温化された第1分離槽2aおよび第2分離槽2bから構成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供不需要大规模蒸馏塔（精馏塔）的硅烷化合物制造装置和制造方法，能量效率高，使用少量低温冷却剂，能够连续稳定分离并提纯多种硅烷化合物。解决方案：硅烷化合物生产设备包括：引入含有多种硅烷化合物的进料的第一精馏塔1; 引入含有来自第一精馏塔1的塔顶1a的低级硅烷的第一气相成分的第一冷阱2并冷却，进行气液分离; 第二精馏塔3，含有来自第一精馏塔1的塔底1b的高级硅烷作为主要成分的第一液相成分; 以及第二冷阱4，将来自第二精馏塔3的塔顶3a的第二气相成分引入并冷却，进行气液分离。第一冷阱2由预先设定的温度依次降低的第一分离槽2a和第二分离槽2b构成。

19. 发明专利

JP2014227322A モノシランの製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：单体制造装置和制造方法
公开(公告)号：JP2014227322A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013108756
申请日：2013-05-23
申请人：レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
发明人： TOMITA SHINJI , HIROSE KENJI , MOMOTA KAYO , CHIWARA VINIA
IPC分类号： C01B33/04
CPC分类号： Y02P20/584
摘要：【課題】余剰の反応による収率低下がなく、最小限の原料によってモノシランの収率性が高く、連続的かつ安定性の高いモノシランの作製が可能なモノシランの製造装置および製造方法を提供すること。【解決手段】水素化塩化ケイ素を原料として、第3級脂肪族炭化水素置換アミンまたは/および第3級脂肪族炭化水素置換アミンの塩酸塩を触媒として用いられ、モノシランが作製される反応塔1と、反応塔1の上段1cから供出された反応生成物からモノシランが抽出され、他成分からなる凝縮液と分離される分離装置2と、反応塔1の下段1bから供出された塔底液が加熱され、該塔底液に含まれる水素化塩化ケイ素を蒸発させて濃縮液が作製される蒸発槽3と、該濃縮液に原料の一部または/および凝縮液の一部を加えて加熱され、該濃縮液中に含まれた触媒が再活性化され、該触媒を含む再生液が作製される触媒再生槽5と、を備え、触媒再生槽5から供出された再生液が反応塔1に供給され、当該触媒に係る循環系が形成されること。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过使用最小的原料实现高的单硅烷产率的单硅烷的制造装置和制造方法，而不会引起由于过度的反应引起的屈服损失并且连续地制备具有高稳定性的单硅烷解决方案：所提供的装置包括：通过使用氢化氯化硅作为原料制备甲硅烷的反应塔1和叔脂族烃取代的胺和/或叔脂族烃取代的胺的盐酸盐作为催化剂 ; 分离器2，其中从反应塔1的上段1c供应的反应产物中提取甲硅烷，并从由其它组分组成的冷凝液分离; 蒸发箱3，其中通过加热从反应塔1的下段1b供应的底部液体，然后蒸发包含在底部液体中的氢化氯化硅来制备浓缩液体; 以及催化剂再生槽5，其中将通过将一部分原料和/或一部分冷凝液添加到浓缩液中获得的混合物被加热，以使包含在冷凝液体中的催化剂再活化并制备再生剂包括催化剂。通过从反应塔1向催化剂再生罐5供给的再生剂供给靶向催化剂的循环系统。

20. 发明专利

JP2014183219A Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program 有权
标题翻译：制造半导体器件，基板处理器件和程序的方法
公开(公告)号：JP2014183219A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2013057101
申请日：2013-03-19
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： HIROSE YOSHIRO , MIZUNO KANEKAZU , YANAGIDA KAZUTAKA , OKUBO SEIGO
IPC分类号： H01L21/316 , B01J31/02 , C23C16/52 , H01L21/31 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/401 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , H01L21/02126 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/0234
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress use of a catalyst gas while maintaining a film-forming rate.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an oxidation film on a substrate by performing a cycle including a step of supplying a material gas to a substrate and a step of supplying an ozone gas to the substrate a prescribed number of times. The material gas supply step supplies the material gas to the substrate in a state in which supply of a catalyst gas to the substrate is stopped. The ozone gas supply step supplies the ozone gas to the substrate in a state in which an amine-based catalyst gas is already supplied to the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：在保持成膜速率的同时抑制催化剂气体的使用。解决方案：一种半导体器件的制造方法，包括通过执行包括以下步骤的步骤在基板上形成氧化膜的步骤：将原料气体送入基板，向基板供给规定次数的臭氧气体的工序。原料气体供给步骤在向基板供给催化剂气体停止的状态下将原料气体供给到基板。臭氧气体供给步骤将胺类催化剂气体已经供给到基板的状态向基板供给臭氧气体。

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